医学影像学 三极管课件

1、第三节 晶体三极管组成：由两组靠得很近的PN结组成，具有放大功能。一、晶体三极管的结构两种类型：NPN型和PNP型三个区域：发射区、基区、集电区三个电极：发射极e、基极b、集电极cNPN发射区基区集电区发射极基极集电极PNP发射区基区集电区发射极基极集电极JeJcJeJc两个结：发射极e符号：两个结：发射结Je(b、e)、集电结Jc(b、c)工作条件：发射结正偏：集电结反偏：箭头方向电流方向基极正基极负发射极负集电极正NPNbecPNPecb制作特点：1）发射区杂质浓度远大于集电区和基区，以利于发射区发射载流子.2）集电区比发射区大,以利于收集载流子（电子）.3）基区厚度很薄,且掺杂很少,以利

2、于载流子通过基区的时间缩短,减少载流子在基区复合.三极管判别:1) 根据标号鉴别2) 管脚鉴别3) 理论上鉴别：正偏：正向电阻小反偏：反向电阻大例1、三极管电极的判断 用万用表测得某三极管三个极对地电位分别为V17V，V22V，V32.7V，试判断此三极管的类型和引脚名称。思路：本题依照以下思路分析： (1) 基极一定居于中间电位；(2) 按照VBE0.20.3V或VBE0.60.7V 可找出发射极e ，并可确定出锗管或硅管；(3) 余下第三脚必为集电极；(4) 若VCE0为NPN型管，VCE 0为PNP型管。解：由以上思路，可知： 1脚为集电极，2脚为发射极，3脚为基极；管子类型为PNP型硅

3、管。发射区杂质浓度大，基区薄且杂质浓度低，集电区杂质浓度很低。因此发射结正偏时，发射区有大量的载流子进入基区，且在基区被复合的数量有限，大部分被集电极所吸收，所以此时的放大倍数大，如果把射极和集电极调换使用，则集电结正偏时，集电区向基区发射的载流子数量有限，在基区被复合后能被发射极吸收的载流子比例很小，所以反向电流放大系数很小。2.判断方法 (1)先确定基极 万用表调至欧姆100或1k挡，随意指定一个管脚为基极，把任一个表笔固定与之连接，用另一表笔先后测出剩下两个电极的电阻，若两次测得电阻都很大（或很小）；把表笔调换一下再测一次，若测得电阻都很小（或很大），则假定的管脚是基极。若基极接红表笔时

4、两次测得的电阻都很大，则三极管为NPN型，反之为PNP型。2)判断集电极 在确定了基极和三极管的类型之后，可用电流放大倍数的大小来确定集电极和发射极，现以NPN型三极管为例说明判断的方法先把万用表的黑笔与假定的集电极接在一起，并用一只手的中指和姆指捏住，红表笔与假定的发射极接在一起，再用捏集电极的手的食指接触基极，记下表针偏转的角度，然后两只管脚对调再测一次。这两次测量中，表针偏转角度大的一次，假设是对的。这种测试的原理如图3所示。当食指与基极连接时，通过人体电阻给基极提供一个电流IB，经放大后有较大的电流流过表头，使表针偏转，大，表针偏转角度就大。因为R, 所以表针偏转角度大的一次假设是正确

5、的。 晶体三极管内载流子的运动规律（NPN)工作条件： 发射结正偏， 集电结反偏。发射结正偏，耗尽层变窄，浓度较高发射区电子源源不断注入基区，形成发射极电流IE(与电子流反向）。电子流空穴流，故IE以电子流为主。1、发射区向基区注入载流子的过程。2、电子在基区中扩散和复合的过程进入基区多数载流子继续向集电极扩散，少数发生复和，复合掉空穴由外电源补充，形成基极电流IB共基极ICBOICn三、晶体三极管的电流分配和放大作用（NPN）故共基极电流 放大系数值稍微小于1共基极1、共基极电路的电流分配关系和放大作用电流分配关系：2、共发射极电路的电流分配关系把上式整理成 的关系式ceb取：ICEO穿透电流很小共射电流放大系数uAmAVVJe、Jc结均正偏，相当于两个二极管并联。如图所示。bceIB(uA)UBE(V)2)UCE=1V时，输入曲线 Je正偏，Jc反偏，IC较大，IB较小，UCE增大，曲线右移。1) UCE=0时，IB与UBE的关系曲线UCE3）UCE1V时，基区电子已绝大部分拉入集电区，曲线不再变