GB/T 10117-2021高纯锑

ICS7715099

CCSH.62.

中华人民共和国国家标准

GB/T10117—2021

代替GB/T10117—2009

高纯锑

Highpurityantimonium

2021-12-31发布2022-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T10117—2021

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替高纯锑与相比除结构调整和编辑性改动

GB/T10117—2009《》,GB/T10117—2009,

外主要技术变化如下

,:

更改了适用范围见第章年版的第章

a)(1,20091);

更改了化学成分中杂质元素的要求增加了杂质含量的要求

b)As、Au、Pb,B、Na、Al、Ca、Ga、Sn

见年版的

(5.1,20093.2);

增加了关于含量杂质含量总和的说明见表

c)Sb、(1);

更改了外观质量的要求见年版的

d)(5.2,20093.3);

更改了试验方法的内容见第章年版的第章

e)(6,20094);

更改了检查和验收的内容见年版的

f)(7.1,20095.1);

更改了组批的规定见年版的

g)(7.2,20095.2);

增加了检验项目的内容见

h)(7.3);

更改了取样制样的要求见年版的

i)、(7.4,20095.3);

增加了化学成分检验结果数值修约与判定的要求见

j)(7.5.1);

更改了外观质量的检验结果判定见年版的

k)(7.5.3,20095.4);

更改了标志的内容见年版的

l)(8.1,20096.2);

删除了具体包装规格的要求见年版的

m)(20096.1.1);

删除了说明事项见年版的

n)(20096.5);

更改了随行文件的内容见年版的

o)(8.5,20096.6)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位峨眉山市峨半高纯材料有限公司峨嵋半导体材料研究所广东先导稀材股份有

:、、

限公司有研国晶辉新材料有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司江苏秦烯新材料有限公司

、、、。

本文件主要起草人张程朱君黎亚文雷聪曾洪肖伟微李强张胜乐卫华黄文文柴晨

:、、、、、、、、、、、

普世坤何建军

、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布为年第一次修订

———1988GB/T10117—1988,2009;

本次为第二次修订

———。

Ⅰ

GB/T10117—2021

高纯锑

1范围

本文件规定了高纯锑的分类技术要求试验方法检验规则标志包装运输贮存随行文件及订

、、、、、、、、

货单内容

。

本文件适用于以工业锑为原料经氯化精馏氢气还原真空蒸馏区域熔炼或直拉提纯生产工艺

,、、、、

制备的高纯锑

。

注高纯锑主要用于制备族化合物半导体材料高纯合金热电致冷元件以及用作硅锗单晶的掺杂剂

:Ⅲ-Ⅴ、、,、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

数值修约规则与极限数值的表示和判定

GB/T8170

高纯锑化学分析方法镁锌镍铜银镉铁硫砷金锰铅铋硅硒含量的测

YS/T35、、、、、、、、、、、、、、

定高质量分辨率辉光放电质谱法

3术语和定义

本文件没有需要界定的术语和定义

。

4分类

高纯锑按照化学成分分为两个牌号

Sb-05、Sb-06。

5技术要求

51化学成分

.

高纯锑的化学成分应符合表的规定

1。

表1化学成分