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文档简介

场效应管放大电路N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)分类：场效应管放大电路4.1结型

场效应管结构工作原理输出特性转移特性主要参数

一、

JFET的结构和工作原理

二、

JFET的特性曲线及参数

结型场效应管

结型场效应管的结构示意图及其表示符号(a)N沟道JFET；(b)P沟道JFET1.结构：N沟道管：电子导电，导电沟道为N型半导体P沟道管：空穴导电，导电沟道为P型半导体

一、JFET的结构和工作原理2.工作原理①VGS对沟道的控制作用当VGS＜0时（以N沟道JFET为例）当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP（或VGS(off)）。对于N沟道的JFET，VP<0。PN结反偏耗尽层加厚沟道变窄。VGS继续减小，沟道继续变窄4.1结型

场效应管②VDS对沟道的控制作用当VGS=0时，VDSID当VDS增加到使VGD=VP时，在紧靠漏极处出现预夹断。G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。此时VDS夹断区延长沟道电阻ID基本不变③

VGS和VDS同时作用时当VP<VGS<0时，导电沟道更容易夹断，对于同样的VDS，

ID的值比VGS=0时的值要小。VGD=VGS-VDS=VP在预夹断处（以N沟道JFET为例）2.工作原理4.1结型

场效应管综上分析可知沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，

所以场效应管也称为单极型三极管。JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。

P沟道JFET工作时，其电源极性与N沟道JFET的电源极性相反。JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因

此iG0，输入电阻很高。1.转移特性

VP2.输出特性

4.1结型

场效应管二、JFET的特性曲线及参数4.1结型

场效应管1)饱和区输出特性

输出特性曲线表达以UGS为参变量时iD与uDS的关系。根据特性曲线的各部分特征,分为四个区域：

饱和区区相当于双极型晶体管的放大区。其主要特征为：uGS对iD的控制能力很强，uDS的变化对iD影响很小。2）可变电阻区与双极型晶体管不同，在JFET中，栅源电压uGS对iD上升的斜率影响较大，随着|UGS|增大，曲线斜率变小，说明JFET的输出电阻变大。3）截止区当|UGS|>|UP|时，沟道被全部夹断，iD=0，故此区为截止区。若利用JFET作为开关，则工作在截止区，即相当于开关打开。

4）击穿区随着uDS增大，靠近漏区的PN结反偏电压uDG也随之增大。①夹断电压VP(或VGS(off))：②饱和漏极电流IDSS：

③

低频跨导gm：或漏极电流约为零时的VGS值。VGS=0时对应的漏极电流。低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。④输出电阻rd：4.1结型

场效应管3.主要参数3.主要参数4.1结型场效应管⑤直流输入电阻RGS

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