BTS7960中文数据手册

BTS7960智能功率芯片中文资料TheBTS7960ispartoftheNovalithICfamilycontainingthreeseparatechipsinonepackage:Onep-channelhighsideMOSFETandonen-channellowsideMOSFETtogetherwithadriverIC,formingafullyintegratedhighcurrenthalf-bridge.Allthreechipsaremountedononecommonleadframe,usingthechiponchipandchipbychiptechnology.ThepowerswitchesutilizeverticalMOStechnologiestoensureoptimumonstateresistance.Duetothep-channelhighsideswitchtheneedforachargepumpiseliminatedthusminimizingEMI.InterfacingtoamicrocontrollerismadeeasybytheintegrateddriverICwhichfeatureslogiclevelinputs,diagnosiswithcurrentsense,slewrateadjustment,deadtimegenerationandprotectionagainstovertemperature,overvoltage,undervoltage,overcurrentandshortcircuit.TheBTS7960canbecombinedwithotherBTS7960toformH-bridgeand3-phasedriveconfigurations.BTS7960是NovalithIC家族三个独立的芯片的一部分:一是p型通道的高电位场效应晶体管，二是一个n型通道的低电位场效应晶体管，结合一个驱动晶片，形成一个完全整合的高电流半桥。所有三个芯片是安装在一个共同的引线框，利用芯片对芯片和芯片芯片技术。电源开关应用垂直场效应管技术来确保最佳的阻态。由于p型通道的高电位开关，需要一个电荷泵消除电磁干扰。通过驱动集成技术，逻辑电平输入、电流取样诊断、转换速率调整器，失效发生时间、防止欠电压、过电流、短路结构轻易地连接到一个微处理器上°BTS7960可结合其他的BTS7960形成全桥和三相驱动结构。图框如下:INHIS下图显示使用的数据表IN.--niNIA*)(1IS]■a VS峪:m〔H$ir」r□inhV|NI声RU□SR□is2.1引脚分配BTS7960□LIT口)(1H)GNDGNUrLi_S'i2引脚结构BTS796DBBTS796DBP-TO-203-7BTS7960PP-TO-220-7e上视图是BTS7960BandBTS7960P的引脚结构引脚的定义和功能PinSymbolI/OFunction1GND.Ground2IN1InputDefineswhetherhigh-orlowsideswitchisactivated3INH1InhibitWhensetIolowdevicegoesinsleepmode4,8OUToPoweroutputo1thebridge5SR1SlawRateTheslewrateoflhepowerswitchescanbeadjustedbyconnectingaresistorbetweenSRandGND6IS0CurrenlSenseandDiagnosis7VS.Supply引脚的定义和功能PINSYMBOLI/O功能1GND_接地2INI输入，高电位开关、低电位开关是否开启决定3INHI抑制，当设定为低电平进入睡眠状态4,8OUTO功率输出5SRI转换速率功率开关的转换速率通

过SR和GND间连接的电阻调整6ISO电流取样诊断7VS-电源应用事例下图是智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片MicrocontrollerpcResetvadI/OI/OiCI/OVoltageRegulatorReversePolarityProlection二V55-'心TLEiZ籍口4278GcG'-JD i/onMicrocontrollerpcResetvadI/OI/OiCI/OVoltageRegulatorReversePolarityProlection二V55-'心TLEiZ籍口4278GcG'-JD i/on SPD

50P03L7960日HNsRIN——s*BTS7960BJ_ZINHYS~□INZis□SR」Eout"'-HighCurrentH-BridgeNormaloperation:currentsensemodeFaultcondition:errorflagmodeNormaloperation:currentsensemodeFaultcondition:errorflagmode上图是正常模式和故障模式下电流检测智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P沟道的高边MOSFET、一个N沟道的低边MOSFET和一个驱动Ic，如图1所示。集成的驱动Ic具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能。BTS7960通态电阻典型值为16mQ，驱动电流可达43A。智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P沟道的高边MOSFET、一个N沟道的低边MOSFET和一个驱动Ic，如图1所示。集成的驱动Ic具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能°BTS7960通态电阻典型值为16mQ，驱动电流可达43A。BTS7960的引脚Is具有电流检测功能，正常模式下，从Is引脚流