标准解读

GB/T 17169-1997 是一项中华人民共和国国家标准，全称为《硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法》。该标准规定了用于评估硅抛光片和外延片表面质量的光反射测试的具体方法和要求，旨在为半导体材料的生产和应用提供统一的检测标准，确保产品质量的一致性和可靠性。以下是该标准的主要内容概览：

  1. 范围：本标准适用于单晶硅抛光片和外延片表面质量的光反射率测试，主要用于检测这些材料表面的平整度、洁净度及微缺陷等。

  2. 规范性引用文件：列出了执行本标准时所依据或参考的其他相关标准文献，确保测试过程与国际或国内其他标准相协调。

  3. 术语和定义：明确了在标准中使用的一些专业术语及其定义，帮助读者准确理解测试中的具体概念。

  4. 测试原理：描述了利用光反射原理来评估硅片表面质量的方法。通常涉及将特定波长的光照射到硅片表面，并测量反射光的强度或分布，以此来分析表面的微观状态。

  5. 仪器要求：详细说明了进行光反射测试所需设备的类型、精度要求以及校准方法，确保测试结果的准确性和可重复性。

  6. 试样制备：规定了测试前硅片的处理步骤，包括清洗、干燥等，以去除可能影响测试结果的外来污染。

  7. 测试条件：包括测试环境（如温度、湿度）、光照条件（如光源特性、入射角度）等具体要求，这些条件对测试结果有直接影响。

  8. 测试步骤：详细阐述了从设置仪器、放置试样到获取并记录数据的全过程，确保测试操作的标准化和规范化。

  9. 数据处理与分析：提供了如何处理测试数据，包括计算反射率、分析数据以识别表面缺陷的方法指导。

  10. 试验报告：规定了测试报告应包含的信息，如样品信息、测试条件、测试结果及必要的图表等，以便于结果的交流和追溯。


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  • 废止
  • 已被废除、停止使用，并不再更新
  • 1997-12-22 颁布
  • 1998-08-01 实施
©正版授权
GB/T 17169-1997硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法_第1页
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ICS.29.045H24中华人民共和国国家标准CB/T17169－1997硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法Testmethodforthesurfacequalityofpolishedsiliconwafersandepitaxiallwafersbyyoptical-reflection1997-12-22发布1998-08-01实施国家技术监督局发布

GB/T17169-1997前目前尚无检索到镜面状半导体品片表面缺陷光反射无报检验的国际标准或国外先进标准本标准利用近代激光技术、先进的光学接收装置，经过信息处理系统，可快速、无损完成对镜面状试样表面状态分析，试样表面缺陷的图像可直观地在屏幕上显示出来。本标准检验显示出的缺陷图像已编成图谱本标准可实现对半导体硅抛光片、外延片表面直观、灵敏、快速、无损检验。本标准是光电子技术与徽电子技术相结合应用于表面质最检验的研究所取得的重要成果本标准于1998年8月1日起实施。本标准由中国有色金属工业总公司提出。本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口本标准由南开大学、天津市半导体材料厂负资起草。本标准主要起草人：李增发、王宏杰、张福祯、颜彩繁、张光寅、邓江东本标准于1997年12月22日首次发布。

中华人民共和国国家标准硅抛光片和外延片cB/T17169-1997表面质量光反射测试方法Testmethodforthesurfacegualityofpolishedsiliconwafersandepitaxialwafcrsbyoptical-reflection1范围本标准规定了半导体硅抛光片和外延片表面常见缺陷的光反射无损检验方法。本标准适用于半导体硅抛光片和外延片表面质最的无损检验。本标准的检验结果与GB/T6624、GB/T14142的检验结果一致。2引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。在标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性GB/T6624—1995硅地光片表面质量目测检验方法GB/T14142—93硅外延层品体完整性检验方法腐蚀法GB/T14262—93半导体材料术语3方法原理用澈光作光源，利用激光的相干性和空间滤波的方法，形成波面高度均匀的发散光束，照射试样表面。由于试样表面存在各种不均勾性，反射光束的波面将发生畸变，畸变波面空间折叠，相干成像，形成与各种缺陷对应的图像。用一定的接收装置(CCD或摄像机)接收、记录反射图像，经过计算机信息处理系统，可完成试样表面的状态分析、储存。图像通过监视器，可直观地在屏幕上显示出来。由此可对试样

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