标准解读

《GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》与前一版《GB 1557-1983》相比，主要在以下几个方面进行了调整和完善：

  1. 标准性质的变化：从标准编号可见，《GB/T 1557-1989》由原来的强制性国家标准（GB）转变为推荐性国家标准（GB/T），意味着该标准的应用不再是强制要求，而是推荐给行业和企业参考使用。

  2. 技术内容更新：新版标准可能对硅晶体中间隙氧含量的测量原理、操作步骤、仪器设备要求等方面进行了细化或修订，以适应技术进步和测量精度提升的需求。具体而言，可能包括了更精确的校准方法、更严格的样品处理流程或是对测量环境条件的更详细规定。

  3. 检测限与精度提升：随着分析技术的发展，新标准很可能会设定更为严格的检测限值，提高测量结果的准确性和重复性，以满足高纯度硅材料生产中的质量控制需求。

  4. 术语和定义的明确：为了统一行业理解和应用，新标准可能对涉及的专业术语给出了更精确的定义，或者新增了一些与当时技术发展相匹配的概念解释。

  5. 试验方法的优化：考虑到实际操作中的可行性与效率，新标准可能对原有的试验方法进行了优化，简化了某些复杂步骤，或者引入了新的测量技巧和数据处理方法。

  6. 质量控制与验证：增加了对测量过程的质量控制要求，如样品准备、仪器校正、数据处理及结果验证的具体指导，确保测试结果的可靠性和可比性。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 1557-2006
  • 1989-03-31 颁布
  • 1990-02-01 实施
©正版授权
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文档简介

UDC669.782:543.42H21中华人民共和国国家标准GB1557-89硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法Themethodofdetermininginterstitialoxygencontentinsiliconbyinfraredabsorption1989-03-31发布1990-02-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准硅晶体中间隙氧含量的GB1557-89红外吸收测量方法Themethodofdetermininginterstitial代竹GB1557-83oxygencontentinsiliconbyinfraredabsorption主题内容与适用范围本标准规定了用红外吸收测定硅晶体中间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.12·cm的硅晶体中氧含量的测量。量范围为：的浓度从3.5×101at·cmr3至最大固溶度。2原理2.1本方法是用红外光谱仪测定硅－氧键在1107cm-（9.03344m）处的红外吸收系数来确定硅晶体中间隙氧的含量。凡是有该硅－氧键特征吸收带的任何晶体均可适用。2.2本方法借助于硅单晶中氧含量与1107cm-处红外吸收系数之间的关系。3测量仪器1双光束红外分光光度计或傅立叶变换红外光谱仪。，仪器在1107cm3.1处的分辨率应小于5cm。3.22测量样品架。3.3低温测量装置，能使试样和参比样品维持78K的温度。3.4千分尺，精度0.01mm。3.5标准平面平晶。试样制备4.1测量试样的制备4.1.1切取的试样经双面研磨，两表面无刀痕、划伤，试样的厚度偏差应小于104m。“.1.2研磨后的试样经机械抛光或化学抛光（仲裁时应用机械抛光样品），使两表面均呈镜面，在测量部位应无桔皮和小坑。4.1.3在试样测量部位，两表面的中整度均不大于2.2Pm.4.1.4在测量部位试样的厚度差应不大于10Pm。氧含量大于或等于1×10！at·cm-3的试样厚度约为2mm；4.1.5氧含量小于1×10"at·cm-3的试样厚度约为10mm。4.2参比样品的选取与制备“.2.1参比样品用78K空气参为法选取（见附录A）。4.2.2参比样品的制备同4.1.1～4.1.4条。4.2.3参比样品与待测

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