GB/T 12965-2018硅单晶切割片和研磨片

ICS29045

H82.

中华人民共和国国家标准

GB/T12965—2018

代替

GB/T12965—2005

硅单晶切割片和研磨片

Monocrystallinesiliconascutwafersandlappedwafers

2018-09-17发布2019-06-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

硅单晶切割片和研磨片

GB/T12965—2018

*

中国标准出版社出版发行

北京市朝阳区和平里西街甲号

2(100029)

北京市西城区三里河北街号

16(100045)

网址

:

服务热线

:400-168-0010

年月第一版

20189

*

书号

:155066·1-61467

版权专有侵权必究

GB/T12965—2018

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替硅单晶切割片和研磨片与相比除编辑性

GB/T12965—2005《》,GB/T12965—2005,

修改外主要技术内容变化如下

:

范围中将本标准适用于由直拉悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割双面研磨制备的圆

———“、、

形硅片改为本标准适用于由直拉法悬浮区熔法包括中子嬗变掺杂和气相掺杂制备的直

”“、()

径不大于的圆形硅单晶切割片和研磨片见第章年版的第章

200mm”(1,20051);

规范性引用文件中删除了增加了

———GB/T1552、GB/T1554、GB/T12964,GB/T1551、

见第章

GB/T6619、GB/T26067、GB/T29507、GB/T32279、GB/T32280、YS/T28(2,2005

年版的第章

2);

删除了具体术语内容改为界定的术语及定义适用于本文件见第章

———,“GB/T14264”(3,2005

年版的第章

3);

删除了按照硅单晶生长方法进行的分类增加了硅片按表面取向分为常用的

———,“{100}、{111}、

三种见年版的

{110}”(4.2.2,20054.1);

将物理性能参数和晶体完整性合并改为理化性能见年版的

———“”“”“”(5.1,20055.1、5.3);

增加了电学性能见

———“”(5.2);

修订了硅片的直径允许偏差修订了

———50.8mm、125mm、150mm,100mm、125mm、150mm

直径切割片的厚度修订了和直径硅片的翘曲度要求见表年版的

,150mm200mm(1,2005

表

1);

增加了硅片弯曲度的要求见表

———(5.31);

增加了主参考面直径和切口尺寸示意图见图

———(1);

修订硅片的表面取向为硅片的表面取向有常用的为见

———“{100}、{110}、{111},{100}、{111}”(

年版的

5.4.1,20055.4.1);

增加了未包含的其他晶向要求由供需双方协商确定

———“,”(5.4.3);

删除了硅片是否制作参考面由用户决定和硅片主副参考面取向及位置应符合表及

———“,”“、2

表的规定见年版的

1”(20055.4.3、5.4.4);

增加了直径不大于硅片主副参考面位置的示意图见图

———150mm、(2);

修订了边缘轮廓的要求见年版的

———(5.6,20055.7);

删除了硅片每个崩边的周长不大于的规定经倒角的研磨片对崩边的要求由

———2mm,“≤

修订为无并将崩边径向延伸尺寸的要求单列为表见表年版的

0.3mm”“”,4(5.7.14,2005

5.6.1);

增加了电阻率厚度和总厚度变化翘曲度的另一种实验方法并明确了仲裁方法见

———、、,(6.2、6.5、

年版的

6.7,20056.2、6.11、6.12);

修订了硅片主参考面直径的测量方法见年版的

———(6.8,20056.7);

硅片切口尺寸的测量由供需双方确定修订为切口尺寸的测量按的规定进行

———“”“GB/T26067”

见年版的

(6.9,20056.8);

修订了检验项目改为必检项目和供需双方协商检验的项目见年版的

———,(7.3.1、7.3.2,20057.3);

删除了破坏性检验项目的取样规定见年版的

———(20057.4.2);

增加了订货单或合同内容见第章

———()(9)。

Ⅰ

GB/T12965—2018

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位有研半导体材料有限公司浙江海纳半导体有限公司上海合晶硅材料有限公司

:、、、

浙江金瑞泓科技股份有限公司天津市环欧半导体材料技术有限公司浙江省硅材料质量检验中心

、、。

本标准主要起草人孙燕卢立延楼春兰徐新华张海英张雪囡潘金平刘卓

:、、、、、、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T12965—1991、GB/T12965—1996、GB/T12965—2005。

Ⅱ

GB/T12965—2018

硅单晶切割片和研磨片

1范围

本标准规定了硅单晶切割片和研磨片简称硅片的牌号及分类要求试验方法检验规则标志

()、、、、、

包装运输贮存质量证明书和订货单或合同内容

、、、()。

本标准适用于由直拉法悬浮区熔法包括中子嬗变掺杂和气相掺杂制备的直径不大于

、()200mm

的圆形硅单晶切割片和研磨片产品主要用于制作晶体管整流器件等或进一步加工成抛光片

。、,。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1550

硅单晶电阻率测定方法

GB/T1551

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20121:(AQL)

计划

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法

GB/T6616

硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6618

硅片弯曲度测试方法

GB/T6619

硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6620