标准解读
《GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法》与《GB 6621-1986》相比,在内容和结构上进行了多方面的更新和完善。首先,标准的编号从GB变更为GB/T,这意味着该文件由强制性国家标准转变为推荐性国家标准,反映了对于硅抛光片表面平整度测试方法在应用范围上的调整,使之更加灵活地适应不同企业和机构的需求。
在技术要求方面,《GB/T 6621-1995》对硅抛光片表面平整度的具体指标做了更详细的定义,并且增加了新的测试条件及参数设置指导,比如明确了使用光学干涉仪作为主要测量工具之一,并对其工作原理、操作步骤等进行了规范说明,提高了测试结果的一致性和可比性。
此外,新版本还引入了更多关于样品准备、环境控制等方面的建议,以减少外界因素对实验结果的影响。同时,对于数据处理部分也给出了更加具体的方法,包括如何计算平均值、标准偏差等统计量,以及如何根据这些数值来评估硅片表面的质量等级。
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文档简介
DDC.669.782-415.056.9:620.191.4H21中华人民共和国国家标准GB/T6621-1995硅抛光片表面平整度测试方法Testmethodsforsurfaceflatnessofsiliconpolishedslices1995-04-18发布1995-12-01实施国家技术监督局发布
中华人民供和国国家标准CB/T6621-1995硅抛光片表面平整度测试方法代替GB6621-86Testmethodsforsurfaceflatnessofsiliconpolishedslices第一篇方法A—光干涉法主题内客与适用范围本标准规定了用相干光的干涉现象测量硅抛光片表面平整度的方法.本标准适用于检测硅抛光片的表面平整度,也适用于检测硅外延片和类镜面状半导体品片的表面平整度。2术语2.1总指示读数(TIR)totalindicatorrunout(TIR)两个与基准平面平行的平面之间的最小垂直距离。处于品片正面的固定优质区(FQA)或局部优质区域内的所有的点在两平行平面的范围内。又称最大峰谷差(见图1)。掠射入射干沙仪拿考校镇特调试样的上表面峰伯差图1片计量学定义注:峰和谷的位置可能出现在试样表面的任何地方。2.2焦平面focalplane国家技
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