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  • 1985-07-22 颁布
  • 1986-07-01 实施
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GB/T 5252-1985锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法_第1页
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UDC669.783621.315.592620.193中华人民共和国国家标准GB5252—85错单晶位错腐蚀坑密度测量方法Germaniummonocrystal-Inspectionofdislocationetchpitdensity1985-07-22发布1986-07-01实施：标国家批准

中华人民共和国国家标准UDC669.783：621.315.592错单晶位错腐蚀坑密度：620.193GB5252-85测量方法Germaniummonocrystal-nspectlonordislocationetchpitdenslty本标准适用于位错密度0～100.000cm～的N型和P型铬单晶棒或片的位错密度或其他缺陷的测量。观察面为（111）、（100）和（113）面。1定义1.1位错单晶中,部分原子受应力的作用产生滑移。已滑移部分与未滑移部分的分界线为位错线，简称位错。1.2位错密度单单位体积内位错线的总长度称为位错密度（cm/cm'）。本标准指单位表面上位错腹蚀坑的数目（个/cm）。1.3位错堆某区域的位错密度高于该断面其他区域的平均位错密度五倍以上，且其面积大于视场面积五倍以上，则称此区域为位错堆（图1）。1.4平底坑，这里称平底坑。单晶经化学腐蚀后，除位错腐蚀坑外，还有一些浅坑，它可能是由于空位或晶体的夹杂（如SiO.）等因素所致（图2)。1.5小角度晶界单晶中取向差很小的小晶粒的交界面称为小角度晶界。要求1mm长度内位错腐蚀坑在15个以上，且长度在1.5mm以上。（1I1）面上的位错腐蚀坑呈现一系列以角顶着底边的排列形式（图3）。1.6滑移线（位错排）由于沿着滑移面滑移，在晶体表面形成的线称滑移线或位错排。要求1mm长度内位错腐蚀坑在15个以上，且长度在1.5mm以上。（111）面的滑移线，位错腐蚀坑按（110〉方向排列成行，每一腐蚀坑的底边都在同一条直线上（图4）。1.7星形结构由许多位错腐蚀坑在宏观上排列成三角形或六角形的星形结构（图5）。1.8夹杂晶体中存在异质颗粒。2原理采用择优化学腐蚀法显示位错腐蚀坑，其原理是基于位错周围的晶格发生畸变，在晶体表面的露头处，对某些化学腐蚀剂反应速度较快，结果形成具有某种特定形状的腐蚀坑。于是用单位面积上

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