JJF 1760-2019硅单晶电阻率标准样片校准规范

中华人民共和国国家计量技术规范

JJF1760—2019

硅单晶电阻率标准样片校准规范

CalibrationSpecificationfor

StandardSlicesofSingleCrystalSiliconResistivity

2019-09-27发布2020-03-27实施

国家市场监督管理总局发布

JJF1760—2019

硅单晶电阻率标准样片

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校准规范ॣJJF1760—2019ॣ

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ॣ代替JJG48—2004ॣ

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SingleCrystalSiliconResistivity

归口单位全国无线电计量技术委员会

:

主要起草单位中国计量科学研究院

:

参加起草单位福建省计量科学研究院

:

本规范委托全国无线电计量技术委员会负责解释

JJF1760—2019

本规范主要起草人

:

高英中国计量科学研究院

()

李兰兰中国计量科学研究院

()

参加起草人

:

罗海燕福建省计量科学研究院

()

杨爱军福建省计量科学研究院

()

JJF1760—2019

目录

引言

………………………(Ⅱ)

范围

1……………………(1)

引用文件

2………………(1)

术语和计量单位

3………………………(1)

电阻率

3.1………………(1)

厚度

3.2…………………(1)

直径

3.3…………………(1)

薄层电阻

3.4……………(1)

导电类型

3.5……………(1)

四探针

3.6………………(1)

局部径向电阻率均匀性

3.7……………(1)

概述

4……………………(2)

计量特性

5………………(2)

标准样片电阻率的测量范围

5.1………(2)

标准样片的电阻率标称值

5.2…………(2)

标准样片应具备的参数及性能要求

5.3………………(2)

校准条件

6………………(3)

环境条件

6.1……………(3)

校准用设备

6.2…………(3)

校准项目和校准方法

7…………………(3)

校准项目

7.1……………(3)

外观检查

7.2……………(4)

导电类型判别

7.3………………………(4)

直径测量

7.4……………(4)

厚度测量

7.5……………(4)

电阻率或薄层电阻测量

7.6……………(5)

局部径向电阻率均匀性测量

7.7………(6)

校准结果表达

8…………(7)

复校时间间隔

9…………(7)

附录原始记录格式

A…………………(8)

附录校准证书内页格式

B……………(10)

附录主要项目校准不确定度评定示例

C……………(11)

附录标准样片厚度修正系数表

D……………………(16)

附录标准样片直径修正系数

E………(17)

附录标准样片电阻率温度系数表

F…………………(18)

Ⅰ

JJF1760—2019

引言

本规范依据国家计量校准规范编写规则和

JJF1071—2010《》JJF1059.1—2012

测量不确定度评定与表示编写

《》。

本规范代替硅单晶电阻率标准样片与相比除编

JJG48—2004《》,JJG48—2004,

辑性修改外主要技术变化如下

,:

增加了引言引用文件术语和计量单位

———、、;

删除了硅单晶电阻率标准样片的级别分类

———;

删除了硅单晶电阻率标准样片的清洗方法

———;

修改了电阻率的测量范围由原来的改为

———,0.005Ω·cm~5000Ω·cm

0.003Ω·cm~1000Ω·cm;

修改了硅单晶电阻率标准样片直径的校准方法

———;

修改了硅单晶电阻率标准样片厚度的校准方法

———;

修改了硅单晶电阻率标准样片径向电阻率均匀性的校准方法

———。

本规范的历次版本发布情况

:

———JJG48—2004;

———JJG48—1990。

Ⅱ

JJF1760—2019

硅单晶电阻率标准样片校准规范

1范围

本规范适用于电阻率在之间的硅单晶电阻率标准样片

0.003Ω·cm~1000Ω·cm

的校准

。

2引用文件

本规范引用了下列文件

:

四探针电阻率测试仪

JJG508—2004

半导体材料术语

GB/T14264

凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本规范凡是不注日期的引用文

,;

件其最新版本包括所有的修改单适用于本规范

,()。

3术语和计量单位

电阻率

3.1resistivity

荷电载体通过材料受阻程度的一种量度电阻率是电导率的倒数符号为单位

。。ρ,

为

Ω·cm。

厚度

3.2thickness

通过晶片上一给定点垂直于表面方向穿过晶片的距离通常以晶片几何中心的厚度

。

为该晶片的标称厚度单位为

。μm。

直径

3.3diameter

横穿圆片表面通过晶片中心点且不与参考面或圆周上其他基准区相交直线的长

,

度单位为

。mm。

薄层电阻

3.4sheetresistance

半导体或薄金属膜的薄层电阻与电流平行的电势梯度对电流密度和厚度乘积的

,

比又称方块电阻符号为R单位为

。。s,Ω/□。