GB/T 36357-2018中功率半导体发光二极管芯片技术规范

ICS31260

L53.

中华人民共和国国家标准

GB/T36357—2018

中功率半导体发光二极管芯片技术规范

Technicalspecificationformiddlepowerlight-emittingdiodechips

2018-06-07发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T36357—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

要求

3………………………1

检验方法

4…………………3

检验规则

5…………………5

包装运输和储存

6、…………………………9

附录规范性附录中功率半导体发光二极管芯片的目检

A()…………11

附录规范性附录人体模式和机器模式的静电放电敏感度分级及标志

B()…………14

GB/T36357—2018

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本标准由中华人民共和国工业和信息化部电子归口

()。

本标准起草单位中国电子技术标准化研究院厦门市三安光电科技有限公司中国电子科技集团

:、、

公司第十三研究所

。

本标准主要起草人刘秀娟赵英张戈蔡伟智张瑞霞赵敏张晨朝

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T36357—2018

中功率半导体发光二极管芯片技术规范

1范围

本标准规定了中功率半导体发光二极管芯片产品以下简称芯片的技术要求检验方法检验规

()、、

则包装运输和储存等

、、。

本标准适用于中功率半导体发光二极管芯片

。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验交变湿热

GB/T2423.4—20082:Db:(12h+

循环

12h)

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验和导则稳态加

GB/T2423.15—20082:Ga:

速度

环境试验第部分试验方法试验温度变化

GB/T2423.22—20122:N:

半导体器件第部分分立器件和集成电路总规范

GB/T4589.1—200610:

半导体器件机械和气候试验方法第部分总则

GB/T4937.1—20061:

半导体发光二极管测试方法

SJ/T11394—2009

半导体发光二极管芯片测试方法

SJ/T11399—2009

所有部分半导体器件机械和气候试验方法

IEC60749()(Semiconductordevices—Mechanical

andclimatictestmethods)

半导体器件机械和气候试验方法第部分芯片剪切强度

IEC60749-19:201019:(Semicon-

ductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part19:Dieshearstrength)

半导体器件机械和气候试验方法第部分键合强度

IEC60749-22:200222:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part22:Bondstrength)

3要求

31通则

.

311优先顺序

..

芯片应符合本标准和相关详细规范的要求本标准的要求与相关详细规范不一致时应以相关详

。,

细规范为准

。

312对详细规范的引用

..

本标准中使用按规定一词而未指明引用的文件时即指引用相关详细规范

“”,。

32材料和结构

.

321材料

..

应采用