2021年全球NAND闪存市场份额、闪存容量及出货量分析预测

2021年全球NAND闪存市场份额、闪存容量及出货量分析预测

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

NAND闪存包括SLCNAND,MLCNAND,TLCNAND和QLCNAND。

中国市场低密度SLCNAND闪存主要出口目的地为亚洲地区。随着信息技术的三波创新革命，以移动互联网、大数据、云计算和物联网为代表的新一代信息技术发展正在推动信息产业转型升级，对海量数据的处理、存储提出了越来越高的要求。随着大数据时代的到来，NANDFlash芯片将在未来得到巨大发展。

NAND闪存卡的主要分类以NAND闪存颗粒的技术为主，NAND闪存颗粒根据存储原理分为SLC、MLC、TLC和QLC，从结构上又可分为2D、3D两大类。四种类型的NAND闪存颗粒性能各有不同。

Flash技术主要分为SLC、MLC、TLC和QLC四大类，对应不同的空间结构，这四类技术可又分为2D结构和3D结构两大类。

SLC（Single-LevelCell,SLC）NAND单元存储量为1bit/cell，单元擦/写寿命为10万次；MLCNAND单元存储量为2bit/cell，单元擦/写寿命为3000-10000次；TLCNAND单元存储量为3bit/cell，单元擦/写寿命为500次；QLCNAND单元存储量为4bitcell，单元擦/写寿命为150次。

NAND闪存，产品应用于消费电子产品、物联网、汽车、工业、通信和其他相关行业。

《2021-2027年中国NAND闪存行业市场运营态势及发展趋势研究报告》显示：按类型划分来看，2020年TLCNAND市场份额为55.61%；MLCNAND市场份额为32.15%；SLCNAND市场份额为1.82%；QLCNAND市场份额为10.43%，目前市场上应用最广泛的是TLCNAND,QLC作为新兴产品将在未来几年快速占领市场，SLCNAND的市场份额会进一步缩小。

目前，研究的NAND闪存主要是8Gbit、4Gbit、2Gbit以及其他小于16Gbit的SLCNAND闪存，从不同种类低密度SLCNAND閃存产量市场份额来看，8GbitSLCNAND閃存产量市场份额为10.48%；4GbitSLCNAND閃存产量市场份额为22.70%；2GbitSLCNAND閃存产量市场份额为28.74%；其他SLCNAND閃存产量市场份额为38.08%。

从全球各国家及地区NAND閃存生产情况来看，北美占23.48%的生产份额；日本占21.26%的生产份额；中国占31.97%的生产份额；中国台湾占12.76%的生产份额；韩国占6.32%的生产份额。

虽然2019年存储市场经历了贸易战，出现了需求趋缓、价格下跌、库存压力等情况，但市场需求一直在，产品技术也不断提高。经过50年的闪存芯片发展，闪存容量增势迅猛。到2004年，闪存存储容量进入GB时代，从2004年闪存存储容量只有1GB；到2011年闪存存储容量的达到128GB；2013年3DNAND闪存颗粒技术的实践使闪存容量进一步提升，发展到128GB；目前，闪存存储容量高达TB，预计2022年发展到2TB。

据统计，2019年NAND闪存颗粒存储密度将达到3050亿GB当量，同比增长34.96%；2020年NAND闪存颗粒存储密度将达到4420亿GB当量，同比增长44.92%；预计2021年NAND闪存颗粒存储密度将达到6300亿GB当量，同比增长42.53%。

2015-2016年，整个内存市场发展疲软，2017-2018年存储器IC市场出现了强势增长，2019年存储器IC市场出货