标准解读
GB/T 20228-2006《砷化镓单晶》是中国关于砷化镓(GaAs)单晶材料的质量标准。这一标准详细规定了砷化镓单晶的分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存等要求,旨在确保砷化镓单晶产品的质量和可靠性,适用于半导体器件制造等领域。
标准内容概览:
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范围:明确了本标准适用的砷化镓单晶类型,包括未掺杂、掺杂以及特定用途的砷化镓单晶。
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规范性引用文件:列出了执行该标准时需要参考的其他相关国家标准和行业标准。
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术语和定义:对标准中使用的专业术语进行了界定,帮助读者准确理解各项要求。
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分类:根据砷化镓单晶的直径、导电类型(如N型、P型)、掺杂元素及浓度等进行分类。
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技术要求:
- 外观:规定了砷化镓单晶表面应无明显缺陷,如裂纹、夹杂等。
- 尺寸和形状:详细说明了单晶直径、长度及其允许偏差,以及端面平整度等要求。
- 晶体质量:涉及位错密度、微缺陷分布等,以确保材料的电学性能和机械强度。
- 化学成分:规定了砷和镓的比例以及可能的杂质元素含量上限,确保材料纯度。
- 导电性能:包括电阻率、霍尔系数等电学参数的指标范围。
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试验方法:介绍了如何通过各种物理、化学测试手段来验证单晶的尺寸、纯度、电学性能等是否符合标准要求。
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检验规则:规定了产品出厂前的检验项目、抽样方案及合格判定准则,确保每批产品的质量一致性。
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标志、包装、运输、储存:详细说明了砷化镓单晶在标识、包装材料选择、运输防护措施及储存条件等方面的要求,以防止损坏和污染。
实施意义:
该标准为砷化镓单晶的生产、检验和应用提供了统一的技术依据,有助于提升国内砷化镓材料的标准化水平,促进半导体行业的健康发展,同时也有利于国际贸易中的产品质量认可与交流。
如需获取更多详尽信息,请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
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文档简介
ICS29.045H83中华人民共和国国家标准GB/T20228—2006砷化家单晶Calliumarsenidesinglecrystal2006-04-21发布2006-10-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会
GB/T20228—2006前本标准由中国有色金属工业协会提出本标准由信息产业部(电子)归口。本标准起草单位:北京有色金属研究总院。本标准主要起草人:王继荣、武壮文、于洪国、张海涛.
GB/T20228—2006神化家单晶1范围本标准规定了砷化家单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装等。本标准适用于各种方法生长的砷化镖单品,产品主要用于光电器件、微波器件、集成电路、传感元件和窗口材料等的制作。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勒误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而.鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。GB/T1555半导体单品品向测定方法GB/T4326非本征半导体单品霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T8760砷化镖单品位错密度的测量方法GB/T14264半导体材料术语GB/T14844半导体材料牌号表示方法GJB1927砷化家单品材料测试方法术语、定义GB/T14264确立的以及下列术语和定义适用于本标准31单品inglecrystal指各种方法生长的砷化镖体单品3.2rig0t指各种方法生长的砷化镖单品品键4要求4.1产品分类4.1.1产品按导电类型分为SI型、n型和p型4.1.2产品按生长方法分为液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法(VB)、水平布里奇曼法(HB)等。4.2单晶牌号单晶牌号参照GB/T148444.3单晶键的表示方法示例:HBGaAsTe表示水平布里奇曼法生长的掺蹄神化镖单品LECGaAsnone表示液封直拉法非掺神化管单品。VGFGaAs
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