电子版3-2清华电路原理课件chapt_第1页
电子版3-2清华电路原理课件chapt_第2页
电子版3-2清华电路原理课件chapt_第3页
电子版3-2清华电路原理课件chapt_第4页
电子版3-2清华电路原理课件chapt_第5页
已阅读5页，还剩11页未读， 继续免费阅读

付费下载

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

GoodAfternoon!4.共源-共栅组合放大电路(1)电路形式(2)动态特性 电压增益AVAV=AV1AV2-gm1[rds3(1/gmb3)]输出电阻RoRords3(gmb3)(3)电路的改进3.3MOS管电流源3.3.1耗尽型单管电流源(或结型)

无电阻型IDiD忽略沟道长度调制效应加大小!自生偏压型静态:耗尽型、结型R的大小调节ID大!3.3.2MOS基本电流源T1、T2工作在饱和区参数对称：

VGS(th)、相等

忽略沟道长度调制效应，且W2/L2=W1/L1则：IO=IR----镜像电流源W2/L2W1/L1则：

----比例电流源

0，VDS1VDS2则：

----电流微小差别IR的产生：Rr----有源负载3.3.3威尔逊电流源ROgm1rds1rds3条件：gm2>>gds2,

gm1rds1>>1,

gm1=gm2=gm3

大！T1上串接T4，使VDS1=VDS2，消除沟道长度调制效应！3.4MOS差分放大电路E/E型NMOS差放差模：单边等效电路T3vi1voVDDT4vi2T1T2T5VG-VSSISST3vi1voVDDT1共模：单边等效电路T3vi1voVDDT4vi2T1T2T5VG-VSSISSgmb1Vbs1G+-+-Vbs1viVgs1gm1Vgs1RDRSDBRDvi1RVDDT1vOE/D型NMOS差放差模：VDD共模：T3vi1voT4vi2T1T2T5VG-VSSISSCMOS差放：限幅区分界点1.直流传输特性线性输入范围大2．动态特性忽略时MOS差放特点Rid大，输入电流小输入线性范围大失调电压大、增益低3.5CMOS输出级（互补输出级）1.CD（共漏）CMOS输出级

VGS3+VGS4=VGS1+VGS2RO小AV<1Vom小

Vom=VDD-VDS6-VGS12.CS（共源）CMOS输出级

直流：VGS1=VG3-VDDVGS2=VS3+VSSVS3=VG3-VGS3动态：vIvGS1vGS2vOiD2iD1vIvO电压放大动态范围大输出电阻大，带负载能力有限3.6模拟开关

什么是模拟开关

------受控电子开关要求闭合：RON0vovI

关断：Roffvo0I组成

BJT：速度快

MOSFET：简单、RON小，Roff

大3.6.1单通道MOS开关vOVGvI1.工作原理VG=VGH时，vGS=VGH-vI>VGS(th)T导通，vDS0,vOvIVG=VGL时，vGS=VGL-vI<VGS(th)T截止，iD0,vO0特点：VGL-VGS(th)<vI<VGH-VGS(

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论