采用图腾柱方式驱动MOSFET电路设计_第1页
采用图腾柱方式驱动MOSFET电路设计_第2页
采用图腾柱方式驱动MOSFET电路设计_第3页
采用图腾柱方式驱动MOSFET电路设计_第4页
采用图腾柱方式驱动MOSFET电路设计_第5页
已阅读5页，还剩1页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

采用图腾柱方式驱动MOSFET的电路分析上图为典型的图腾柱输出方式驱动MOSFET的电路。由于前端I/O口的对外驱动能力（一般为十几或者二十几mA）有限，为了提高对MOSFET的驱动能力，因此采用图腾柱电路。由于MOSFET是压控型器件，则GS两端电压只要大于4.5V（导通时的阈值电压）时即可导通，为了使MOSFET可靠导通，则一般要求GS两端的电压要大于12V（不同型号的管子该电压不同），因此要求MOSFET的驱动电压幅值至少要大于12V。此外，由于MOSFET的GS两端存在寄生电容，驱动MOSFET的过程就是对该电容充放电的过程，充电的快慢反应MOSFET导通或关断的速度，而开关的速度又影响了MOSFET的开关损耗及EMI等内容，同时，充电的快慢又由充电电流的大小决定。综上所述，要想驱动MOSFET正常导通和关断，则要考虑驱动幅值电压及对GS两端电容充电电流的大小。

因此，下面分别从驱动MOSFET的幅值电压及充电电流（驱动能力）的大小两个方面来分析该电路。而幅值电压及充电电流与图中的驱动方波的幅值、电源电压Vcc、电阻R2及电阻R3等有关。因此，以下主要通过改变这些参数来验证电路设计的合理性。（1）驱动方波幅值为15V、电源电压为10V、电阻R2=0R。电路如下图所示：10V下图为仿真测试波形:从以上波形可知，在驱动波形为高电平（15V）时，Q1完全饱和导通，其ce间的压降为0V，此时电源电压直接加在点E处，即MOSFET的驱动电压幅值为10V，而不是驱动波形的射极跟随电压14.3V，这样存在的问题是，如果电源电压再小的话，则MOSFET的驱动电压幅值会更低。同时，在驱动波形刚变为高电平时，流过电阻R3有一个尖峰电流，该电流就是对MOSFET的GS端电容充电的电流波形，由于C$电容很小，因此充电时间很短，充满后就不存在充gs电电流，因此该电流波形在很短的时间内为尖峰。（2）驱动方波幅值为15V、电源电压为15V、电阻R2=0R。电路如下图所示：

下图为仿真测试波形:从以上波形可知，在驱动波形为高电平（15V）时，Q1完全饱和导通，其ce间的压降为0V，此时电源电压直接加在点E处，即MOSFET的驱动电压幅值为15V，能满足MOSFET的驱动要求。（3）驱动方波幅值为15V、电源电压为18V、电阻R2=0R。电路如下图所示：18V下图为仿真测试波形:从以上波形可知，在驱动波形为高电平（15V）时，Q1处于放大区，其ce间的压降约为3V，而观察E点波形发现，其幅值为14.3V，跟随Q1的b极驱动波形的幅值。而ce间的压降即为电源电压与E点之间的压差，该压差加在Q1的ce两端会增加Q1的损耗。

(4)驱动方波幅值为15V、电源电压为18V、电阻R2=10K。电路如下图所示：18V下图为仿真测试波形:从以上波形可知，

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 信息产业

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论