pcb内层基础介绍

1、内层基础介绍制程目的(FCC198410pcb lay-out制作流程依产品的不同现有三种流程Print and Etch发料钻对位孔铜面处理影像转移蚀刻剥膜Post-etch Punch发料铜面处理影像转移蚀刻剥膜冲工具孔Drill and Panel-plate发料钻孔通孔（PTH）电镀影像转移蚀刻剥膜(buried hole汰，厂内目前使用第二种( Post-etch 发料但以下几点须注意：铜面处理在印刷电路板制程中，不管那一个step，铜面的清洁与粗化的效果，关系着下 一制程的成败，看似简单的一道制程，其实里面的学问颇大。须要铜面处理的制程有以下几个干膜压膜内层氧化处理前钻孔后化学铜前

2、镀铜前(Brush)(Brush)(Pumice)以下即做此三法的介绍C. 刷磨法4.1注意事项a. 刷轮有效长度都需均匀使用到, 否则易造成刷轮表面高低不均金手指镀镍及其它任何表面须另行处理的制程前c. f. g.采用化学药液加压处理方式。优点成本低缺点薄板细线路板不易进行基材拉长，不适内层薄板刷痕深时易造成D/F有残胶之潜在可能喷砂法pumice优点：表面粗糙均匀程度较刷磨方式好尺寸安定性较好缺点：Pumice机器维护不易化学法有几种选择，见表 .结纶使用何种铜面处理方式，各厂应以产品的层次及制程能力来评估之，并无定论，但可预知的是化学处理法会更普遍，因细线薄板的比例愈来愈高。影像转移印刷

3、法前言(Silk Screen (Thick (Hybrid Circuit(ChipResist )、及表面黏装(Surface Mounting)之锡膏印刷等也都优有应用。b.单面板之碳墨或银胶c.双面板之线路,防焊d.湿膜印刷e.内层大铜面f.文字g.可剥胶(Peelable ink)(Screen Printing)简介网布材料(nylon)(PolyesterPlain Weave.(mesh)(thickness),线径(diameter)(opening)的关系开口:网目数:每inch 或 cm 中的开口数线径: 网布织丝的直径 网布,Slight(S),Medium(M),Th

4、ick(T),Half heavy duty(H),Heavyduty(HD),Super heavy duty(SHD) b.网版(Stencil)的种类(Direct Stencil)(Indirect Stencil)c. 油墨油墨的分类有几种方式(UV)样.d. 印刷作业网版印刷目前有三种方式:手印、半自动印及全自动印刷. 手印机须要印刷熟 手则除 loading/unloading3/4loadingRackpinningccd张力直接影响对位,因为印刷过程中对网布不断拉扯, 因此新网张力的要求非常重要，一般张力测试量五点,即四角和中间.刮刀Squeege刮刀的选择考量有三，第一是材

5、料，常用者有聚氨酯类(Polyure-thane，简称 PU)。第二是刮刀的硬度，电路板多使用Shore A6080708060703/41需要将刮刀重新磨利才行，需且刮刀刃线上不可出现缺口，否则会造成印刷的缺陷。对位及试印此步骤主要是要将三个定位pin(Off Contact Distance)( 指版膜到基板铜面的距离，应保持在2m/m5m/mpinningccd烘烤follow sheet,再依厂内制程条件的差异而加以modify.一般因油墨组成不一， 烘烤方式有风干,UV,IR注意事项不管是机印或手印皆要注意下列几个重点括刀行进的角度，包括与版面及平面的角度，须不须要回墨.固定片数要洗

6、纸,避免阴影.待印板面要保持清洁每印刷固定片数要抽检一片依 check list 检验品质.干膜法(Laminator0.1mm皱曝光时注意真空度曝光机台的平坦度显影时Break point5070%30+_2,须 auto dosing4 蚀刻现业界用于蚀刻的化学药液种类，常见者有两种，一是酸性氯化铜(CuCl2)蚀刻液，一种是碱性氨水蚀刻液。 是抗电镀之用或抗蚀刻之用。在内层制程中D/F 是用于盖孔及保护客户设计之图形电路用，在蚀刻后被剥除，故一定要用酸性蚀刻液。B. 设备及药液控制两种 EtchantPVC (Poly Vinyl PP (Poly )。唯一可使用之金属是钛 (Ti)。为

7、了得到很好的蚀刻品质最笔直的线路侧壁,(衡量标准为蚀刻因子 etching 有不同的观点，且可能相冲突。 但有一点却是不变的基本观念，那就是以最快速度的让欲蚀刻铜表面接触愈多新鲜的蚀刻液。因为作用之蚀刻液Cu+浓度增高降低了蚀刻速度，须迅化学反应。以下为内层制作，介绍相关酸性蚀刻之内容。CuCl2铜可以三种氧化状态存在，原子形成 Cu, 蓝色离子的Cu+以及较不常见的亚铜离子 Cu+。金属铜可在铜溶液中被氧化而溶解，见下面反应式（1）Cu+Cu+2 Cu+(1)在酸性蚀刻的再生系统，就是将 Cu+氧化成Cu+,因此使蚀刻液能将更多的金属铜咬蚀掉。以下是更详细的反应机构的说明。反应机构直觉的联想

8、，在氯化铜酸性蚀刻液中，Cu+及 Cu+应是以CuCl 及 CuCl 存在才对，2但事实非完全正确，两者事实上是以和HCl 形成的一庞大错化物存 在的：Cu +H2CuCl4 + 2HCl 2H2CuCl3(2)金属铜铜离子亚铜离其中H2CuCl4 实际是 CuCl2 + 2HCl2H2CuCl3实际是 CuCl + 2HCl在反应式(2)中可知HCl 是消耗品。即使(2)式已有些复杂，但它仍是以下两个反应式的简式而已。Cu+ H2CuCl4 2H2CuCl3 + CuCl 不 溶)(3)CuCl + 2HCl 2H2CuCl3 可)(4)式中因产生CuClHCl 的存在溶解 持了蚀刻的进行。

9、由此可看出HCl化学品。虽然增加HCl 的浓度往往可加快蚀刻速度，但亦可能发生下述的缺点。侧蚀 (undercut ) 增大，或者etching factor若补充药液是使用氯化钠，则有可能产生氯气，对人体有害。有可能因此补充过多的氧化剂 (H2O2)，而攻击钛金属H2O2 。自动监控添加系统. 目前使用CuCl2dosing比重HClH2O2温度蚀刻速度剥膜剥膜在pcb 制程中，有两个step 会使用，一是正片制程蚀刻后之D/F 剥除，二是负片制程蚀刻前D/F 剥除(若外层制作为负片制程)D/F 的剥除是一单纯简易的制程，一般皆使用联机水平设备，其使用之化学药液多为NaOH 或 KOH 浓

10、度在 13%重量比。注意事项如下：有些设备设计了轻刷或超音波搅拌来确保剥膜的彻底，尤其是在外层蚀刻后 的剥液中加入BCS因 K(钾)会攻击锡，因此外层线路蚀刻前之剥膜液之选择须谨慎评估。剥膜液为碱面过度氧化而影响下制程的品质。对位系统传统方式四层板内层以三明治方式，将 2.3 层底片事先对准,黏贴于一压条上(和内层同厚), 紧贴于曝光台面上，己压膜内层则放进二底片间, 靠边即可进行曝光。(post Etch Pin Lam此方法的原理较简单，内层预先冲出4 个 Slot 孔，包括底片， prepreq 都沿用此冲孔系统，此 4 个 SLOT 孔，相对两组，有一组不对称， 可防止套反。每个SLOT 孔当置放圆PIN 后，因受温压会有变形时，仍能自由的左右、上下伸展，但中心不变，故不会有应力产生。待冷却，压力释放后，又回复原尺寸，是一颇佳的对位系统。Mass Lam System沿用上一观念Multiline 发展出蚀后冲孔式的 PPS 系统，其作业重点如下：透过CAM(Optical 蚀刻后已有两光学靶点的内层板，放进Optiline PECCD靶点，依各厂自行设定，冲出板边 4 个 Slot 孔或其它图形工具孔。册，再去进行无梢压板。各层间的对准度同心圆的观念利用辅助同心圆，可check不同内层同心圆的偏位表示压合时候的