芯朋微方案-ac-dc产品线介绍

简称：芯朋微/年出

江苏省创东南大

产品定工艺设 电路设 版图设 检产品定

应用开应用开数据处

单晶硅 刻

老化检 包掩膜制

离子注光 氧化扩薄膜生

WAT

成品晶圆晶圆

球打线球打线

电源和驱动 及解决方

◎公司目前在册121人，拥有多元化的管

博其

员工工作

。其中芯朋 研发中心 均来自 Semi等知名公司。

◎41项 ◎69项 ◎2009年无锡新区“优秀科技创 ◎◎2012年“江苏省知 ◎江苏 合◎质 交

芯朋电源IC不良率不良率）0月 月月

02 知知：SmartDMOS、DC控制等多项国内外专AC/DC产品MOSACDC产品超低待机功耗芯片启

AA 启动时间减少前芯

实现30mW待机的10%载10%载效率比6级能标准5%以上裕损耗 损耗损耗高效：高效：等效输出电容损耗降50精确：逐谐振周期计算最佳谷底导通位置，系统适应性EMI：开启di/dt与dv/dt稳定：不改变CC/CV环路高转换效率快速动态响应输出变化率输出变化率精准CS侦测及保护

高雪崩能力功率CurrentSOA(D=0.01at1

10

原胞结构设计宽SOA 结构设计提升EAS&EAR能度hrs hrs 温 hrs 能

Surge EFT

空气15kV接触

ESDHBM小结：技术轻载效

双☆☆☆☆

双☆☆☆☆

单☆☆开关+智能保护PSR PN8355-PN8360集成700V高雪崩功率MOSFET升De-rating受益于专利Smart受益于专利SmartMOS，经典经典控制平台：PFM提高平均效率+分段Ipk改善音频噪音，满足六级能

PN8355-PN8360控制CV控制策PFM提高平均分段变Ipk解决音频噪

CC控制开环恒流(D2=0.5输入线电压前馈补偿Ipk，提高恒流精 D2*T PN8355-PN8360应用

Bmax

Lp

oFoF

Vn(VV)

V2(RupRlow)

RlowPN8355-PN8360典型型内置典型应参考135V1A7.55V1.2A45V2A《DER835913P04025V2A2PN8366-PN8386 集成700V高雪崩能力功率 升De-rating裕升De-rating裕内置输入电压补偿CV、CC精度3PN8355-PN8370pin-pin兼容，降低电统开发成PN8366-PN8386控制CV控制

谷底开通，功率管开 +QR

消除音频噪

PN8366-PN8386应用R R oBmax

LpNpAenIccn

根据To对输入电压进行CC补偿，FB电根据To对输入电压进行CC补偿，FB电阻可编程输出

Icable

ReV V

Vrn(VoVF)

p，实稳V2.5(RupRlow) low型内置型内置典型参考85V1.2A4.52.55V2A 《DER837015P0162 SSRStandby 专专利高压启动，待机功耗小于频率抖动技术，卓越EMC压 压层VDD欠过压保护、过温保护、开环护、输出短VDD欠过压保护、过温保护、开环护、输出短路保护、CS40V40VSBCD700VSmartET，高可靠兼容主流脚兼容主流脚

SSRAP8267为AP8266升级产pin-pin驱动能力新增PeakLoad丰富保护功能，精确实现输出OVP,二极管短路型外置开封典型应参考DER报LED驱动 YYNYYN1-非YYN非YYN8-YYN12-YYN5-非YYN7-非YYN5-非YYY7-非YYY8-非YYN8-非YYY8-非YYY12-非YYY18-YYN8-非YYN25-非YYN

内置

球泡灯、PAR 内置 电 外 Buck:专利高压启动&快速自供电技术 精路保护，OVP由FB外部电阻比例决定，保护更精产产封典型SOP-SOPDIP-DIP-1个元器件PCB面积HighPFBuck:动:无频闪、无过冲，

R10 L2

R57.5K

L10R

L1

±12.± 精开路短路保护，OVP由FB外部电阻比例决

11

33

40VSBCD700VSmartMOSFET输出功率输出功率

4040VSBCD700VSmartMOSFE