GB/T 15878-2015半导体集成电路小外形封装引线框架规范

ICS31200

L56.

中华人民共和国国家标准

GB/T15878—2015

代替

GB/T15878—1995

半导体集成电路

小外形封装引线框架规范

Semiconductorintegratedcircuits—

Specificationofleadframesforsmalloutlinepackage

2015-05-15发布2016-01-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T15878—2015

目次

前言

…………………………Ⅰ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

技术要求

4…………………1

引线框架尺寸

4.1………………………1

引线框架形状和位置公差

4.2…………1

引线框架外观

4.3………………………2

引线框架镀层

4.4………………………3

引线框架外引线强度

4.5………………3

铜剥离试验

4.6…………………………3

银剥离试验

4.7…………………………3

检验规则

5…………………3

检验批的构成

5.1………………………3

鉴定批准程序

5.2………………………4

质量一致性检验

5.3……………………4

订货资料

6…………………6

标志包装运输贮存

7、、、……………………6

标志包装

7.1、……………6

运输贮存

7.2、……………7

附录规范性附录引线框架机械测量

A()………………8

GB/T15878—2015

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替小外形封装引线框架规范

GB/T15878—1995《》。

本标准与相比主要变化如下

GB/T15878—1995:

按照标准的使用范围将原标准的标准名称修改为半导体集成电路小外形封装引线框架

———,“

规范

”;

关于规范性引用文件增加引导语抽样标准由代替增

———:;GB/T2828.1—2012SJ/Z9007—87;

加引用文件

GB/T2423.60—2008、SJ20129;

标准中的由设计改为引线框架尺寸将原标准中精压深度和金属间隙的有关内容调

———4.1“”“”,

整到并将原标准中精压区的有关内容并入到精压深度条款中

4.2,“”“”;

对标准的引线框架形状和位置公差中相应条款顺序进行了调整并增加了芯片粘接区

———“4.2”,

下陷和引线框架内部位置公差的有关要求

;

修改了标准中对侧弯的要求见原标准中仅规定了在的长度方向上不超

———“”(4.2.1):150mm,

过本标准在整个标称长度上进行规定

0.5mm,;

修改了标准中对卷曲的要求见原标准中仅规定了卷曲变形小于本标准根

———“”(4.2.2):0.5mm,

据材料的厚度分别进行了规定

;

修改了标准中对条带扭曲的要求见原标准中仅规定了每条框架上扭曲不超过

———“”(4.2.4):

本标准将框架扭曲修改为条带扭曲并根据材料的厚度分别进行了规定

0.51mm,,;

修改了标准中对引线扭曲的要求见原标准中规定了引线扭曲的角度及引线宽度上

———“”(4.2.5):

的最大偏移量本标准删除了引线宽度上最大偏移量的规定

,;

原标准未考虑精压深度对精压宽度的影响简单地规定了精压深度的尺寸范围本标准修改

———,。

为在保证精压宽度不小于引线宽度的条件下精压深度不大于材料厚度的其参考

:90%,30%,

值为见

0.015mm~0.06mm(4.2.6);

将金属间隙修改为绝缘间隙并修改了标准中对绝缘间隙的要求见原标准规

———“”“”,“”(4.2.7):

定引线框架各内引线之间内引线与芯片粘接区之间的距离不小于本标准修改

“,0.152mm”,

为相邻两精压区端点间的间隔及精压区端点与芯片粘接区间的间隔大于

“0.076mm”;

修改了标准中对芯片粘接区斜度的要求见原标准中分别规定了在打凹和未打凹条

———“”(4.2.9):

件下的最大斜度本标准统一规定为在长或宽每尺寸最大倾斜

,2.54mm0.05mm;

将原标准中的芯片粘接区平面度与芯片粘接区平整度统一规定为芯片粘接区平面度

———“”“”“”

见

(4.2.11);

修改了标准中对毛刺的要求见取消了原标准中连筋内外不同区域垂直毛刺的不同

———“”(4.3.1):

要求本标准统一规定为

,0.025mm;

修改了标准中对凹坑压痕和划痕的要求见在原标准的基础上增加划痕的有关

———“、”(4.3.2):

要求

;

修改了标准中对局部镀银层厚度的要求见原标准仅规定了局部镀银层的厚度本

———“”(4.4.1):,

标准对局部镀银层厚度及任意点分别进行了规定

;

增加了铜剥离试验的有关要求见

———“”(4.6);

增加了银剥离试验的有关要求见

———“”(4.7);

对标准检验规则中相应条款进行修改参照检验规则并增加了鉴

———“5”,GB/T14112—2015,

Ⅰ

GB/T15878—2015

定批准程序和质量一致性检验的有关内容

;

修改了标准中对贮存的有关要求原标准有镀层的保存期为个月本标准规定为个月

———“”:3,6

见

(7.2);

增加了规范性附录引线框架机械测量

———A“”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本标准起草单位厦门永红科技有限公司

:。

本标准主要起草人林桂贤王锋涛申瑞琴

:、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T15878—1995。

Ⅱ

GB/T15878—2015

半导体集成电路

小外形封装引线框架规范

1范围

本标准规定了半导体集成电路小外形封装引线框架以下简称引线框架的技术要求及检验

(SOP)()

规则

。

本标准适用于半导体集成电路小外形封装冲制型引线框架

。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

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GB/T2423.60—20082:U:

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