电力电子重点技术及答案

1、模拟题（1）一.填空题（每小空1分，共13分）1 .正弦脉宽调制（SPWM ）技术运用于电压型逆变电路中，当变化调制比可变化逆变器输出电压幅值；变化调制波频率_可变化逆变器输出电压频率；变化_载波频率 可变化开关管日勺工作频率。将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网勺逆变电路 称为有源 逆变器。晶闸管变流器主电路规定角发电路勺触发脉冲应具有一定勺宽度，且前沿尽量陡电流型逆变器中间直流环节以电感 贮能。在PWM斩波器中，电压比较器两个输入端信号分别是三角波信号和直流信号6 .三相半波可控整流电路中日勺三个晶闸管日勺触发脉冲相位 按相序依次互差。在实际应用中，双向晶闸管常采用 i+和 m-_两种

2、 触发方式。控制角a与逆变角B之间日勺关系为 B = h-。二、单选题（每题2分，共30分。从每题的四个备选选答 案，选出一种对的答案，并将对的答案的号码填在题干背面的括 号内。）1 .在型号为KP10-12G中，数字10表达（B ）。A.额定电压10VB.额定电流10AC.额定电压1000VD.额定电流1000A2.下列电路中，不可以实既有源逆变日勺有（B）。A.三相半波可控整流电路B.三相桥式半控整流电路C.单相桥式可控整流电路D.单相全波可控整 流 电 路 外 接续流 二 极 管3 .整流变压器漏抗对电路日勺影响有（A ）。A.整流装置日勺功率因数减少B.输出电压脉动减小C.电流变化缓和

3、D.引起相间短路4 .功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变B勺现象 称为(B )一次击穿二次击穿临界饱和反向截止逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一种管芯上而 成(B )大功率三极管逆阻型晶闸管双向晶闸管可关断晶闸管已经导通了勺晶闸管可被关断勺条件是流过晶闸管勺电流 (A )减小至维持电流：h如下减小至擎住电流II如下减小至门极触发电流Ig如下减小至5A如下单相半波可控整流电路中，晶闸管也许承受勺反向峰值电压为 (B )U应22显U 2J&U 2单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一种续流二极 管日勺目日勺是（D ）增长晶闸管B勺导电能力克制温漂增长输出电压稳定性避免

4、失控现象勺产生三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值Ud勺体现式是（A ）U=-2.34U cos$U =1.17U cosP Ud= 2.34U2cosP Ud=-0.9U2cosB若减小SPWM逆变器输出电压基波幅值，可采用勺控制措施是 （C ）减小三角波频率减小三角波幅度减小输入正弦控制电压幅值减小输入正弦控制电压频率当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（B ）A.导通状态B.关断状态C.饱和状态 D.不定单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角a日勺最大移相 范畴是（D ）A.90B.120C.150D.180单相全控桥式整流大电感负载

5、电路中，控制角a日勺移相范畴 是（A ）A.0 90B.0 180C.90 180D.180 360在大电感负载三相全控桥中，当a=90。时，整流电路B勺输出是（B ）A.U2B.0C.1.414U2D.1.732U2单结晶体管同步振荡触发电路中，变化R能实现（A ）。A.移相B.同步C.C.增大脉冲宽度D.增大脉冲幅值模拟题2电力电子技术试卷答案一填空（每空1分，36分）1、请在对B勺B勺空格内标出下面元件B勺简称：电力晶体管GTR ；可关断晶闸管空_ ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ； IGBT是 MOSFET和 GTR勺复合管。2、 晶闸管对触发脉冲勺规定是

6、要有足够勺驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高 和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步3、多种晶闸管相并联时必须考虑 均流 勺问题，解决勺措施是串专用均流电抗器4、在电流型逆变器中，输出电压波形为 正弦波 ，输出电流波形为方波？。5、 型号为KS100-8 B勺元件表达双向晶闸管 晶闸管、它B勺额定电压为 800V 伏、额定有效电流为100A 。6、180导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂 上勺上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变 电路，晶闸管换相是在 不同桥臂上勺元件之间进行勺。7、 当温度减少时，晶闸管勺触发电流会增长、正反向漏电流会 下降 _；当温度升高时，晶闸管勺触发电流会 下 巴、正反向漏电流会增长8、在有环流逆变系统中，环流指勺是只流经?逆变电源、.逆变桥而不流经负载 勺电流。环流可