GB/T 1550-2018非本征半导体材料导电类型测试方法

ICS77040

H21.

中华人民共和国国家标准

GB/T1550—2018

代替

GB/T1550—1997

非本征半导体材料导电类型测试方法

Testmethodsforconductivitytypeofextrinsicsemiconductingmaterials

2018-12-28发布2019-11-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T1550—2018

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替非本征半导体材料导电类型测试方法与相比

GB/T1550—1997《》,GB/T1550—1997

主要技术变化如下

:

适用范围修改为本标准适用于硅锗非本征半导体材料导电类型的测试其他非本征半导体

———“、,

材料可参照本标准测试见第章年版的第章

”(1,19971);

增加了术语和定义见第章

———(3);

将原标准的修改为总则见年版的

———1.2~1.9“4.1”(4.1,19971.2~1.9);

修改了方法方法方法的适用范围见年版的

———A、D1、D2(4.1.2、4.1.5、4.1.6,19971.3、1.6、1.7);

增加了方法表面光电压法测试导电类型见

———E()(4.1.7、4.5、5.5、7.6、9.5);

增加了如果采用的测试步骤能够获得稳定的读数和良好的灵敏度则表明试样表

———“9.1~9.5,

面无沾污或氧化层如果读数不稳定或灵敏度差则表明试样表面已被沾污或有氧化层可采

。,,

用中的方法对试样表面进行处理见

8.2。”(9.6);

增加了试验结果的分析见第章

———(10)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位乐山市产品质量监督检验所中国计量科学研究院广州市昆德科技有限公司瑟

:、、、

米莱伯贸易上海有限公司浙江海纳半导体有限公司新特能源股份有限公司江苏中能硅业科技发

()、、、

展有限公司峨嵋半导体材料研究所洛阳中硅高科技有限公司中锗科技有限公司云南冶金云芯硅材

、、、、

股份有限公司江西赛维太阳能高科技有限公司北京合能阳光新能源技术有限公司

、LDK、。

本标准主要起草人梁洪王莹赵晓斌高英王昕王飞尧黄黎徐红骞邱艳梅刘晓霞杨旭

:、、、、、、、、、、、

张园园刘新军徐远志程小娟潘金平肖宗杰

、、、、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB1550—1979、GB/T1550—1997;

———GB5256—1985。

Ⅰ

GB/T1550—2018

非本征半导体材料导电类型测试方法

1范围

本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法

。

本标准适用于硅锗非本征半导体材料导电类型的测试其他非本征半导体材料可参照本标准测

、,

试本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得可靠结果对于导电类型不均匀的材料可在

。;,

其表面上测出不同导电类型区域

。

本标准不适用于分层结构材料如外延片导电类型的测试

()。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

硅单晶电阻率测定方法

GB/T1551

非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T4326

半导体材料术语

GB/T14264

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

41总则

.

411本标准包括五种测试方法方法热探针法方法冷探针法方法点接触整流

..:A———;B———;C———

法方法全类型法包括方法全类型整流法方法全类型热电势法方法表

;D———,D1———,D2———;E———

面光电压法

。

412方法适用于电阻率以下的型和型锗材料及电阻率以下的型

..A:20Ω·cmNP1000Ω·cmN

和型硅材料

P。

413方法适用于电阻率以下的型和型锗材料及电阻率以下的型

..B:20Ω·cmNP1000Ω·cmN

和型硅材料

P。

414方法适用于电阻率的型和型硅材料

..C:1Ω·cm~1000Ω·cmNP。

415方法适用于电阻率的型和型锗材料及电阻率

..D1:1Ω·cm~36Ω·cm