模拟电子技术基础-知识点总结

1、模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。特征-光敏、热敏和混淆特征。本征半导体-贞洁的拥有单晶体构造的半导体。两种载流子-带有正、负电荷的可挪动的空穴和电子统称为载流子。杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的混淆特征。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素多子是空穴，少子是电子。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子，少子是空穴。杂质半导体的特征载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度相关。体电阻-以往把杂质半导体自己的电阻称为体电阻。转

2、型-经过改变混淆浓度，一种杂质半导体可以改型为别的一种杂质半导体。PN结PN结的接触电位差PN结的单导游电性PN结的伏安特征硅资料约为，锗资料约为。正偏导通，反偏截止。.半导体二极管单导游电性-正导游通，反向截止。二极管伏安特征-同结。正导游通压降-硅管，锗管。死区电压-硅管，锗管。分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);假设V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);假设V阳u-时，uo=+Uom当u+u-时，uo=-Uom两输入端的输入电流为零:+=i-=0第七章放大电路中的反响一.反响看法的建立开环放大倍数闭环放大倍数反响深度环路增益：1当时

3、，降落，这类反响称为负反响。2当时，说明反响成效为零。3当时，高升，这类反响称为正反响。4当时，。放大器处于“自激振荡状态。二反响的形式和判断反响的范围-本级或级间。反响的性质-交流、直流或交直流。直流通路中存在反响那么为直流反响，沟统统路中存在反响那么为交流反响，交、直流通路中都存在反响那么为交、直流反响。反响的取样-电压反响：反响量取样于输出电压；拥有稳固输出电压的作用。输出短路时反响消逝电流反响：反响量取样于输出电流。拥有稳固输出电流的作用。输出短路时反响不用逝反响的方式-并联反响：反响量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。Rs越大反响成效越好。反响信号反响到输入端串通反响：反响量与

4、原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。Rs越小反响成效越好。反响信号反响到非输入端反响极性-瞬时极性法：1假设某输入信号在某瞬时的极性为正用+表示，并设信号的频率在中频段。2依据该极性，逐级推测出放大电路中各相关点的瞬时极性升页脚下载后可删除，若有侵权请见告删除！高用+表示，降低用表示。3确立反响信号的极性。4依据Xi与Xf的极性，确立净输入信号的大小。Xid减小为负反响；Xid增大为正反响。三.反响形式的描画方法某反响元件引入级间本级直流负反响和交流电压电流串通并联负反响。.负反响对放大电路性能的影响提升放大倍数的稳固性2.扩展频带减小非线性失真及克制干扰和噪声改变放大电路的输入、输出电阻

5、串通负反响使输入电阻增添1+AF倍并联负反响使输入电阻减小1+AF倍电压负反响使输出电阻减小1+AF倍电流负反响使输出电阻增添1+AF倍.自激振荡产生的原由和条件产生自激振荡的原由附带相移将负反响转变成正反响。产生自激振荡的条件假设表示为幅值和相位的条件那么为：第八章信号的运算与办理分析依照-“虚断和“虚短一.根本运算电路反对比率运算电路R2=R1/Rf同对比率运算电路R2R1/Rf=反相乞降运算电路R4R1/R2R3/Rf=/页脚下载后可删除，若有侵权请见告删除！同相乞降运算电路R1R2/R3R4Rf/R5/=加减运算电路R1R2/RfR3/R4R5/=/二.积分和微分运算电路积分运算微分运算第九章信号发生电路一.正弦波振荡电路的根本看法产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反响)自激振荡的均衡条件:即幅值均衡条件：相位均衡条件：起振条件:幅值条件：相位条件:正弦波振荡器的构成、分类正弦波振荡器的构成放大电路-建立和保持振荡。正反响网络-与放大电路共同满足振荡条件。选频网络-以选择某一频率进展振荡。稳幅环节-使波形幅值稳固，且波形的形状优异。页脚下载后可删除，若有侵权请见告删除！正弦波振荡器的分类RC振荡器-振荡频率较低,1M以下;LC振荡器