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全球第三代半导体SiC功率器件市场格局，电动汽车成为主要下游市场

一、SiC功率器件发展概况

半导体材料已经从硅、锗第一代材料发展到SiC、GaN的第三代半导体材料，相比前两代半导体材料，SiC和GaN在禁带宽度、击穿电场、热导率等方面表现更加突出，特别适用于现阶段下游正在快速发展的5G通讯和新能源汽车市场。半导体材料发展路径

SiC产业链分为三大环节，包括上游的SiC晶片、SiC外延，中游产业为SiC功率器件的制造，下游市场主要应用在新能源汽车、光伏发电、电源等领域。SiC产业链

SiC是现阶段高压、高功率、高频功率器件理想的材料，所以SiC功率器件在新能源车、充电桩、光伏、风电等这些对效率、节能和损耗等指标比较看重的领域，具有明显的发展前景。

二、SiC功率器件全球市场格局

相比于Si基的IGBT，SICMOS在产品尺寸、功率消耗大幅降低，在电动汽车的电池领域应用具有较强的性能提升。2018年特斯拉的主逆变器采用SiC，随后采埃孚、博世等多家零部件制造商以及比亚迪、雷诺等汽车生产商都宣布在其部分产品中采用SiC技术。汽车领域成为SiC功率市场快速发展的首要驱动力，2014-2019年全球SiC功率器件市场规模复合增长率35.83%，截至219年全球SiC功率器件市场规模约为6.15亿美元。2014-2019年全球SiC功率器件市场规模

根据《》全球SiC功率器件主要应用于电动汽车、电源和光伏领域，上述三个主要市场占据了SiC功率器件市场份额65%左右。2019年全球SiC功率器件下游应用格局

三、SiC功率器件企业格局

由于我国SiC市场起步晚，绝大部分材料基本依赖进口，国产化程度偏低。其中，上游的晶片基本被美国CREE和II-VI等美国厂商垄断。其中CREE从SIC上游材料切入到了SIC器件，相当于其拥有了从上游SIC片到下游SIC器件的产业链一体化能力。

由于碳化硅材料特殊的物理性质，晶体切割、加工等工艺要求高，需要企业长期投入和深耕才能形成产业化生产能力，导致SiC行业门槛很高。SiC功率器件行业主要企业不同尺寸SIC晶片的推出对比

四、中国SiC功率器件发展趋势

国内的企业均处于初创期或者刚刚介入SIC领域，包括传统的功率器件厂商华润微、捷捷微电、扬杰科技，从传统的硅基MOSFET、晶闸管、二极管等切入SIC领域，IGBT厂商斯达半导、比亚迪半导体等，但国内当前的SIC器件营收规模都比较小。

半导体产业是第四次工业革命的核心环节，我国在《中国制造2025》中明确了第三代半导体产业的重要性，近三年，针对第三代半

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