下载本文档
文档简介
UDC621.315.592:621.317.3中华人民共和国国家标准GB4326-84非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法ExtrinsicsemiconductorsingleeCrystals-measurementofHallmobilityandHallcoeffictent1984-04-12发布1985-03-01实施家标准局批准
中华人民共和国国家标准UDC621.315非本征半导体单晶霍尔迁移率和.592:621.317.8GB4326-84霍尔系数测量方法ExtrinsicsemiconductorsingleCrystals-measurementofHallmobilityandHallcoerficient本标准适用于在非本征半导体单晶试样中确定载流子霍尔迁移率。为获得霍尔迁移率必须测量电阻率和霍尔系数,因此本标准也分别适用于这些参数的测量。本方法仅在有限的范围内和对错、硅和砷化钦进行了实验室测量,但该方法也可适用于其他半导体单晶材料。所述的测量技术至少适用于室温电阻率高达10"Qcm的试样。1术语1.1电阻率1.1.1电阻率是材料中平行于电流的电位梯度与电流密度之比。电阻率应在零磁通下测定。11.1.2电阻率是材料中直接测量的址。在具有单一类型载流子的非本征半导体中,电阻率与材料基本参数的关系如下:p=(neu)-!(1)式中:p一电阻率,.cmi载流子浓度,cm-3电子电荷值,C;-载流子迁移率,cm²/V·s。必须指出,对于本征半导体和某些P型半导体如P-Ge(存在两种空穴),式(1)显然是不适用的,而必须采用如下关系式:P-二(meui)-(2)式中心和4,表示第;种载流子相关的量。1.2蛋尔系数在各向同性的固体上同时加上互相垂直的电场和磁场,1.2.1则载流子在第三个互相垂直的方向上偏转,在试样两侧建立横向电场,称
温馨提示
- 1. 本站所提供的标准文本仅供个人学习、研究之用,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或网络传播等,侵权必究。
- 2. 本站所提供的标准均为PDF格式电子版文本(可阅读打印),因数字商品的特殊性,一经售出,不提供退换货服务。
- 3. 标准文档要求电子版与印刷版保持一致,所以下载的文档中可能包含空白页,非文档质量问题。
最新文档
- 诊疗方案总结分析优化(2篇)
- 2024届江苏省扬州市高考模拟地理含答案
- 电阻测量仪表项目计划书
- 鼠抗人T淋巴细胞单克隆抗体项目可行性报告
- 四川电信企业级大数据中心整体规划v.qy
- 全球与中国下一代天然纤维市场前景规划及未来前景展望报告2024-2030年
- 免疫球蛋白诊断血清相关行业投资规划报告
- 港口建设行业相关投资计划提议
- 江苏开放大学本科工程管理专业060064工程估价期末试卷
- 2024年小学六年级数学下册期中模拟考试(带答案)
- 管理干部问责管理办法
- 酒店管理专业建设情况调查问卷(学校)
- XXXX学校教师落实“双减”“五管理”任务目标责任书
- 医院感染监测清单
- 2020年中国桃种植面积、产量及贸易情况分析图
- 湖北地区医院详细名单一览表
- 主变安装作业指导书详解
- 6-1-2沟壑纵横的黄土高原
- 2019最新司法鉴定程序通则
- 10KV电力安全工器具试验报告
- 高钠血症诊断与治疗_图文.ppt课件
评论
0/150
提交评论