• 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 6620-2009
  • 1995-04-18 颁布
  • 1995-12-01 实施
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GB/T 6620-1995硅片翘曲度非接触式测试方法_第1页
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文档简介

UDC.669.782-415：620：173：26H21中华人民共和国国家标准GB/T6620－1995硅片翘曲度非接触式测试方法Testmethodformeasuringwarponsiliconslicesbynoncontactscanning1995-04-18发布1995-12-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准硅片翘曲度非接触式测试方法CB/T6620-1995Testmethodrormeasuringwarponsilicon代替6620-86sltcesbynoncontactscanning主题内客与适用范围本标准规定了硅单品切割片、研磨片、抛光片(以下筒称硅片)翘曲度的非接触式测量方法。本标准适用于测量直径大于50mm,厚度为150～1000m的圆形硅片的翘曲度。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度方法原理硅片置于基准环的3个支点上，3支点形成一基准平面。硅片上、下表面相对于测量仪的一对探头沿规定路径同时进行扫描，成对地给出上、下探头与硅片最近表面之间的距离，求其一系列差值。差值中最大值与最小值相减除以2,所得数值表示硅片翘曲度。扫描路径如图1所示。翘曲度的示意图如图2所示。一扫描制形图1测量扫描路径图国家技

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