标准解读

《GB/T 12965-1996 硅单晶切割片和研磨片》标准相比其前身《GB 12965-1991》，主要在以下几个方面进行了调整和更新：

  1. 标准性质的改变：从标准编号的变化可以看出，从原来的GB（国家强制性标准）变更为GB/T（国家推荐性标准），意味着该标准从强制执行转变为推荐使用，给予企业更多选择空间。

  2. 技术内容的修订：对硅单晶切割片和研磨片的技术要求进行了细化和优化，可能包括尺寸公差、表面粗糙度、平整度、洁净度等方面的要求更加明确和严格，以适应技术进步和市场的需求变化。

  3. 检测方法的改进：更新了对硅单晶片的检测和试验方法，引入了更先进的检测技术和手段，提高了检测的准确性和效率。这可能涵盖了切割损伤层深度的测量、微缺陷检测技术等方面。

  4. 质量控制指标的调整：根据行业发展的实际情况，对产品的质量控制指标进行了适当的调整，如可能增加了对特定杂质含量的限制，或是对机械强度的要求有所提高，以确保产品性能的稳定性和一致性。

  5. 标准适用范围的明确：对标准的适用范围进行了重新界定或说明，可能更清晰地界定了适用于哪些类型的硅单晶材料及其应用领域，便于企业和用户准确理解和执行。

  6. 术语和定义的完善：随着行业的发展，对一些专业术语进行了修订或新增，使得标准中的表述更加准确无歧义，有助于行业内的交流与理解。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 12965-2005
  • 1996-11-04 颁布
  • 1997-04-01 实施
©正版授权
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文档简介

ICS29.045H82中华人民共和国国家标准GB/T12965-1996.硅单晶切割片和研磨片Monocrystallinesiliconascutslicesandlappedslices1996-11-04发布1997-04-01实施国家技术监督局发布

GB/T12965-1996前本标准参照国外有关标准，结合我国硅材料的使用情况,对GB12965—91进行修订而成的。。修订时保留了原标准中符合我国实际的内容。修订后的本标准,删去了原标准中的直径90mm的规格，增加了直径125mm的规格，主要技术指标，都有不同程度的提高。与本标准配套的标准有：GB/T12962硅单晶本标准从1997年4月1日起实施。本标准从生效之日起，代替GB12965-91。本标准由中国有色金属工业总公司提出。本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口。本标准起草单位：洛阳单品硅厂和中国有色金属工业总公司标准计量研究所本标准主要起草人：王从赞、郭瑾、吴福立。本标准首次发布日期：1991年6月。

中华人民共和国国家标准硅单晶切割片和研磨片CB/T12965-1996Monocrystallinesiliconascutslices代替GB12965—91andlappedslices1范园本标准规定了单品切割片和研磨片（简称硅片)的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、财存。本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子煊变掺杂硅单品经切割、双面研磨制备的圆形硅片，硅片直径范围为50.8～125mm。产品用于制作晶体管、整流器件等半导体器件,或进一步加工成硅抛光片。2引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效，所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性GB/T1550硅单晶导电类型测定方法GB/T1552一1995硅、错单晶电阻率测定直排四探针法GB/T1554一1995硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB1556—79硅单晶晶向X光衍射测量方法GB2828—87逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批检查)GB/T6618一1995硅片厚度和总厚度变化的测试方法GB/T6620—1995硅片翘曲度的非接触式测试方法GB/T6624一1995硅抛光片表面质量目测检验方法GB11073—89硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T12962-1996硅单晶GB/T13387—92电子材料晶片参考面长度测量方法GB/T14140—93硅片直径测量方法GB/T14844—93半导体材料牌号表示方法3产品分类3.1分类健片按导电类型分为n型和p型两种类型，按硅单晶的生产方法和硅片的加工方法分别分为直拉、悬浮区熔和中子嫂变掺杂(NTD)三种硅单品

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