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学院学院姓名学号任课老师选课号/座位号第第页共10页第第9页共10页解：(1解：(1)由图示的C-V曲线可得：C0=Ci=22pF,Cmin=8.16pF所以，SiO2的厚度为：1As1As£

d二^-r0C01.6x10-7x8.85x10-12x3.922x10-12二2.5x10-7(m)二250nm⑵由于金属和半导体功函数的差别，而引起半导体中的电子的电势能相对于金属提高的数值为：qVms=Ws-WAl，则因此引起的平带电压■sV'=-V=忙厂Ws=—0.1V■sFBmsq计算界面固定电荷密度时应该从负偏压的C-V曲线确定VFb，即曲线(1)，此时移动电荷已经到Al和SiO2的界面，所以，固定电荷密度为:CN=一(V—V)fcAqmsFB1(-0.1+9.8)22(-0.1+9.8)1.6x10-7x1.6x10-19=8.29x10i5(m-2)=8.29x109(cm-2)⑶计算可移动电荷密度，由正负温偏处理后的AV来计算,FB

密封线以内答题无效CAV=—0FBAqx[-9.8-(x[-9.8-(-17)]1.6x10-7x1.6x10-19〜6.2x1

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