FLASH芯片种类与区别

Flash芯片的种类与区别一、IICEEPROMIICEEPROM，采用的是IIC通信协议。IIC通信协议具有的特点：简单的两条总线线路，一条串行数据线（SDA）,—条串行时钟线（SCL）；串行半双工通信模式的8位双向数据传输，位速率标准模式下可达100Kbit/s；—种电可擦除可编程只读存储器，掉电后数据不丢失，由于芯片能够支持单字节擦写，且支持擦除的次数非常之多，一个地址位可重复擦写的理论值为100万次，常用芯片型号有AT24C02、FM24C02、CAT24C02等，其常见的封装多为DIP8,SOP8，TSSOP8等；二、SPINorFlashSPINorFlash，采用的是SPI通信协议。有4线（时钟，两个数据线，片选线）或者3线（时钟，两个数据线）通信接口，由于它有两个数据线能实现全双工通信，因此比IIC通信协议的IICEEPROM的读写速度上要快很多。SPINorFlash具有NOR技术FlashMemory的特点，即程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行；可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以Sector为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对Sector或整片进行预编程和擦除操作。NorFlash在擦写次数上远远达不到IICEEPROM，并且由于NOR技术FlashMemory的擦除和编程速度较慢，块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间会很长；但SPINorFlash接口简单，使用的引脚少，易于连接，操作方便，并且可以在芯片上直接运行代码，其稳定性出色，传输速率高，在小容量时具有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为FLASHROM，所以在市场的占用率非常高。常见到的S25FL128、MX25L1605、W25Q64等型号都是SPINorFlash，其常见的封装多为SOP8，SOP16，WSON8，US0N8，QFN8、BGA24等。三、ParallelNorFalsh（CFIFlash）ParallelNorFalsh，也叫做并行NorFlash，采用的Parallel接口通信协议。拥有独立的数据线和地址总线，它同样继承了NOR技术FlashMemory的所有特点；由于采用了Parallel接口，ParallelNorFalsh相对于SPINorFlash，支持的容量更大，读写的速度更快，但是由于占用的地址线和数据线太多，在电路电子设计上会占用很多资源。ParallelNorFalsh读写时序类似于SRAM，只是写的次数较少，速度也慢，由于其读时序类似于SRAM，读地址也是线性结构，所以多用于不需要经常更改程序代码的数据存储。常见到的S29GL128、MX29GL512、SST39VF020等型号都是ParallelNorFlash,其常见的封装多为TSSOP32、TSOP48、BGA64,PLCC32等。四、ParallelNandFlashParallelNandFlash同样采用了Parallel接口通信协议，NandFlash在工艺制程方面分有三种类型：SLC、MLC、TLC。NandFlash技术FlashMemory具有以下特点：以页为单位进行读和编程操作，以块为单位进行擦除操作；具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms，而NOR技术的块擦除时间达到几百ms；芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bitcost)最低的固态存储器;芯片包含有坏块，其数目取决于存储器密度。坏块不会影响有效块的性能，但设计者需要有一套的坏块管理策略!对比ParallelNorFalsh，NandFlash在擦除、读写方面，速度快，使用擦写次数更多，并且它强调更高的性能，更低的成本，更小的体积，更大的容量，更长的使用寿命。这使NandFlash很擅于存储纯资料或数据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统。其主要用来数据存储，大部分的U盘都是使用NandFlash，当前NandFlash在嵌入式产品中应用仍然极为广泛，因此坏块管理、掉电保护等措施就需要依赖NandFlash使用厂家通过软件进行完善。常见到的S34ML01G100、MX30LF2G18AC、MT29F4G08ABADA等型号都是ParallelNandFlash，其常见的封装多为TSOP48、BGA63、BGA107，BGA137等。五、SPINandFlashSPINandFlash，采用了SPINorFlash一样的SPI的通信协议，在读写的速度上没什么区别，但在存储结构上却采用了与ParallelNandFlash相同的结构，所以SPInand相对于SPInorFlash具有擦写的次数多，擦写速度快的优势，但是在使用以及使用过程中会同样跟ParallelNandFlash一样会出现坏块，因此，也需要做特殊坏块处理才能使用；SPINandFlash相对比ParallelNandFlash还有一个重要的特点，那就是芯片自己有内部ECC纠错模块，用户无需再使用ECC算法计算纠错，用户可以在系统应用当中可以简化代码，简单操作；常见到的W25N01GVZEIG、GD5F4GQ4UBYIG、F50L1G41A等型号都是SPINandFlash，其常见的封装多为QFN8、BGA24等。NorFLASHNorFLASH使用方便，易于连接，可以在芯片上直接运行代码，稳定性出色，传输速率高，在小容NorFLASHNorFLASH使用方便，易于连接，可以在芯片上直接运行代码，稳定性出色，传输速率高，在小容六、eMMCFlasheMMC采用统一的MMC标准接口，自身集成MMCController,存储单元与NandFlash相同。针对Flash的特性，eMMC产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，Flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术°MMC接口速度高达每秒52MBytes，eMMC具有快速、可升级的性能，同时其接口电压可以是1.8v或者是3.3v。eMMC相当于NandFlash+主控IC，对外的接口协议与SD、TF卡一样，主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说，同样的重要。eMMC由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC(多媒体卡)接口、快闪存储器设备(NandFlash)及主控制器，所有都在一个小型的BGA封装，最常见的有BGA153封装;我们通常见到的KLMAG8DEDD、THGBMAG8B4JBAIM、EMMC04G-S100等型号都是eMMCFlash。eMMCFlash存储容量大，市场上32GByte容量都常见了，其常见的封装多为BGA153、BGA169、BGA100等。七、USF2.0JEDEC在2013年9月发布了新一代的通用闪存存储器标准USF2.0，该标准下得闪存读写速度可以高达每秒1400MB，这相当于在两秒钟内读写两个CD光盘的数据，不仅比eMMC有更巨大的优势，而且它甚至能够让电脑上使用的闪存存储介质固态硬盘也相形见绌。UFS闪存规格采用了新的标准2.0接口，它使用的是串行界面，很像PATA、SATA的转换，并且它支持全双工运行，可同时读写操作，还支持指令队列。相对之下，eMMC是半双工，读写必须分开执行，指令也是打包，在速度上就已经是略逊一筹了，而且UFS芯片不仅传输速度快，功耗也要比eMMC5.0低一半，可以说是日后旗舰手机闪存的理想搭配。目前仅有少数的半导体厂商有提供封装成品，如三星、东芝电子等SPIFLASHNANDFLASH和NORFLASH的关系前言：在嵌入式开发中，如uboot的移植，kernel的移植都需要对Flash有基本的了解。下面细说一下标题中的中Flash中的关系一，Flash的内存存储结构flash按照内部存储结构不同，分为两种：norflash和nandflash量时有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为FLASHROM。相对于NorFLASH,NandFLASH强调更高的性能，更低的成本，更小的体积，更长的使用寿命。这使NandFLASH很擅于存储纯资料或数据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统。1，NandFlash在工艺制程方面分NANDflash有两种类型：MLC和SLC。MLC和SLC属于两种不同类型的NANDFLASH存储器。SLC全称是Single-LevelCell，即单层单元闪存，而MLC全称则是MMulti-LevelCell，即为多层单元闪存。它们之间的区别，在于SLC每一个单元，只能存储一位数据,MLC每一个单元可以存储两位数据，MLC的数据密度要比SLC大一倍。在页面容量方面分NAND也有两种类型：大页面NANDflash（如：HY27UF082G2B）和小页面NANDflash（如：K9F1G08U0A）。这两种类型在页面容量，命令序列、地址序列、页内访问、坏块标识方面都有很大的不同，并遵循不同的约定所以在移植驱动时要特别注意。2，NorFlash在通信方式上NorFlash分为两种类型：CFIFlash和SPIFlasha，CFIFlash英文全称是commonflashinterface，也就是公共闪存接口，是由存储芯片工业界定义的一种获取闪存芯片物理参数和结构参数的操作规程和标准。CFI有许多关于闪存芯片的规定，有利于嵌入式对FLASH的编程。现在的很多NORFLASH都支持CFI，但并不是所有的都支持。CFI接口，相对于串口的SPI来说，也被称为parallel接口，并行接口；另外，CFI接口是JEDEC定义的，所以，有的又成CFI接口为JEDEC接口。所以，可以简单理解为：对于NorFlash来说，CFI接口=JEDEC接口=Parallel接口=并行接口b，SPIFlashserialperipheralinterface串行外围设备接口，是一种常见的时钟同步串行通信接口。c，CFIFlash和SPIFlash比较SPIflash和CFIFlash的介质都是Norflash，但是SPI是通过串行接口来实现数据操作，而CFIFlash则以并行接口进行数据操作，SPI容量都不是很大，市场上CFIFlash做大可以做到128Mbit，而且读写速度慢，但是价格便宜，操作简单。而parallel接口速度快，容量上市场上已经有1Gbit的容量，价格昂贵NandFlash，NorFlash，CFIFlash，SPIFlash之间的关系前言：在嵌入式开发中，如uboot的移植，kernel的移植都需要对Flash有基本的了解。下面细说一下标题中的中Flash中的关系一,Flash的内存存储结构flash按照内部存储结构不同，分为两种：norflash和nandflash。量时有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为FLASHROM。相对于NorFLASH,NandFLASH强调更高的性能，更低的成本，更小的体积，更长的使用寿命。这使NandFLASH很擅于存储纯资料或数据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统。1，NandFlash在工艺制程方面分NANDflash有两种类型：MLC和SLC。MLC和SLC属于两种不同类型的NANDFLASH存储器。SLC全称是Single-LevelCell，即单层单元闪存，而MLC全称则是MMulti-LevelCell，即为多层单元闪存。它们之间的区别，在于SLC每一个单元，只能存储一位数据,MLC每一个单元可以存储两位数据，MLC的数据密度要比SLC大一倍。在页面容量方面分NAND也有两种类型：大页面NANDflash（如：HY27UF082G2B）和小页面NANDflash（如：K9F1G08U0A）。这两种类型在页面容量，命令序列、地址序列、页内访问、坏块标识方面都有很大的不同，并遵循不同的约定所以在移植驱动时要特别注意。2，NorFlash在通信方式上NorFlash分为两种类型：CFIFlash和SPIFlash。a，CFIFlash英文全称是commonflashinterface，也就是公共闪存接口，是由存储芯片工业界定义的一种获取闪存芯片物理参数和结构参数的操作规程和标准。CFI有许多关于闪存芯片的规定，有利于嵌入式对FLASH的编程。现在的很多NORFLASH都支持CFI，但并不是所有的都支持。CFI接口，相对于串口的SPI来说，也被称为parallel接口，并行接口；另外，CFI接口是JEDEC定义的，所以，有的又成CFI接口为JEDEC/r