掺杂对薄膜的影响

1、AnwellPAnwellP&MGroup1Maki ng the IMPOSSIBLE possible1Maki ng the IMPOSSIBLE possible、P 层掺杂关于薄膜性能的影响CH 掺杂关于薄膜性能的影响4CH /SiH流量比关于薄膜沉积速率的影响44（a）报道来源：汪沁等.p-i-n 型非晶硅薄膜电池p 层材料制备及光学能研究J.大连理工大学学报，2011，54（ 1）： S1-S4.1 不同捧委比例卜的沉枳越率结论：随着掺杂比（CH4/SiH4）（299kJ/mol）相比而言较高（413kJ/mol）,；其二，而言具有较低的吸附系数。CH/SiH流量比关于薄膜电学性

2、能（电导率）的影响44（a）PECV 法治备P 及多晶硅薄膜。薄膜样本光学禁带宽度、薄換厚度与光电导率的计算数值REeV1/5幔度伽REeV1/5幔度伽光电导2/51.98m3/52.16455/5223120.9106.75.65X101.88X101.&OX01014114.20.722Maki ng the IMPOSSIBLE possible2Maki ng the IMPOSSIBLE possible1/52/53/54/55/53-8 C 比/Si 比的关系结论：随着甲烷掺杂浓度的增大，电导率逐渐降低，说明掺碳关于电导率有预 制的作用。CH/SiH流量比关于薄膜光学性能（光学带

3、隙、透过率）的影响44CH/SiH流量比关于薄膜光学带隙的影响443-8 光学带隙与CH+/SiH,的关系（a）3-8 光学带隙与CH+/SiH,的关系结论：随着甲烷掺杂浓度的增大，薄膜的光学带隙逐渐增大。原因是随着碳 掺杂的增大，C-H 键和C-Si 键逐渐增多，C-H 键和C-Si 键的键能相比于Si-Si 键键能都要高， 因此随着 C 掺量的增加高能键密度也增加，导致光学带隙增大。3Maki ng the IMPOSSIBLE possible3Maki ng the IMPOSSIBLE possibleCH/SiH流量比关于薄膜透过率的影响44PECV法治备P多晶硅薄膜。波 K /n

4、rnUi 的溥腿遥过率图谄I#R-I/5;2#R-2/5;3#R-3/5;曲R*4/S;5#尺一5F5结论：随着C 掺杂含量的增加，薄膜的透过率也逐渐增大。原因是 C 掺量 的增加，导致光学带隙的增大，使薄膜吸收边向短波长方向移动， 透射率也就增 大。BH掺杂关于薄膜性能的影响B 2耳掺杂关于薄膜沉积速率的影响.硼掺杂关于热丝CVJ.,2012,32(6):509-513.“w“w0.440.420.40(I.3K-.36-0.3斗-0.32344 薄膜沉枳速率与掺朵比例的关系结论：随着硼烷掺杂浓度增加，薄膜的沉积速率逐渐降低。122 BH 掺杂关于薄膜电学性能的影响26.J.学报，2003,

5、9(2):150-154.6(Ml mi0.1JO2LLO 価 t.OOfi MW6Fig* 4 VarieU nt I 呻 ariihm wf film conu( liviu oping ratio 1B：H&/SiH+4 样晶电导率关于址随硼烷R 的变化规律Maki ng the IMPOSSIBLE possibleAnwellAnwellP&MGroup PAGE 5 PAGE 5Maki ng the IMPOSSIBLE possible.硼掺杂关于热丝CVJ,2012,32(6):509-513.H Y 率。再掺孕比侧的天系结论：随着硼烷掺杂浓度的增加，薄膜的电导率增大，光暗电

6、导比大幅度降 低，原因是随着硼烷掺杂的增加，薄膜中的载流子浓度增大，电导率就会增加。BH 掺杂关于薄膜光学性能(消光系数和吸收细数、光学带隙、26折射率)的影响B 6掺杂关于薄膜消光系数和吸收细数的影响.掺硼pJ.,2010,28:296-304.AnwellPAnwellP&MGroup PAGE 7Maki ng the IMPOSSIBLE possible PAGE 7Maki ng the IMPOSSIBLE possible300 m 700 WU WO I woInmSO 700 8WlWE4H iV.Kli9A*Kllh阉雲协河绷烷的里：II；*韻?品直懂做凤監價浊结论：随着

7、波长的增大，消光系数和吸收系数都在减少；随着硼烷掺杂浓度 的升高,薄膜的消光系数和吸光系数都在增大。所以低浓度掺杂有利于让更多的 光经过窗口层，提高电池性能。BH 掺杂关于薄膜光学带隙的影响26.硼掺杂关于热丝CVJ,2012,32(6):509-513.6 薄膜光学带隙陷与掺杂比例的关系研究。9 58 51Xi .119 58 51Xi 珂烷，硅烷十甲辭量比10 C H 簿饌）t 学带隙人BaHy （SiHcKH*流龜比关系罔，BH 掺杂关于薄膜折射率的影响26（a）.掺硼p J. ，2010,28:296-304.J 卜罔關烷廉卑比沉険的牢间龊诽帛阿折剧辜曲线结论：随着掺杂浓度的增加，薄膜

8、的折射率先增大后降低。AnwellPAnwellP&MGroup二、N 层掺杂关于薄膜性能的影响Pf掺杂关于薄膜性能的影响PH 掺杂关于薄膜沉积速率的影响3PIN。Bt| lit kii11o If UM用4.6 n层沉积速率葩梅朵诙段变化圈结论：随着PH 掺杂量的增大，沉积速率变化不大。PH 掺杂关于薄膜电学性能的影响3PIN制备及研究。Maki ng the IMPOSSIBLE possibleAnwellPAnwellP&MGroupp=2CWn-joorp=2CWn-joorFT =12Mccmgg41T 11i tit4J n 展暗电导率曲抄杂報度变化图1I样本暗电导率及结构有瘁度

9、与琪播杂灵度的关系arkconuctivityanstructure1I样本暗电导率及结构有瘁度与琪播杂灵度的关系arkconuctivityanstructure(irrinepenenceofopingcontcnr11石0-40.30.73L0 L3S1.5Mcinm-rance (Hlcrin O16017arkconuctivityn(Scm-1)U M 0 3口M0.201220.222.4? x 1(? S41 - 10 1A (IK 7 |0J2.7a itr1PIN备与特性研究研究。Maki ng the IMPOSSIBLE possible9AnwellAnwellP&M

10、Group10f101”10 T IT ITr II IF I 0OS1.012141.68a-SiH4PHl/SiH4PH+/SiH4(%)结论：随着PH3掺量的不断增加，薄膜的电阻率逐渐减少，电导率逐渐增大， 这是因为PH3掺量增加，导致薄膜中的载流子增大，电阻率就会降低，电导率就 会增大。但随着掺杂量的再度增加，薄膜的电阻率不再降低，电导率不再增大， 这是因为当PH 掺3杂过量时，部分磷原子取代 H原子直接形成Si-P键,减少了 缺陷态密度而使得薄膜的导电性能下降。2.1.3 PH掺杂关于薄膜光学性能的影响3PH掺杂关于薄膜透光率的影响3PECV1#=0.4%,2#=0.5%,3#=0.75%4#=1.0%,5#=1.25%, 6#=1.50%。Maki ng theIMPOSSIBLE possible10 PAGE 11 PAGE 11Maki ng the IMPOSSIBLE possibleaClJtiqaCl结论：罔 3平同瞬播朵浓摩