标准解读

《GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》相较于《GB 4586-1984》，主要在标准编号、内容范围以及技术要求上进行了更新和调整。具体变化包括：

  1. 标准性质的变化：从原来的强制性国家标准（GB）变更为推荐性国家标准（GB/T），这意味着该标准更多地作为指导和建议使用，而非强制执行。

  2. 内容与结构的调整：新版本对原有的章节结构进行了优化，更加清晰地定义了场效应晶体管的技术规格、测试方法等内容。这可能涉及到术语定义的更新、分类方式的细化等。

  3. 技术指标及试验方法的修订：根据当时最新的科学技术发展水平，《GB/T 4586-1994》可能增加了新的技术参数或改进了原有的一些测试条件与方法，以更好地适应市场和技术发展的需求。例如，对于某些特定类型的场效应晶体管，可能会有更详细的操作环境描述或是性能评估标准。

  4. 参考文献与附录信息的增补：为了提供更加全面的信息支持，《GB/T 4586-1994》或许还添加了一些相关领域的最新研究成果或者国际通用标准作为参考资料，并通过附录形式给出额外的数据表或其他有用资料。

这些改变体现了随着时代进步，半导体行业对于产品质量控制和技术规范制定方面不断追求更高标准的趋势。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 1994-12-30 颁布
  • 1995-08-01 实施
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文档简介

UDC621.382.323：621.317.3.08L42中华人民共和国国家标准GB/T4586—94EC747-81984半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管SemiconductordevicesDiscretedevicesPart8：Field-effecttransistors1994-12-31发布1995-08-01实施国家技术监督局发布

次第I章总则…·术语和文字符号第I章（第章基本额定值和特性（第W章（16)第V章接接收和可靠性·（38）

中华人民共和国国家标准半导体器件分立器件GB/T4586-94IEC747-8-1984第8部分:场效应晶体管代替GB4586—84SemiconductordevicesDiscretedevicesPart8:Field-effecttransistors本标准等同采用IC747-8一1984《半导体器件，分立器件：第8部分：场效应晶体管》及其IEC747-8第1次更改(1991)。第I章总1引言分立器件和集成电路通常，本标准需要与IEC747-1—1983《半导体器件第1部分：总则》一起使用。在IEC747-1中，可找到下列的全部基础资料：·术语；文字符号；基本额定值和特性；测试方法；接收和可靠性。各章节编排顺序符合IEC747-1第Ⅱ章2.1条的规定2范围本标准给出了下列类型场效应晶体管的标准：-A型：结栅型；-B型：绝缘栅耗尽型；-C型;绝缘栅增强型。3类型由于场效应品体管可具有一个或几个栅极，故可分成如下类型：场效应品体管（源极、漏极、一个或几个栅极）有一个或几个有一个或几个P沟道的器件N沟道的器件结栅器件绝缘粉器件结栅器件绝缘粉器件耗尽型器件增强型器件耗尽型

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