• 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 1557-2006
  • 1989-03-31 颁布
  • 1990-02-01 实施
©正版授权
GB/T 1557-1989硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法_第1页
GB/T 1557-1989硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法_第2页
免费预览已结束，剩余6页可下载查看

下载本文档

文档简介

UDC669.782:543.42H21中华人民共和国国家标准GB1557-89硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法Themethodofdetermininginterstitialoxygencontentinsiliconbyinfraredabsorption1989-03-31发布1990-02-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准硅晶体中间隙氧含量的GB1557-89红外吸收测量方法Themethodofdetermininginterstitial代竹GB1557-83oxygencontentinsiliconbyinfraredabsorption主题内容与适用范围本标准规定了用红外吸收测定硅晶体中间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.12·cm的硅晶体中氧含量的测量。量范围为：的浓度从3.5×101at·cmr3至最大固溶度。2原理2.1本方法是用红外光谱仪测定硅－氧键在1107cm-（9.03344m）处的红外吸收系数来确定硅晶体中间隙氧的含量。凡是有该硅－氧键特征吸收带的任何晶体均可适用。2.2本方法借助于硅单晶中氧含量与1107cm-处红外吸收系数之间的关系。3测量仪器1双光束红外分光光度计或傅立叶变换红外光谱仪。，仪器在1107cm3.1处的分辨率应小于5cm。3.22测量样品架。3.3低温测量装置，能使试样和参比样品维持78K的温度。3.4千分尺，精度0.01mm。3.5标准平面平晶。试样制备4.1测量试样的制备4.1.1切取的试样经双面研磨，两表面无刀痕、划伤，试样的厚度偏差应小于104m。“.1.2研磨后的试样经机械抛光或化学抛光（仲裁时应用机械抛光样品），使两表面均呈镜面，在测量部位应无桔皮和小坑。4.1.3在试样测量部位，两表面的中整度均不大于2.2Pm.4.1.4在测量部位试样的厚度差应不大于10Pm。氧含量大于或等于1×10！at·cm-3的试样厚度约为2mm；4.1.5氧含量小于1×10"at·cm-3的试样厚度约为10mm。4.2参比样品的选取与制备“.2.1参比样品用78K空气参为法选取（见附录A）。4.2.2参比样品的制备同4.1.1～4.1.4条。4.2.3参比样品与待测

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 各类标准

温馨提示

  • 1. 本站所提供的标准文本仅供个人学习、研究之用，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或网络传播等，侵权必究。
  • 2. 本站所提供的标准均为PDF格式电子版文本（可阅读打印），因数字商品的特殊性，一经售出，不提供退换货服务。
  • 3. 标准文档要求电子版与印刷版保持一致，所以下载的文档中可能包含空白页，非文档质量问题。

最新文档

评论

0/150

提交评论