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文档简介

薄膜电池发展二多晶硅薄膜太阳电池产业化UnaxisSolar,2003成立，借鉴平板显示器工业的薄膜工艺，结合硅太阳电池工艺，致力于发展硅薄膜太阳电池的生产设备，正在寻求合作伙伴()技术来源：瑞士Neuchatel大学微技术研究所(IMT)和Lausanne联邦技术研究所(EPFL)发展计划：-2004年可以生产1.4m2非晶硅太阳电池组件-2005年发展非晶硅/多晶硅双结太阳电池组件-2005年建成第一条规模生产线铜铟锡太阳电池同质或和异质结电池n-CdS/p-CuInSe2pinCdS/CuInSe2(ZnCd)/CuInSe2制备工艺效率19%安装在北威尔士StAsaph的WelshDevelopmentAgency光学中心由CIS太阳电池组件组成的85kW光伏电站1MWCIS太阳电池厂，WuerthSolarinMarbach,德国

碲化镉/镉化硫太阳电池结构特点：CdTe是II-VI族化合物，闪锌矿结构，晶格常数a=0.16477nm；CdS是II-VI族化合物，纤锌矿结构光学性能：直接带隙半导体材料，1.5eV,光谱响应与太阳光谱非常吻合，1μm厚度的薄膜可吸收99%所对应的太阳光能量；CdS：直接带隙半导体材料，2.42eV电学性能：薄膜组分、结构沉积条件、热处理过程对薄膜的电阻和导电类型有很大影响CdTe/CdS薄膜太阳电池参数的理论值：开路电压电压Voc=1.05mV；短路电流Jsc30.8mA/cm2；填充因子FF=83.7%；转换效率约27%尽管和相差10%，但他们能形成电性能优良的异质结

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