标准解读

《GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》作为一项国家标准，规定了半导体集成电路时基电路的测试原则、方法及要求，旨在确保时基电路产品的性能和质量。然而，您提供的对比参照物不完整，无法直接进行详细的变更对比分析。通常，当对比两个标准或版本时，会关注以下几个方面来识别变更内容：

  1. 测试方法和技术更新：新标准可能会引入更先进的测试技术或方法，以适应技术进步和产品发展的需求，提高测试精度和效率。
  2. 参数指标调整：随着应用要求的提升，标准可能会对时基电路的关键性能指标（如稳定度、频率准确度、温度系数等）提出更严格的要求。
  3. 兼容性与互操作性：新标准可能会增加关于与其他电子元件或系统兼容性测试的相关规定，以确保时基电路在复杂系统中的有效运作。
  4. 安全与环境要求：考虑到环境保护和用户安全，新标准可能会加入更多关于材料、制造过程以及产品废弃处理的环保要求，以及电气安全测试规范。
  5. 术语与定义更新：为了与国际标准接轨或反映行业最新共识，标准中的专业术语和定义可能会有所更新或增补。
  6. 测试设备与校准要求：随着测量技术的发展，可能会对测试所用的仪器设备及其校准方法提出新的要求，以保证测试结果的可靠性。

由于缺乏具体的对比对象，以上仅是一般性的变更方向概述。如果有具体的另一个标准或该标准的新版信息，可以进一步详细对比其具体变更内容。


如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 1992-12-18 颁布
  • 1993-08-01 实施
©正版授权
GB/T 14030-1992半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理_第1页
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文档简介

UDC621.382：681.11L55中华人民共和国国家标准GB/T14030－92半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理Generalprinciplesofmeasuringmethodsoftimercircuitsforsemiconductorintegratedcircuits1992-12-18发布1993-08-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理GB/T14030-92Generalprinciplesofmeasuringmethodsoftimercircuitsforsemiconductorintegratedcircuits本标准规定了半导体集成电路时基电路(以下简称器件或时基电路)电参数测试方法的基本原理时基电路与CMOS电路相同的静态参数和动态参数测试可参照GB3834《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》。总的要求若无特殊说明，测试期间，环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定12测试期间，施于被测器件的电参量应符合器件详细规范的规定。1.3测试期间，应避免外界干扰对测试精度的影响。测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的规定。1.4被测器件与测试系统连接或断开时，不应超过器件的使用极限条件。1.5若有要求时，应按器件详细规范规定的顺序接通电源，1.6测试期间，被测器件应连接器件详细规范规定的外围电路和补偿网络。17若电参数值是由几步测试的结果经计算而确定时，这些测试的时间间隔应尽可能短。1.8本标准的参数定义按如下规定的真值表给出，如被测器件与本规定不符合时，可对测试电路进行相应的调整。复位路引出端名称闵值端触发端输出端引出端符号RESTHTROUT规范+HH表中：L为低电平,H为高电平,X为任意电平。2参数测试2.1复位电压Va2.1.1目的在器件输出电压为低电平时,测试复位端施加的临界输入电压2.1.2测试原理

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