GB/T 43366-2023宇航用半导体分立器件通用规范

ICS49035

CCSV.25

中华人民共和国国家标准

GB/T43366—2023

宇航用半导体分立器件通用规范

Generalspecificationfordiscretesemiconductordevices

ofspaceapplication

2023-11-27发布2024-03-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T43366—2023

目次

前言

…………………………Ⅴ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………2

技术要求

4…………………3

总体要求

4.1……………3

质量保证等级

4.2………………………3

设计

4.3…………………3

材料

4.4…………………3

标识

4.5…………………3

生产过程

4.6……………6

外协加工和外购芯片

4.7………………7

基本要求

4.8……………8

试验方法

5…………………12

内部目检

5.1……………12

外观及尺寸检查

5.2……………………12

参数性能

5.3……………12

高温寿命

5.4……………12

温度循环

5.5……………12

二极管耐久性试验

5.6…………………12

晶体管耐久性试验

5.7…………………12

引线键合强度

5.8………………………13

扫描电子显微镜检查

5.9(SEM)………………………13

浪涌

5.10………………13

热响应

5.11……………13

恒定加速度

5.12………………………13

粒子碰撞噪声检测试验

5.13…………13

细检漏

5.14……………13

粗检漏

5.15……………13

晶体管高温反偏

5.16…………………13

功率高温反偏

5.17FET………………13

二极管高温反偏

5.18…………………14

射线照相

5.19X………………………14

Ⅰ

GB/T43366—2023

超声扫描

5.20…………………………14

可焊性

5.21……………14

耐溶剂

5.22……………14

热冲击液体液体

5.23(—)……………14

间歇工作寿命

5.24……………………14

二极管热阻

5.25………………………14

双极型晶体管热阻

5.26………………14

功率热阻

5.27FET……………………14

闸流晶体管热阻

5.28…………………14

热阻

5.29IGBT…………………………14

热阻

5.30GaAsFET…………………15

重量

5.31………………15

耐湿

5.32………………15

冲击

5.33………………15

扫频振动

5.34…………………………15

盐气侵蚀

5.35()………………………15

内部气氛含量

5.36……………………15

高压蒸煮

5.37…………………………15

稳态总剂量辐射

5.38…………………15

单粒子效应

5.39………………………15

破坏性物理分析

5.40(DPA)…………15

低气压只适用于额定电压大于的器件

5.41(200V)………………16

静电放电敏感度

5.42(ESDS)…………16

耐焊接热

5.43…………………………16

预处理

5.44……………16

回流焊模拟

5.45………………………16

引出端强度

5.46………………………16

强加速稳态湿热

5.47…………………16

检验规则

6…………………16

通则

6.1…………………16

检验分类

6.2……………16

试验和检验的环境条件

6.3……………16

检验批

6.4………………17

筛选

6.5…………………17

鉴定检验

6.6……………19

质量一致性检验

6.7……………………19

用户方监制

6.8…………………………27

Ⅱ

GB/T43366—2023

用户方验收

6.9…………………………27

包装标识运输贮存

7、、、…………………27

包装和标识

7.1…………………………27

运输贮存

7.2、…………………………28

附录规范性材料要求

A()………………29

总体要求

A.1…………………………29

封装材料

A.2…………………………29

器件的镀涂

A.3………………………30

附录资料性用户方监制

B()……………32

监制方式

B.1……………32

监制内容

B.2……………32

监制

B.3…………………32

附录资料性用户方验收

C()……………34

总则

C.1…………………34

验收工作内容

C.2………………………34

质量文件审查

C.3………………………34

验收试验

C.4……………34

验收的结果和处理

C.5…………………35

Ⅲ

GB/T43366—2023

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国宇航技术及其应用标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC425)。

本文件起草单位中国运载火箭技术研究院中国空间技术研究院西安电子科技大学济南市半导

:、、、

体元件实验所北京中科新微特科技开发股份有限公司国营第八七三厂深圳吉华微特电子有限公司

、、、、

朝阳微电子科技股份有限公司

。

本文件主要起草人加春雷张伟李彭丛忠超张爱学熊盛阳孙岩张莹薛军帅崔同王迎春

:、、、、、、、、、、、

张彦飞李寿全陈江曲赫然李志福

、、、、。

Ⅴ

GB/T43366—2023

宇航用半导体分立器件通用规范

1范围

本文件规定了宇航用半导体分立器件以下简称器件的通用要求质量保证规定交货准备和说

(“”)、、

明事项

。

本文件适用于宇航用半导体分立器件的设计生产检验和销售

、、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件分立器件和集成电路第部分整流二极管

GB/T4023—20152:

半导体器件分立器件第部分场效应晶体管

GB/T4586—19948:

半导体分立器件和集成电路第部分双极型晶体管

GB/T4587—19947:

半导体分立器件第部分分立器件和集成电路总规范

GB/T4589.1—200610:

半导体器件机械和气候试验方法第部分低气压

GB/T4937.2—20062:

半导体器件机械和气候试验方法第部分外部目检

GB/T4937.3—20123:

半导体器件机械和气候试验方法第部分强加速稳态湿热试验

GB/T4937.4—20124:

(HAST)

半导体器件机械和气候试验方法第部分快速温度变化双液

GB/T4937.11—201811:

槽法

半导体器件机械和气候试验方法第部分扫频振动

GB/T4937.12—201812:

半导体器件机械和气候试验方法第部分盐雾

GB/T4937.13—201813:

半导体器件机械和气候试验方法第部分引出端强度