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文档简介

第二章

程序升温技术及其应用方法分类1程序升温脱附TPD2程序升温还原.氧化.硫化TPR.TPO.TPS3程序升温(表面)反应TPSR程序升温技术在程序控制温度T=f(t)下测量气体(吸附质)脱附,物质(催化剂)还原,氧化,硫化和表面反应的技术方法分类1程序升温脱附TPD2程序升温还原.氧化.硫化TPR.TPO.TPS3程序升温(表面)反应TPSR1.程序升温脱附(TPD)Temperture-programmeddesorption吸附质(气体)于固体表面的脱附速度:勿略扩散因素但有再吸附存在(1)若p=n则气相与固体表面间的物料平衡为:(2)T=T0+tdT=t(3)若加热速度呈线性关系由(1)(2)(3)式得(4)a.当载气流速(F)较再吸附可以忽略VsVmka(1-)n<<F指数升温脱附1基本方程导出载气流量足够大时,可忽略再吸附即非扩散控制的脱附动力方程式:(1)(2)(3)物料恒算(4)载气比脱附物的浓度大得多时2参数求取变对作图Ed脱附级数n=1n≠1指前因子A0由所求数据代入基本方程即

可求得TPD谱图的处理方法一、RedheadMethodTPD曲线,已知活化能.测量最大脱附速度时温度TP(Tm)和初始覆盖率指前因子Vn（A）二、变加热速度法(Heatingratevariation)固定θ0(θi)改变β(加热速度)得一系列TPD曲线.测量每条TPD曲线最大脱附速度时温度Tm(TP)及振幅NP()基本方程2有再吸附三、脱附速率等温线法(DesorptionRateIsotherms)对不同的θ0(θi)得一系TPD曲线或对不同的加热速度得一系列TPD曲线2.程序升温还原(TPR)TemperatureProgrammedReduction(G)+(MO)M+H2O在恒定时反应速度：反应速度常数k：根据阿累尼斯方程程序升温速度:T=T0+t当还原性气体(H2)很大,反应速度与气体浓度无关.若被还原物在时间t时还原，分数：当还原速度与C有关将阿累尼斯方程和代入并取对数由TPR图求得T,,3.程序升温表面反应Temperature-programmedsurfacereacti

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