• 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 6621-2009
  • 1995-04-18 颁布
  • 1995-12-01 实施
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文档简介

DDC.669.782-415.056.9：620.191.4H21中华人民共和国国家标准GB/T6621-1995硅抛光片表面平整度测试方法Testmethodsforsurfaceflatnessofsiliconpolishedslices1995-04-18发布1995-12-01实施国家技术监督局发布

中华人民供和国国家标准CB/T6621-1995硅抛光片表面平整度测试方法代替GB6621-86Testmethodsforsurfaceflatnessofsiliconpolishedslices第一篇方法A—光干涉法主题内客与适用范围本标准规定了用相干光的干涉现象测量硅抛光片表面平整度的方法.本标准适用于检测硅抛光片的表面平整度，也适用于检测硅外延片和类镜面状半导体品片的表面平整度。2术语2.1总指示读数(TIR）totalindicatorrunout（TIR）两个与基准平面平行的平面之间的最小垂直距离。处于品片正面的固定优质区（FQA)或局部优质区域内的所有的点在两平行平面的范围内。又称最大峰谷差（见图1)。掠射入射干沙仪拿考校镇特调试样的上表面峰伯差图1片计量学定义注：峰和谷的位置可能出现在试样表面的任何地方。2.2焦平面focalplane国家技

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