电池片电性能参数及影响因素介绍修订稿

电池片电性能参数及影响因素介绍WEIHUAsystemofficeroom【WEIHUA16H-WEIHUAWEIHUA8Q8-电性能参数及影响因素介绍摘要：一、电参数介绍1、各个参数之间的关系A.在所有参数中，只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。为在I-V曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得最大，该点对应的电压就是最大功...、电参数介绍DiodeCharacteristic申屈电岬大酣摩(Ik+Ib)大-..'：并联电HRah/h并联龟曲.小自阴事「柢外玻电gh小材林廨堂登滂面gDiodeCharacteristic申屈电岬大酣摩(Ik+Ib)大-..'：并联电HRah/h并联龟曲.小自阴事「柢外玻电gh小材林廨堂登滂面g短路电流开路电压填充因子处朝补高申联电阻％大砌接触电咀大展分布不融[Li+TiO大转换敬率低1、各个参数之间的关系在所有参数中，只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。为在I-V曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得最大，该点对应的电压就是最大功率点电压Umpp，该点对应得电流就是最大功率点电流Impp为在光强为1000W/M2和500W/M2下所得最大功率点的电压差与电流差的比值，只是一个计算值，所以有时候会出现负值的情况为暗电流曲线下接近电流为0时曲线的斜率为电压为-10V时的反向电流为电压为-12V时的反向电流和Rsh决定FF和Irev1、Irev2有对应的关系I.计算公式：=Pmpp/S(硅片面积)=Umpp*Impp二Uoc*Isc*FF=(Umpp*Impp)/(Uoc*Isc)二、转换效率的影响因素三、测试外部参数影响正常测试温度为25±2°C，随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流略微增大，整体转换效率降低正常光强为1000±50W/M2，随着光强的降低，开路电压略微降低，短路电流急剧下降，整体转换效率降低四、串阻Rs组成

测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成:材料体电阻（可以认为电阻率为P的均匀掺杂半导体）正面电极金属栅线体电阻正面扩散层电阻背面电极金属层电阻正背面金属半导体接触电阻外部因素影响，如探针和片子的接触等烧结的关键就是欧姆接触电阻，也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻。可以这样考虑，上述项电阻属于固定电阻，也就是基本电阻；5则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响Rs的最终值；6属于外部测试因素，也会导致Rs变化五、Rs影响因素做伎启*冏垫-旦间时幡言/审整前后检食网却第三金成卬淌芯喧色”敢占头电归吏b存在氓虬氏象饶蜻炉进出水曲咻力是杏变花揉帕切ith任耳，.:可:检;M.U.虾，瓦土.法集恺建等史换L,故片的曲'R性~、TSi-tVT^污4?如州壮.传送增、I]1"，等_>六、并阻Rsh组成做伎启*冏垫-旦间时幡言/审整前后检食网却第三金成卬淌芯喧色”敢占头电归吏b存在氓虬氏象饶蜻炉进出水曲咻力是杏变花揉帕切ith任耳，.:可:检;M.U.虾，瓦土.法集恺建等史换测试中并联电阻Rsh主要主要是由暗电流曲线推算出，主要由边缘漏电和体内漏电决定边缘漏电主要由以下几个方面决定：①边缘刻蚀不彻底②硅片边缘污染③边缘过刻F.体内漏电主要几个方面决定①方阻和烧结的不匹配导致的烧穿②由于铝粉的沾污导致的烧穿③片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电④工艺过程中的其他污染，如工作台板污染、网带污染、炉管污染、DI水质不合格等七、Rsh影响因素八、Uoc影响因素九、Isc影响因素十、网印区工艺过程常见问题处理A.一、翘曲：.硅片太薄一控制原始硅片厚度.印刷铝浆太厚一控制铝浆重量.烧结温度过高一调整烧结炉4、5、6、7区温度.烧结炉冷却区冷却效果不好一查看风扇状况、进出水温度压力等F.二、铝包：.烧结温度太高一调整烧结炉4、5、6、7区温度.印刷铝浆太薄一印刷铝浆重量加重.使用前浆料搅拌不充分一搅拌时间必须达到规定时间.铝浆印刷后烘干时间不够一增加烘干时间或提高烘干温度.烧结排风太小一增大烧结炉排风.烧结炉冷却区冷却效果不好一查看风扇状况、进出水温度压力等M.二、虚印：.印刷压力太小一增大印刷压力.印刷板间距太大一减小板间距.印刷刮刀条不平一更换刮刀条.工作台板不平，磨损严重一更换工作台板.网印机导轨不平--重新调整导轨