模拟电子技术模电课件第6讲

1、PNP型管结构PNP型管结构示意图NPN型管结构示意图NPN管的电路符号PNP管的电路符号集成集成电路中典型NPN型BJT的截面5.1.2 5.1.2 放大状态下BJT的工作放大状态下BJT放大状态下BJT载流子的传输过程发射区形成发极电流集电区收形成集电极电流载流子在基区扩散P复合形成复合电流三极管的放大作用的实现在一定的外部条件控制下流子传输实现的外部条件发射结正偏1集电结发射区发射区形成发极电流集电区收集载流子形成集电载流子在基区扩散P复合形成复合电流三极管的放大作用依靠它的发射极电流能够通过传输然后到达集电极而实现的条件发射区杂质浓度大于基区杂质浓度区很薄2. BJT2. BJT的三种

2、组态共发射极接法发射极作为公共电极用CE表示共基极接法，基极作为公共电极用CB表示共集电极接法集电极作为公共电极用CC表示共基组态下的电流分配关系根据传输过程可知IE=IB+IC=ICN+共基组态下的电流分配关系根据传输过程可知IE=IB+IC=ICN+ 传输到集电极的为组态的电流设发射极注入电流它只P管子的结构尺和I即浓度有关P外电压无一般= 0.90.99 I则C通ICIE共射组态下的电流分配关系II = + I =I +根CICE111II共射组态下的电流分配关系II = + I =I +根CICE111IIICBB=(1+电流其I)1I时则 当 CIIBB是共射组态的电流放它也只P管子

3、的结构尺和掺杂浓度有关P外一般15.共基极放大电路使 iE5.共基极放大电路使 iE10.98时若 vIiC=iE =-0.98mAvO =-iCRL=0.98则 电压放大倍数AvI共射组态下BJT的V-特性曲线iB共射组态下BJT的V-特性曲线iB=f(vBE)1. 输入特性曲当vCE=0V时相当于发射结的正向伏安特性曲线当vCE1V时vCBvCE- vBE0集电结已入偏状态始收集电子基区复合减少同样的vBEIB减小特性曲线右移输出特性输出特性输特性曲线的三个区域:饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般(硅管发射结正偏，集电结l偏或反偏电压很小截k区：iC接近零的区域，相当的曲线

4、的下方vBE小于死区电压放大区i 平行于轴的区域，曲线基C平行等距发射结正偏，集电结偏输出特性曲线的意义输出特性曲线的意义改变基极电流BJT的要参数1. 电流放大BJT的要参数1. 电流放大系共发射极直流电流放大系数=ICICEO/IBIC / IB 共发射极交流电流放大系数PiC的关系共基极直流电流放大系数 共基极直流电流放大系数 共基极交流电流放大系数当ICBO和ICEO很小时 1 可以 极间极间向集电极基极间向饱和电流发射极开路时集电结的向饱和电流集电极集电极发射极间的向饱和电流ICEO=1+ 极限参极限参集电极最大允许电流集电极最大允许率损耗PCM=向击穿向击穿V(BR)CBO发射极开路时的的向击穿电压EBO集电极开路时发射结的向击穿电压V(BR)CEO基极开路时集电V(BR)CBOV(BR)CEOV(BR) 温度对BJT参数及特性的影响温度对温度对BJT参数及特性的影响温度对BJT参数的影响温度对ICBO的影温度每升高10，ICBO约增加一倍温度对 的影温度每升高1，值约增大(3) 温