GB/T 20228-2021砷化镓单晶

ICS29045

CCSH.83

中华人民共和国国家标准

GB/T20228—2021

代替GB/T20228—2006

砷化镓单晶

Galliumarsenidesinglecrystal

2021-05-21发布2021-12-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T20228—2021

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替砷化镓单晶与相比除结构调整和编辑性

GB/T20228—2006《》,GB/T20228—2006,

改动外主要技术变化如下

,:

更改了标准的适用范围见第章年版的第章

a)(1,20061);

增加了规范性引用文件见第章

b)GB/T13388(2);

删除了术语和定义中的单晶晶锭的定义见年版的第章

c)“”、(20063);

删除了按生长方法的分类见年版的增加了按直径的分类见

d)(20064.1.2),(4.2.2);

删除了单晶锭的表示方法见年版的

e)(20064.3);

原文件中的单晶单晶锭统一为砷化镓单晶见第章年版的第章

f)“”“”“”(5,20065);

更改了尺寸的要求见年版的

g)(5.1,20065.3.2);

更改了表面质量的要求见年版的

h)(5.2,20065.3.3);

更改了参考面的要求见年版的并增加了试验方法检验规则中相应的内容

i)(5.3,20065.3.1),、

见第章

(6.3、7);

增加了晶向偏离度的要求见

j)(5.4);

更改了非掺半绝缘砷化镓单晶的霍尔迁移率电阻率的要求见年版的

k)、(5.5,20065.1.2);

增加了截面电阻率不均匀性的要求见及其计算方法见

l)(5.5)(6.5);

增加了掺半绝缘砷化镓单晶的电学性能要求见

m)C(5.5);

更改了位错密度的要求见年版的

n)(5.6,20065.2);

更改了组批检验项目取样检验结果判定的内容见年版的

o)、、、(7.2~7.4,20067.3~7.5);

更改了随行文件的内容见年版的

p)(8.5,20068.3);

增加了订货单内容见第章

q)“”(9)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位云南中科鑫圆晶体材料有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司有色金属技

:、、

术经济研究院有限责任公司广东先导先进材料股份有限公司有研光电新材料有限责任公司义乌力

、、、

迈新材料有限公司

。

本文件主要起草人惠峰林作亮普世坤李素青尹国文陈维迪周铁军董汝昆罗爱斌林泉

:、、、、、、、、、、

马英俊宾启雄皮坤林

、、。

本文件于年首次发布本次为第一次修订

2006,。

Ⅰ

GB/T20228—2021

砷化镓单晶

1范围

本文件规定了砷化镓单晶的技术要求试验方法检验规则标志包装运输贮存随行文件及订

、、、、、、、

货单内容

。

本文件适用于液封直拉法垂直梯度凝固法垂直布里奇曼法生长的用于制备

(LEC)、(VGF)、(VB),

光电子微电子等器件的砷化镓单晶不适用于水平布里奇曼法生长的砷化镓单晶

、,(HB)。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T4326

砷化镓单晶位错密度的测试方法

GB/T8760

硅片参考面结晶学取向射线测试方法

GB/T13388X

半导体材料术语

GB/T14264

半导体材料牌号表示方法

GB/T14844

半绝缘砷化镓电阻率霍尔系数和迁移率测试方法

SJ/T11488、

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件