PERC电池电性能问题分析方法

———PERC电池电性能问题分析方法电性能参数对于运营现场人员来说，就犹如人们到医院体检的检查结果一样，可以反映出制程过程中的各种问题，通过各种参数的对比分析、跟踪，来推断问题是否得到真正解决，今日"光伏技术”将介绍电性能特别分析方法，期盼与您共同进步。

1.电性能偏低缘由分析

1.1开路电压UOC偏低

a.烧结烧穿；

b.未集中片；

c.湿刻放反片；

d.PE放反片；

e.来料“黑心片”；

f.污染片（工序卫生没搞好）；

g.合金不共融片；

h.来料氧含量超标；

i.微晶片。

1.2短路电流ISC偏低

a.烧结没烧透（接触电阻大）；

b.烧结烧穿；

c.未集中片；

d.来料“黑心片”；

e.PE放反片；

f.背面绒面抛光效果差；

g.正面绒面效果不抱负；

h.集中方阻小；

i.来料氧含量超标；

j.丝印效果差（高宽比特别、断栅多、虚印严峻）；

k.湿刻放反片；

l.微晶片。

1.3串联电阻RS偏大

a.烧结没烧透；

b.集中方阻偏大；

c.湿刻放反片；

d.湿刻方阻上升过大；

e.死层去除不够洁净；

f.测摸索针接触不良；

g.浆料过于干燥；

h.丝印效果差（高宽比特别、栅线粗细不均、虚印严峻）；

i.微晶片。

1.4并联电阻Rsh偏小

a.烧结烧穿；

b.漏浆；

c.湿刻边缘没完全洁净；

d.集中污染；

e.来料污染；

f.湿刻过刻；

g.PE放反片；

h.微晶片。

1.5暗电流Irev偏大

a.烧结烧穿；

b.漏浆；

c.集中污染；

d.来料污染；

e.湿刻边缘没完全洁净；

f.湿刻放反片；

g.PE放反片；

h.丝印返工片；

i.湿刻过刻；

j.微晶片。

2.特别缘由分析

2.1烧结烧穿

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大；

2.2PE放反片

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大；

2.3来料“黑心片”

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大；

2.4集中污染片

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大；

2.5正银浆料污染片

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：四探针测试仪和EL-C。

c.分析推断方法：

1.首先用四探针测试电池片背面没有印上浆料的地方，看其方阻是否正常，当方阻在50左右时，可以推断为PE放反；

2.假如方阻正常，则用EL进行正偏和反偏测试，依据图案外形来做推断，假如图像是以电池片中心，消失椭圆或近圆状暗色图形的，一般可判为来料“黑心”片；

3.假如显示暗色的消失在印刷栅线重合地方，可认为是烧结烧穿或者是正银浆料污染；

4.假如消失杂乱的，或者消失点状暗淡的图形或者在晶界边缘，一般可认为是集中污染片。

2.6未集中片

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低；

2.7氧含量超标

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：用EL-C；

c.分析推断方法：

1.直接用EL-C测试电池片，假如正反偏图象显示为全黑的，可认为是未集中片；

2.假如图象匀称跟正常片没什么区分，只是颜色偏淡，一般认为是光谱响应不够,也可以用D8仪来测试其反射率；

3.对于氧含量超标用特地检测设备来判定,不过由于缺乏设备,我们可以按上面的挨次来排查确定；

2.8湿刻放反片

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、串联电阻偏大、暗电流偏大；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：用EL-C；

c.分析推断方法：

用EL-C正偏测试，假如图象显示的是中间偏暗，而片子四周显示的偏亮，反片图象匀称，偏暗；(这是由于放反的片子四周有PN结,而中间没有)所以可判定为放反片；

2.9合金不共融片

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、串联电阻偏大；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：用EL-C；

c.分析推断方法：

使用破坏测试，先沿着栅线处断开，然后用EL-C测试栅线与氮化硅膜接触面，利用图象来分析推断，假如栅线内部结合不紧凑有空洞，接触面能明显分别，没有紧密接触，可认为是烧结不透；

2.10微晶片

测试指标表现为：开路电压偏低；串联电阻偏大、并联电阻偏小、暗电流偏大；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：WT-2000、EL-C；

c.分析推断方法：

用EL-C测试电池片，其图像一般都是在某个局部有一块地方消失偏暗的，(跟漏电图像大体相像)但认真观看，里面分布不一样，假如是微晶片，其图像四周有一部分消失密集的星点分布状，而偏暗内部就几乎不消失星点消失。(漏电的则有稀疏的星点)；

2.11背面绒面抛光效果差

测试指标表现为：短路电流偏低；

2.12正面绒面效果不抱负

测试指标表现为：短路电流偏低；

2.13集中方阻小

测试指标表现为：短路电流偏低；

2.14丝印效果差（高宽比特别、栅线粗细不均、虚印严峻）

测试指标表现为：短路电流偏低；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：用EL-C

c.分析推断方法：

用EL-C进行测试，可以依据图像来判定其类型，假如背面图像的绒面刻粒过大可划为抛光效果差；假如正面图像的绒面大小,匀称性等不在我们工艺掌握要求内的可作为效果不抱负；

假如看栅线图像可以推断印刷质量，就可以推断其丝印效果；对于方阻小的就要进行破坏测试，先去除氮化硅膜，然后测试方阻来确定；

2.15湿刻过刻

测试指标表现为：短路电流偏小、串联电阻偏大、并联电阻偏小、暗电流偏大；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：用EL-C；

c.分析推断方法：

用EL-C测试电池片，其正偏图像刚好跟放反片相反，中间偏亮，而四周偏暗(一般偏暗距离边缘的尺寸大于2mm)；

2.16死层去除不洁净

测试指标表现为：串联电阻偏大、短路电流偏低；

2.17测摸索针接触不良

测试指标表现为：串联电阻偏大；短路电流偏低；

2.18浆料过于干燥

测试指标表现为：串联电阻偏大；短路电流偏低；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：其他设备(临时没有)

c.分析推断方法：

依据我们工艺参数来测算我们的网版设计，和现场检查操作掌握有无特别来做推断；

2.19漏浆

测试指标表现为：并联电阻偏小、暗电流偏大；

2.20湿刻边缘没完全洁净

测试指标表现为：并联电阻偏小、暗电流偏大；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：用冷热探针或者万用表

c.分析推断方法：

先观看片子四周有无明显的漏浆现象，二是用冷热探针或者万用表来测试片子四周边缘，看其是否有特别来推断；

2.21丝印返工片

测试指标表现为：暗电流偏大；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：万用表

c.分析推断方法：

查看操作记录，推断该片是否在印刷过程中返工，二是用万用表来测试四周边缘地方电阻是否正常来推断；

3.结论总结

对于电性能特别的片子，其测试内容指标都有所变化，只是有个别指标变化特殊明显。我们分析突破缺口以最大指标变化的数据为目标。

电性能参数对于运营现场人员来说，就犹如人们到医院体检的检查结果一样，可以反映出制程过程中的各种问题，通过各种参数的对比分析、跟踪，来推断问题是否得到真正解决，今日"光伏技术”将介绍电性能特别分析方法，期盼与您共同进步。

1.电性能偏低缘由分析

1.1开路电压UOC偏低

a.烧结烧穿；

b.未集中片；

c.湿刻放反片；

d.PE放反片；

e.来料“黑心片”；

f.污染片（工序卫生没搞好）；

g.合金不共融片；

h.来料氧含量超标；

i.微晶片。

1.2短路电流ISC偏低

a.烧结没烧透（接触电阻大）；

b.烧结烧穿；

c.未集中片；

d.来料“黑心片”；

e.PE放反片；

f.背面绒面抛光效果差；

g.正面绒面效果不抱负；

h.集中方阻小；

i.来料氧含量超标；

j.丝印效果差（高宽比特别、断栅多、虚印严峻）；

k.湿刻放反片；

l.微晶片。

1.3串联电阻RS偏大

a.烧结没烧透；

b.集中方阻偏大；

c.湿刻放反片；

d.湿刻方阻上升过大；

e.死层去除不够洁净；

f.测摸索针接触不良；

g.浆料过于干燥；

h.丝印效果差（高宽比特别、栅线粗细不均、虚印严峻）；

i.微晶片。

1.4并联电阻Rsh偏小

a.烧结烧穿；

b.漏浆；

c.湿刻边缘没完全洁净；

d.集中污染；

e.来料污染；

f.湿刻过刻；

g.PE放反片；

h.微晶片。

1.5暗电流Irev偏大

a.烧结烧穿；

b.漏浆；

c.集中污染；

d.来料污染；

e.湿刻边缘没完全洁净；

f.湿刻放反片；

g.PE放反片；

h.丝印返工片；

i.湿刻过刻；

j.微晶片。

2.特别缘由分析

2.1烧结烧穿

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大；

2.2PE放反片

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大；

2.3来料“黑心片”

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大；

2.4集中污染片

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大；

2.5正银浆料污染片

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、并联电阻偏小、暗电流偏大；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：四探针测试仪和EL-C。

c.分析推断方法：

1.首先用四探针测试电池片背面没有印上浆料的地方，看其方阻是否正常，当方阻在50左右时，可以推断为PE放反；

2.假如方阻正常，则用EL进行正偏和反偏测试，依据图案外形来做推断，假如图像是以电池片中心，消失椭圆或近圆状暗色图形的，一般可判为来料“黑心”片；

3.假如显示暗色的消失在印刷栅线重合地方，可认为是烧结烧穿或者是正银浆料污染；

4.假如消失杂乱的，或者消失点状暗淡的图形或者在晶界边缘，一般可认为是集中污染片。

2.6未集中片

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低；

2.7氧含量超标

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：用EL-C；

c.分析推断方法：

1.直接用EL-C测试电池片，假如正反偏图象显示为全黑的，可认为是未集中片；

2.假如图象匀称跟正常片没什么区分，只是颜色偏淡，一般认为是光谱响应不够,也可以用D8仪来测试其反射率；

3.对于氧含量超标用特地检测设备来判定,不过由于缺乏设备,我们可以按上面的挨次来排查确定；

2.8湿刻放反片

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、串联电阻偏大、暗电流偏大；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：用EL-C；

c.分析推断方法：

用EL-C正偏测试，假如图象显示的是中间偏暗，而片子四周显示的偏亮，反片图象匀称，偏暗；(这是由于放反的片子四周有PN结,而中间没有)所以可判定为放反片；

2.9合金不共融片

测试指标表现为：开路电压偏低、短路电流偏低、串联电阻偏大；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：用EL-C；

c.分析推断方法：

使用破坏测试，先沿着栅线处断开，然后用EL-C测试栅线与氮化硅膜接触面，利用图象来分析推断，假如栅线内部结合不紧凑有空洞，接触面能明显分别，没有紧密接触，可认为是烧结不透；

2.10微晶片

测试指标表现为：开路电压偏低；串联电阻偏大、并联电阻偏小、暗电流偏大；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：WT-2000、EL-C；

c.分析推断方法：

用EL-C测试电池片，其图像一般都是在某个局部有一块地方消失偏暗的，(跟漏电图像大体相像)但认真观看，里面分布不一样，假如是微晶片，其图像四周有一部分消失密集的星点分布状，而偏暗内部就几乎不消失星点消失。(漏电的则有稀疏的星点)；

2.11背面绒面抛光效果差

测试指标表现为：短路电流偏低；

2.12正面绒面效果不抱负

测试指标表现为：短路电流偏低；

2.13集中方阻小

测试指标表现为：短路电流偏低；

2.14丝印效果差（高宽比特别、栅线粗细不均、虚印严峻）

测试指标表现为：短路电流偏低；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：用EL-C

c.分析推断方法：

用EL-C进行测试，可以依据图像来判定其类型，假如背面图像的绒面刻粒过大可划为抛光效果差；假如正面图像的绒面大小,匀称性等不在我们工艺掌握要求内的可作为效果不抱负；

假如看栅线图像可以推断印刷质量，就可以推断其丝印效果；对于方阻小的就要进行破坏测试，先去除氮化硅膜，然后测试方阻来确定；

2.15湿刻过刻

测试指标表现为：短路电流偏小、串联电阻偏大、并联电阻偏小、暗电流偏大；

a.备注说明：正常是指指标变化相对小，特别是指指标变化相对大。

b.使用检测设备：用EL-C；

c.分析推断方法：