GB/T 24578-2015硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法

ICS77040

H17.

中华人民共和国国家标准

GB/T24578—2015

代替

GB/T24578—2009

硅片表面金属沾污的全反射

X光荧光光谱测试方法

Testmethodformeasuringsurfacemetalcontaminationonsiliconwafers

bytotalreflectionX-Rayfluorescencespectroscopy

2015-12-10发布2017-01-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T24578—2015

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替硅片表面金属沾污的全反射光荧光光谱测试方法

GB/T24578—2009《X》。

本标准与相比主要变化如下

GB/T24578—2009,:

扩大了标准适用范围除适用于硅抛光片外延片外同样适用于测定砷化镓碳化硅等

———,、,、、SOI

材料镜面抛光晶片表面的金属沾污见第章

(1);

干扰因素中增加了晶片表面对测试结果的影响见第章

———(6)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位有研新材料股份有限公司万向硅峰电子股份有限公司浙江省硅材料质量检验

:、、

中心

。

本标准主要起草人孙燕李俊峰楼春兰潘紫龙朱兴萍

:、、、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T24578—2009。

Ⅰ

GB/T24578—2015

硅片表面金属沾污的全反射

X光荧光光谱测试方法

1范围

11本标准规定了使用全反射光荧光光谱定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法本标

.X,。

准适用于硅单晶抛光片外延片以下称硅片尤其适用于硅片清洗后自然氧化层或经化学方法生长

、(),,

的氧化层中沾污元素面密度的测定测定范围为92152本标准同样适用于

,10atoms/cm~10atoms/cm。

其他半导体材料如砷化镓碳化硅等镜面抛光晶片表面金属沾污的测定

,、、SOI。

12对良好的镜面抛光表面可探测深度约分析深度随表面粗糙度的改善而增大

.,5nm,。

13本方法可检测元素周期表中原子序数的元素尤其适用于测定以下元素钾钙

.16(S)~92(U),:、、

钛钒铬锰铁钴镍铜锌砷钼钯银锡钽钨铂金汞和铅

、、、、、、、、、、、、、、、、、、。

14本方法的检测限取决于原子序数激励能激励射线的光通量设备的本底积分时间以及空白

.、、X、

值对恒定的设备参数无干扰检测限是元素原子序数的函数其变化超过两个数量级重复性和检测

。,,。

限的关系见附录

A。

15本方法是非破坏性的是对其他测试方法的补充与不同表面金属测试方法的比较及校准样品的

.,,

标定参见附录

B。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

半导体材料术语

GB/T14264

洁净厂房设计规范

GB50073—2013

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

31

.

掠射角glancingangle

全反射光荧光光谱测试方法中射线的入射角度

XX。

32

.

角扫描anglescan

作为掠射角函数对发射的荧光信号的测量

,。

33

.

临界角criticalangle

能产生全反射的最大角度当掠射角低于这一角度时被测表面发生对入射