电子线路上学期(模电)教案分解

课题二极管课型新课教学目标1．熟识二极管的外形和符号2．掌握二极管的单向导电性3．理解二极管的伏安特性、理解二极管的主要参数4．会检测二极管教学重点二极管的单向导电性教学难点二极管的反向特性教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时4教学过程：引入1．观察二极管的外形2．得出共性特征：具有两个电极，将其拉入电路中会出现何种特性呢3．演示实验（1）实验电路（2）现象灯亮或不亮，说明电路导通或不通。结论：有一类器件能单方向导电，这类器件是晶体二极管。晶体二极管的单向导电性1．结构：一个是正极，一个是负极2．符号：3．文字：V4．结论：a．外加电压为正极高电位，负极低电位时二极管导通，正偏。b．外加电压为负极高电位，正极低电位时，二极管截止，反偏。单向导电性：晶体二极管加一定正向电压时导通，加反向电压时截止。课堂练习判断二极管是否导通PN结1．本征半导体：不加杂质的纯净半导体，如硅、锗。2．载流子：半导体中存在的两种导电的带电物体。（1）自由电子：带负电。（2）空穴：带正电。特性：在外电场的作用下具有定向移动的效应，能形成电流。3．P型半导体：在本征半导体中掺三价元素。空穴数大于自由电子数。即：多数载流子为空穴，少数载流子为电子。4．N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素。即：多数载流子为电子，少数载流子为空穴。注意：无论是P型、N型半导体，其正、负电荷总是相等的，整个半导体保持电中性。5．PN结采用掺杂工艺，使硅或锗的一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体区域，在P区和N区的交界面形成一个具有特殊电性能的薄层，称为PN结。将PN结加封装成二极管，从P区引出为正极，N区引出为负极。课程小结：（1）PN结正向偏置时，电阻很小，导通。（2）PN结反向偏置时，电阻很大，截止。（展示各种二极管）（观察灯的发光情况）（引导）（讨论、回答、评析）（讲解）（讲解）（图形模拟）（引导）板书设计：晶体二极管的单向导电性1．结构：一个是正极，一个是负极2．符号：3．文字：V4．结论：PN结1．本征半导体：2．载流子：（1）自由电子：带负电。（2）空穴：带正电。3．P型半导体：4．N型半导体：5．PN结练习1．画一个可使灯发光的二极管电路。2．将以下器件串联，使二极管导通。（学生完成）3．画出图中的电流通路。小结半导体材料：硅、锗→P型、N型→PN结→单向导电性→二极管布置作业习题一1-1、1-2、1-3、1-4；判断下图中二极管是否导通。教学反思：基础知识和基本技能掌握，对绝大多数同学来说，还是比较好，但极少数同学还是比较差。对于灵活性较强的问题，解题能力较差，知识的综合运用能力欠缺。原理分析：1学生原有基础较差，个体之间的差异较大。课题二极管的伏安特性、简单测试、分类、参数课型新课教学目标1．熟悉二极管的伏安特性2．会简单测试二极管3．理解二极管的分类、型号及参数教学重点伏安特性、测试方法教学难点二极管的反向特性教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时4教学过程：A复习1．二极管的特性是，具体体现为加电压导通，加电压截止。2．判断下列电路中二极管导通情况。B．引入从以上第1题来看，V是否能导通，需进一步研究二极管的伏安特性。C．新授课伏安特性实验：二极管伏安特性测试目的：得出二极管电流随二极管电压的变化关系实验电路：调节触头，使加于二极管两端的电压变化，观察毫安表的变化情况有以下结论：(1)当正向电压较小时，正向电流极小，称为死区，死区电压：硅0.5V，锗0.2V。(2)当正向电压大于死区电压时，电流随电压增大而急剧增大，二极管导通。(3)二极管导通后，两端电压基本稳定，一般硅为0.7V，锗为0.3V。反向特性：(1)当加反向电压时，二极管反向电阻很大，电流极小，此时电流为反向饱和电流。(2)当反向电压不超过反向击穿电压时，反向饱和电流几乎与反向电压无关。(3)当反向电流在反向电压增大到一定时突然增大，此时反向电压为反向击穿电压。击穿：电击穿——可恢复；热击穿——不可恢复。注意：二极管正向电流不能过大，为限制电流，应在二极管电路中加串联电阻起限流作用。二极管的简单测试一、测试基本原理（1）二极管的伏安特性：正向时，电阻小，导通；反向时，电阻大，截止。（2）万用表电阻挡用万用表内部电源。注意：表内电池的正极与黑表笔相连，不能与万用表面板的“＋”、“－”相混。二、测试方法1．选用万用表R×100、R×1k挡问题：为什么不选用R×1挡（电流较大）R×10k挡（电压较高，二极管损坏）2．接线3．结论（1）一次电阻较大（大于几百千欧），一次电阻较小（几百欧、几千欧），说明二极管正常。（2）阻值小的，与黑笔相接的为二极管的正极。二极管的分类、型号和参数1．分类（1）材料：硅二极管、锗二极管（2）结面积：点接触型、面接触型（3）用途：整流、稳压、发光、光电、变容2．主要参数（1）最大整流电流IFM：二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。（2）最高反向工作电压VRM：二极管允许承受的反向工作电压峰值，反向击穿电压。（3）反向漏电流IR：规定的反向电压和环境温度下的二极管反向电流值。IR越小，二极管的单向导电性能越好。（填空）（练习）（讨论）（引导）（演示实验、观察变化）（讲解）（引导分析伏安特性）（引导）（提问，引起思考）（实操）板书设计：实验：二极管伏安特性测试目的：得出二极管电流随二极管电压的变化关系实验电路：二极管的简单测试一、测试基本原理（1）二极管的伏安特性：正向时，电阻小，导通；反向时，电阻大，截止。（2）万用表电阻挡用万用表内部电源。1．选用万用表R×100、R×1k挡2．接线3．结论二极管的分类、型号和参数1．分类（1）材料：硅二极管、锗二极管（2）结面积：点接触型、面接触型（3）用途：整流、稳压、发光、光电、变容2．主要参数（1）最大整流电流IFM：（2）最高反向工作电压VRM：（3）反向漏电流IR：练习实际动手操作二极管的测量小结1．伏安特性2．测试3．分类布置作业习题一1-5，1-6，1-7教学反思：很多同学对于上过的课程不做复习，对于新课知识没有充分的做好预习和准备工作很多同学的动手能力有待提高，需要加强练习课题晶体二极管整流电路课型新课教学目标1．能理解整流的概念2．掌握单相半波、全波整流电路的工作原理，会计算3.负载的整流二极管上的电压和电流教学重点整流电路中二极管的电压教学难点整流电路的工作原理和波形分析教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时2教学过程：A．复习1．硅二极管的门坎电压为V，导通电压为V。锗二极管的门坎电压为V，导通电压为V。2．比较硅二极管和锗二极管的反向漏电流。3．说出以下电路中硅二极管能否导通及二极管上的电压。导通Vv0.7V截止Vv3V（反向）B．引入利用二极管的单向导电性，可将交流电转成直流电，电路如何构成，工作原理怎样？C．新授课整流：将交流电转换成直流电的过程。整流电路：利用晶体二极管的单相导电性，将单相交流时间性转换成直流电的电路。单相半波整流电路一、工作原理1．电路构成2．工作分析（1）单相交流电压v1经变压器降压后输出为v2；（2）当v2正半周时，A为正，B为负。二极管承受正向电压导通，电路有电流。问题：a．标出电流方向。b．若二极管电压为0，vL与v2的关系如何？（3）当v2负半周时，B为正，A为负。二极管随反向电压截止，电路中几乎无电流。结论：负载RL上只有自上而下的单方向电流，即RL的电流为直流电流。3．波形分析a．v2与v1是变压关系，波形为正弦波。b．正向导通时，vL与v2几乎相等，即vL随v2同步变化。c．负载上的电流与电压波形类似，因为是阻性负载。d．反向截止时，v2的电压加于二极管，二极管反向电压与v2负半周相同。（引导学生作出波形。）二、负载和整流二极管上的电流1．负载两端电压——以平均值表示VL0.45V2V2为变压器二次电压有效值，用欧姆定律计算2．负载电流——平均值3．二极管的正向电流IV与流过负载RL的电流IL相等（提示二极管与负载的串联关系）4．二极管反向电压截止时承受反射峰值电压5．选择二极管额定电压＞反向峰值电压、二极管额定整流电流＞实际流过电流（回答）（引导观察电路）（引导分析）（讨论、回答、评析）（解释“几乎”二字）（点明波形分析关键几点）板书设计：概念介绍：整流：整流电路：1.2.1一、工作原理1．电路构成2．工作分析二、负载和整流二极管上的电流1．负载两端电压——VL0.45V22．负载电流——平均值3．二极管的正向电流IV与流过负载RL的电流IL相等4．二极管反向电压截止时承受反射峰值电压5．选择二极管练习提供参数，进行计算V218V，RL24Ω，求VL，IL小结1．组成2．原理3．输出电压4．二极管参数布置作业补充1．画单相半波整流电路，并分析其工作原理。2．画出负载上电压、电流波形。教学反思：对两个班级的定位太高，在教学上有些好高骛远，对于基础较差同学的学习效果不是太重视，学生们接受地有点囫囵吞枣。整改：1注意基本知识和基本技能的教学，一步一个脚印教深教透。2多调动同学的学习兴趣，注意关注基础较差的同学，注重他们的听课效果。3注重较好同学的能力培养。课题全波整流电路课型新课教学目标1．能理解单相全波整流电路的工作原理，波形分析2．会计算负载和整流二极管上的电压和电流3．会分析桥式单相全波整流电路，会计算教学重点桥式整流电路教学难点负载上和整流二极管上的电压和电流教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时2教学过程：A．复习半波整流电路和相关公式（1）VL0.45V2（2）（3），IvILB．引入从半波整流波形中可知，单相半波整流电路电源利用一半将电路改变，可以提高电源利用率。C．新授课单相全波整流电路一、变压器中心抽头式单相全波整流电路1．电路变压器二次若为正半电压，则A端为正，B端为负，且VA＞VC＞VB2．工作原理问题：（1）当输入电压为正半周时，A、B、C三点电位高低如何？VA＞VC＞VB（2）V1、V2哪个导通？V1（3）作出电流通路。（4）若输入电压为负半周时，回答以上三个问题。归纳结论：RL的电流在电源正负半周时均为同方向，说明RL的电流是直流电。波形分析问题：当V1导通时，V2承受电压为多少？V2的反向最大电压为。3．负载和二极管上的电压和电流V2aV2bV2 （1）VL——负载全波脉动直流电压平均值VL0.9V2V2为变压器二次绕组两个部分各自交流电压有效值。（2）负载电流IL（3）二极管的平均电流每个二极管的平均电流为负载电流的一半，即IvIL（4）二极管的反向最高电压VRM二、单相桥式全波整流电路1．电路2．工作原理问题：（1）v2为正时，导通的二极管是V1，V3，截止的是V2，V4。（2）画出v2为正时的导通电路。（3）标出RL上的电流方向。（4）截止二极管承受的反向电压为。（5）v2为负时，讨论以上问题。3．负载和二极管的电压和电流（1）VL0.9V2（2）（3）IVIL（4）VRM（练习）（讲解）（引导观察电路）（引导分析）（学生讨论完成）（引导学生画出波形）（引导识别电路图，辨清：①与电源、与负载连接的两端点，②V1V3、V2V4的方向关系）（讨论完成、引导评析）（提示：符号含义与前面电路相同）板书设计：单相全波整流电路一、变压器中心抽头式单相全波整流电路1．电路2．工作原理3．负载和二极管的电压和电流练习有一直流负载，需要直流电压VL60V，直流电流IL4A，若采用桥式整流电路，求二次电压，选择二极管。（解释“直流电压”的含义。）解：VL0.9V2IVIL=×4A=2AVRM1.41×66.7V94V通过查手册，选用电流大于2A，额定反向电压为100V的2CZ12A二极管四只。三、桥堆小结全波整流→变压器抽头式、桥式→工作原理→负载电压电流、二极管电压电流。布置作业习题一1-8，1-9教学反思：同学们做的练习还不够，对于前面上过的内容还很陌生，对知识点的掌握还不够！加强与学生交流，找出学生在学习电子线路知识中存在的困难

课题整流电路习题课型复习教学目标进一步理解整流电路的工作原理，分析方法教学重点整流电路的工作原理教学难点新型变形电路的分析教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时2教学过程A．复习1．对照电路图简述全波整流的原理。2．负载与二极管的电压和电流公式。3．将下列图正确连接，并标出电流方向。4．当桥式电路出现以下故障时，分析其不良影响：（1）V1极性接反。当v2负半周，V2与V1导通，将二次侧短路，使变压器烧坏。（2）V2开路。电路变为半波整流，输出电压降低。（3）V2被击穿短路。当v2正半周时，V2与V1导通，变压器二次侧短路烧坏。（4）2负载RL被短路。电路的输出电流大，造成变压器二次线圈或整流二极管被烧坏。5．桥式整流的波形分析。6．桥式整流电路中，当v2正半波时，哪些二极管承受反向电压？画出等效电路图。V2、V4处于截止状态，并为并联，此时承受反向最大电压均为。B．引入练习：下列电路是否是整流电路，简述其工作原理。（1）标出电流方向。（2）V1、V2的反向最大电压。（3）画出V2的电压波形。（归纳电路连接方法）（引导讨论、学会画交流通路的分析方法）（引导学生分析）（学生完成）（学生完成）（讨论完成）（讨论完成）练习1．比较三种整流电路（学生完成）。单相半波变压器中心抽头桥式整流二极管数VLILIVVRM特点2．桥式整流电路，分别画出负载电压波形。小结（1）整流电路分析基本方法。（2）各种整流电路的对比。布置作业习题一1-10，1-11，1-12教学反思：1．能认真钻研教材，注重学生基础知识的训练。学习了二极管的基础知识及其应用，需要在理解的基础上面做练习题。2．能注重对学生答题方法的训练。培养学生如何面的陌生问题的分析方法

课题滤波器和稳压器课型新课教学目标1．了解滤波和滤波电路的概念2．理解电容滤器的作用原理，说明它们的使用场合3．了解电感滤波器的作用，了解复式滤波的形式教学重点滤波电路的概念教学难点电容滤波器的工作原理教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时2教学过程：A．引入整流电路输出的是脉动直流电，方向虽然不变，但它的大小量值有较大波动。电子设备很多场合需要比较稳定的电压，故必须将脉动大的直流电变为较为平缓的直流电。B．新课滤波器一、滤波1．将脉动较大的直流电变为变化平缓的直流电的过程。2．滤波电路：能实现滤波作用的电路。3．滤波器件：电容器、电感器。形式：电容滤波器、电感滤波器、复式滤波器。二、电容滤波器1．电路图2．工作分析及波形（1）0～t1，v2上正下负，V导通，对C充电，vC上升，因为RC很小，所以vC上升很快，vC随v2几乎同时达到相等，在t1时，vC。（2）t1后，v2下降，所以vC＞v2，V截止，VC通过RL放电，RL中有电流。t1～t2：iRLC，vC下降。（3）v2负半周，V仍截止，vC仍为放电。（4）第二个正半波时，v2由0上升但v2＜vC时V仍截止。（5）到t2后时，v2＞vC，v2对C充电，至vC，v2又下降，vC对RL放电，重复第二步。由上可知：半波整流电路输出电压vL的脉动程度减弱，波形平滑。3．全波整流滤波的工作分析（1）全波整流结果是全波脉动直流电v2正、负半周均有二极管导通。（2）v2对C充电两次，充电方向相同，电容C对负载放电时间缩短。（3）波形4．输出电压（平均值）估算：半波：vLv2全波：vL1.2v2+VL+VL－用于负载电流小、负载电阻大的场合。三、电感滤波器1．电路：电感与负载串联2．滤波原理电感直流电阻小，交流阻抗大，在电流脉动时，将产生感应电动势。（1）当电流上升时，电感线圈中将产生与电流相反的感应电动势，阻止电流增加。（2）当电流下降时，将阻止电流减小。（3）脉动程度变小。3．适用场合负载电流大并经常变化的场合。四、复式滤波器1．特点：（1）两种或以上滤波器组合（2）效果比单一的好2．电路形式：（1）L形（2）π形（3）RCπ形（讲解）（讲解）（引导共同分析、弄清v2＞vC充电，v2＜vC放电）（讨论完（引导分析波形）（比较电压大小）（说出L与RL连接方式，与电容滤波器进行比较）（对比两种滤波器）（识别电路）板书设计：滤波器一、滤波形式：电容滤波器、电感滤波器、复式滤波器。二、电容滤波器1．电路图2．工作分析及波形3．全波整流滤波的工作分析4．输出电压（平均值）5．适用场合三、电感滤波器1．电路：2．滤波原理3．适用场合四、复式滤波器1．特点：2．电路形式：小结（1）滤波的形式。（2）电容滤波的工作原理。（3）两种滤波的使用场合。布置作业（1）滤波电路的分类有哪几种？（2）简述电容滤波电路的工作原理。

教学反思：知识学习是前后相辅相成的，滤波电路是在前面的整流电路的基础上面加入一些元件形成新的电路功能，因此基础教育很重要！课题硅稳压二极管稳压电路课型新课教学目标1．熟悉硅稳压二极管的符号，理解其稳压原理2．了解稳压二极管的参数3．能阐述硅稳压二极管稳压电路的工作原理教学重点稳压二极管的特性教学难点稳压二极管稳压原理教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时2教学过程A．复习1．电容滤波器的工作原理。电路形式、波形、输出电压2．电感滤波器的作用。3．二极管的单向导电性。B．引入交流电网电压的波动和负载变化使输出直流电压不稳定，通常在电路中要有稳定输出电压的电路。C．新授课硅稳压二极管稳压电路一、硅稳压二极管正向特性1．硅稳压二极管正向特性与普通二极管类似，大于死区电压后导通，导通后为0.7V。2．稳压——工作在反向击穿状态（1）反向电压小于击穿电压，电流很小。（2）反向电压增大到击穿电压VA时，反向电流开始急剧增大，产生电击穿。（3）经特殊处理，只要反向电流小于它的最大允许值，管子仅为电击穿，外电压撤除后，可恢复，不损坏二极管。（4）在击穿区内，反向电流的变化很大，但ΔVZ很小。（5）可近似认为稳定电压就是略大于击穿电压。二、稳压二极管的主要参数1．稳定电压VZ。粗略认为是反向击穿电压，VZ≈VA。但每个稳压管只有一个稳定电压，同型号的是稳定电压的范围。2．稳定电流：对应于VZ的电流值。3．最大稳定电流Imax：稳压管允许长期通过的最大反向电流。4．动态电阻：VZΔVE/ΔIE。（把稳压管比喻成一个可膨胀的管子，当电压稍改变，管中流过较大电流，说明稳压管中电流可变。）动态电阻小的，稳压性能好。三、硅稳压二极管稳压电路的工作原理1．电路整流→滤波→稳压注意：二极管工作在反向状态。2．稳压过程当VI、RL变化，VO波动设VO下降：VO↓→IE↓→IR（IZ+IL）↓→VR↓VO↑由于V和RL并联，V管总要限制VＯ的变化，所以能稳定输出电压。问题：如果R0，还能稳压吗？（否）R在电路中起限流作用。（讲解）（对比，与普通二极管的差别）（讲解）（观察二极管接法）板书设计：硅稳压二极管稳压电路一、硅稳压二极管正向特性1．硅稳压二极管正向特性2．稳压——工作在反向击穿状态二、稳压二极管的主要参数1．稳定电压VZ。整流→滤波→稳压2．稳压过程由于V和RL并联，V管总要限制VＯ的变化，所以能稳定输出电压练习1．稳压管的稳压值由什么决定？由所需稳压的具体电路确定。2．稳压管的工作电流是大好？小好？由r可知电流大些好，r就小，但电流大，引起温度上升，易损坏器件。小结硅稳压管稳压时工作状态、主要参数、稳压电路稳压过程布置作业习题一1-13，1-14，1-15

教学反思：没有理清一些容易混淆的概念，使学生在选择时迷失了方向，关于电压和电流等关系，同时关于交流电，直流电等等概念！课题第二章晶体三极管课型新课教学目标1．掌握三极管的结构、分类和符号2．理解三极管的工作电压和基本连接方式3．理解三极管电流的分配和放大作用、掌握电流的放大作用教学重点三极管结构、分类、电流分配和放大作用教学难点电流分配和放大作用教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时4教学过程：A．引入在电子线路中，经常用的基本器件除二极管外，还有三引脚的三极管。B．新授课三极管的结构、分类和符号一、晶体三极管的基本结构1．观察外形2．三极管的结构图三极：发射极、基极、集电极两结：发射结、集电结三区：发射区、基区、集电区3．特点（1）发射区掺杂浓度较大，以利于发射区向基区发射载流子。（2）基区很薄，掺杂少，载流子易于通过。（3）集电区比发射区体积大且掺杂少，收集载流子。注意：三极管并不是两个PN结的简单组合，不能用两个二极管代替。二、图形符号a．NPN型b．PNP型三、分类1．内部三个区的半导体分类：NPN型、PNP型2．工作频率分类：低频管和高频管3．以半导体材料分：锗、硅三极管的工作电压和基本连接方式一、三极管的工作电压1．三极管工作时，发射结加正向电压，集电结加反向电压。2．偏置电压：基极与发射极之间的电压。二、三极管在电路中的基本连接方式1．共发射极接法共用发射极2．共基极接法共用基极3．共集电极接法共用集电极三极管内电流的分配和放大作用一、电流分配关系三极管的特殊构造，使三极管具有特殊作用。1．实验电路2．三极管中电流分配关系（1）IEIC+IB。（2）基极电流IB很小，所以IEIC。3．ICEO——基极开路时c、e的电流ICEO越小，说明温度稳定性越好。4．ICBO——发射极开路时c、b间的电流集电极、基极反向饱和电流二、电流放大作用1．当IB有较小变化时，IC就有较大变化2．交流电流放大系数：注意：工作电流不同，β不同，在IC较大范围内，β变化很小。3．直流电流放大系数4．IC＝bIBIC＝IB＋ICEO（讲解）（引导：比较两种符号，箭头说明发射结导通的方向）（观察）板书设计：三极管的结构、分类和符号一、晶体三极管的基本结构1．观察外形2．三极管的结构图3．特点二、图形符号三极管的工作电压和基本连接方式一、三极管的工作电压二、三极管在电路中的基本连接方式1．共发射极接法2．共基极接法3．共集电极接法三极管内电流的分配和放大作用一、电流分配关系1．实验电路2．三极管中电流分配关系3．ICEO——基极开路时c、e的电流4．ICBO——发射极开路时c、b间的电流二、电流放大作用1．当IB有较小变化时，IC就有较大变化2．交流电流放大系数：3．直流电流放大系数练习画出晶体三极管的结构组成图形和图形符号小结三极管结构→分类→电流分配关系布置作业习题二2-1，2-2，2-3，2-4教学反思：应该着重介绍晶体三极管的结构域二极管组成的不同之处，让同学在理解的基础上注意熟记和加以区别学习三极管的主要用途，让同学们了解这种器件的特性课题三极管的输入和输出特性课型新课教学目标1．熟悉三极管的输入和输出特性曲线2．能正确指出输出特性曲线的三个区域，明确三极管的三个状态3．能正确判别三极管的三个状态教学重点三极管的输出特性曲线、工作状态教学难点工作状态的判别教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时2教学过程：A．复习1．三极管的类型、分类、结构。2．三极管的电流分配关系。3．三极管的电流放大作用。B．引入三极管的基本作用已经明了，还需进一步了解三极管的特性，包括输入特性和输出特性的特性曲线，三极管在不同电压条件下的工作状态等。C．新授课一、三极管共发射极输入特性1．定义：VBE与IB的数量关系。2．输入特性曲线——对每一个固定的VCE值，IB随VBE的变化关系。（1）当VCE增大时，曲线应右移。（2）当VBE0.3V时，曲线非常靠近。（3）当VBE大于发射结死区电压时，IB开始导通。导通后VBE的电压称为发射结正向电压或导通电压值，硅管为0.7V，锗管约为0.3V。二、晶体三极管的输出特性曲线1．定义每一个固定的IB值，测出IC和VCE对应值的关系。2．三个区域（1）截止区：①IB0，三极管截止，IB0以下的区域。②IB0，IC≠0，即为ICEO。③三极管发射结反偏或两端电压为零时，为截止。（2）饱和区：①VCE较小的区域。②IC不随IB的增大而变化。③饱和时的VCE值为饱和压降。④VCES：硅管为0.3V，锗管为0.1V。⑤发射结、集电结都正偏，处于饱和。（3）放大区：①IC受IB控制，ΔIC=bΔIB，具有电流放大作用。②恒流特性：IB一定，IC不随VCB变化，IC恒定。③发射结正偏，集电结反偏，处于放大状态。总结：三极管工作状态由偏置情况决定。放大截止饱和发射结正偏集电结反偏发射结反偏或零偏发射结正偏集电结正偏NPNVC＞VB＞VEVB≤VEVB＞VE，VC＞VEPNPVC＜VB＜VEVB≥VEVB＜VE，VC＜VE例题：1．判别三极管的工作状态2．将上题改为PNP型硅管再作判别。3．判断三极管的放大状态，各极名称、管型。（学生根据电路图写公式）（本组题为已知管型。）指导：先看VBE再看VBC，NPN多为硅管，PNP多为锗管，饱和区VCE≈0.3V）（本组题为未知管型仅知管脚电位）指导：1．中间电位值的为基极。2．电位值接近基极的为发射极。电位值与基极相差较大的是集电极。3．VBE0.7V或接近，为NPNVBE0.3V或接近，为PNP）板书设计：一、三极管共发射极输入特性1．定义：VBE与IB的数量关系。2．输入特性曲线——对每一个固定的VCE值，IB随VBE的变化关系。二、晶体三极管的输出特性曲线1．定义2．三个区域（1）截止区：（2）饱和区：（3）放大区：总结：三极管工作状态由偏置情况决定。练习习题二2-6，2-7，2-8，2-9小结1．三极管特性曲线2．三个区域、三个状态3．三个状态判别的方法布置作业2-1、2-2、2-3、3-4教学反思：学习一种种器件主要是学习他的构造，以及制造出来以后的用途，涉及到用途就要了解他的参数，这是一种分析方法三极管的用途书要是起到放大作用，要是三极管起到放大作用就要是他的发射结正偏。集电结反偏，因此就需要加电源，同时要加电阻进行减压！

课题三极管的主要参数课型新课教学目标1．了解三极管的主要参数。2．会简单测试三极管硅管、锗管。教学重点参数和测试教学难点测试教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时1教学过程：A．复习1．三极管的输入、输出特性曲线。2．三极管的三个区域、三个状态。3．各个状态的特性。B．引入学习了三极管的基本特性，要正确使用三极管必须了解三极管的参数，并会测试三极管。C．新授课三极管的主要参数一、共发射极电流放大系数1．共发射极直流放大系数2．共发射极交流放大系数b在同等工作条件下，=b二、极间反向饱和电流1．集电极-基极反向饱和电流ICBO2．集电极-发射极反向电流（穿透电流）ICEO关系：ICEO（1+b）ICBO三、极限参数三极管正常工作时，允许的最大电流、电压和功率等极限数值。1．集电极电大允许电流ICM若IC过大，b将下降；当IC＞ICM，b将下降很多。2．集电极最大允许耗散功率PCMPCM最大允许平均功率是IC和VCB乘积允许最大值。3．集电极—发射极反向击穿电压VCEO基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，电压超过此值后，会电击穿导致热击穿，损坏管子。三极管或锗管的简易测试一、硅管或锗管的判别原理：1．硅管发射结正向压降为0.6~0.8V2．锗管发射结正向压降为0.1~0.3V测试：二、估计比较b的大小1．万用表R×1k2．方法3．比较b的大小当开关S断开和接通时的电阻值，前后两个读数相关越大，表示三极管的b越高。三、估测ICEO1．万用表R×1k2．方法3．结论：阻值越大，ICEO越小4．阻值无穷大，三极管内部开路；阻值为零，则内部短路。四、NPN型管和PNP型管的判别1．万用表R×1k或R×1002．方法（1）黑表笔搭接三极管某一管脚，红表笔搭接另管脚，如果阻值都很小，黑表笔所接为NPN型管的基极。（2）红表笔搭接三极管一脚，黑笔搭另两脚，如果阻值都很大，红表笔所接为是PNP型管的基极。五、三个管脚的判别NPN型按电路连接阻值小的一次，黑笔接c，红笔接e。（讲解）（边测边学）指导：（1）搞清各电极在放大时的电位关系。（2）NPN截止，VCE间阻值大；放大，VCE间阻值小。板书设计：三极管的主要参数一、共发射极电流放大系数二、极间反向饱和电流三、极限参数三极管正常工作时，允许的最大电流、电压和功率等极限数值。1．集电极电大允许电流ICM2．集电极最大允许耗散功率PCM3．集电极—发射极反向击穿电压VCEO三极管或锗管的简易测试一、硅管或锗管的判别原理：1．硅管发射结正向压降为0.6~0.8V2．锗管发射结正向压降为0.1~0.3V二、估计比较b的大小1．万用表R×1k2．方法3．比较b的大小三、估测ICEO1．万用表R×1k2．方法3．结论：阻值越大，ICEO越小4．阻值无穷大，三极管内部开路；阻值为零，则内部短路。四、NPN型管和PNP型管的判别1．万用表R×1k或R×1002．方法五、三个管脚的判别练习能够正确的分析一只三极管是属于硅管还是锗管？能够判别出一只三极管的基极小结1．参数2．三极管的测定方法布置作业习题二，2-10补充：三极管9011的参数为PCM400mW，ICM30mA，V(BR)CEO30V，问该型号管子在以下情况下能否正常工作。1．VCE20V，IC25mA2．VCE3V，IC50mA教学反思：1.三极管的重要参数就是放大系数，具有很重要的作用，需要学会测量。2.在实际应用之中，学会判别三极管的三个管脚的极性才能够对电路板进行安装，因此学会管脚判别也是至关重要的

课题4.2场效应管及其放大电路课型新课教学目标1．熟悉场效晶体管的分类、特性曲线、与普通三极管在性能上的异同点2．能理解结型场效晶体管的工作原理，理解它的特性曲线教学重点结型场效晶体管的符号、工作特点、特性曲线教学难点转移特性曲线教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时2教学过程：A．引入普通三极管以基极电流的变化控制集电极电流，故称为电流控制器件，今天分析的是另一种晶体管——场效晶体管。B．新授课2.2.1结型场效晶体管一、结型场效晶体管的结构和符号1．N沟道结型场效晶体管（1）结构特点①N型硅棒引出两个电极：漏极（d）、源极（s）。②N型硅棒两侧扩散P型区（浓度高），形成两个PN结。③两个P型区相连引出电极为栅极（g）。④漏源之间由N型半导体构成的导电沟道是电流流通的路径，称为N沟道。（2）符号符号中箭头隐含从P指向N的意思。2．P沟道结型场效晶体管二、结型场效晶体管的工作原理以N沟道结型场效晶体管为例。1．电路连接（1）在gs间加反向电压（2）在ds间加正向电压2．工作原理（1）当VGS0，N沟道在VDS作用下，形成电流ID，此时，电流ID最大。（2）当│VGS│↑→PN结受反向偏压→PN结加宽→N沟道变窄→电阻变大→ID减小。（3）当VGS达到一定值，PN结变得较宽，以至N沟道被两边PN结夹断，则ID0结论：（1）通过调节VGS可控制漏极电流ID的变化。（2）P沟道与N沟道工作原理相同（VGS＞0，VDS＜0）。（3）VGS使PN结反偏。（4）场效晶体管只有多数载流子导电，故称为单极晶体管。三、结型场效晶体管的特性曲线和跨导1．场效晶体管测试电路（N沟道为例）2．转移特性曲线——反映ID随VGS的变化关系（1）当VGS0时，ID最大，此时为漏极饱和电流IDSS。（2）当VGS增大，ID减小。（3）当VGS为某一值，ID=0，则VGS为夹断电压。转移特性曲线3．输出特性曲线——当VGS一定ID与VGS的关系（1）设VGS0，①当VGS0，ID0。②当VGS↑，ID↑。③当VDS再增加，ID不再增加。④当VDS超过一定的值，ID突然增加。（2）当|VGS|↑，曲线下移。（3）当VGS大到夹断电压，ID0。特性曲线的三个区域：（1）可调节器电阻区：沟道阻值随|VGS|增大而减小。（2）饱和区：当VGS一定，ID不随VDS变化。（3）击穿区：ID突然增大。4．跨导：反映VGS对ID的控制能力。在饱和区内：（单位S）（学生根据N沟道的结构特点，讨论P沟道结型管的结构）（讨论）（学生画出P沟道结型管的电路图，注意VGS）（引导与三极管对比，三极管称为双极晶体管）（引导学生画出P沟道结型管的转移特性曲线，并与工作原理对应起来理解）2.2.1结型场效晶体管一、结型场效晶体管的结构和符号1．N沟道结型场效晶体管（1）结构特点（2）符号2．P沟道结型场效晶体管二、结型场效晶体管的工作原理1．电路连接2．工作原理结论：三、结型场效晶体管的特性曲线和跨导1．场效晶体管测试电路（N沟道为例）2．转移特性曲线3．输出特性曲线特性曲线的三个区域：（1）可调节器电阻区：（2）饱和区：（3）击穿区：4．跨导：练习知道结型场效应管的工作类型能够理解结型场效应管的工作原理小结结型场效晶体管的结构、符号、转移特性布置作业习题二2-11，2-12，2-13教学反思：区别极性三极管与结型场效应管的区别。结型场效晶体管的结构、符号、转移特性。应该注重前后知识点的连贯复习和从新学习，让学生加强知识的巩固！

课题2.2.2绝缘栅场效晶体管课型了解教学目标1．了解绝缘栅场效晶体管的结构、工作原理2．理解MOS管的特性曲线、图形符号、场效晶体管的主要参数教学重点MOS管的特性曲线教学难点几种MOS管的特性曲线教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时2教学过程：A．复习1．画出N、P沟道结型场效晶体管符号。2．为什么N沟道VGS＜0，且反向电压越大，ID越小？3．什么是夹断电压VP（ID0时的VGS）？什么是漏极饱和电流（VGS0时的ID）？4．从输出特性曲线上，有几个区域，有什么特点？B．新授课一、绝缘栅场效晶体管的结构和工作原理、特性1．N沟道增强型绝缘栅场效晶体管（1）结构特点：①P型衬底扩散两个高浓度N型区，引出两电极：源极和漏极。②P型衬底覆盖绝缘层，引出栅极。（2）符号（3）工作原理①VDS＞0（正向电压）当VGS0，ID0；当VGS＞0，栅极与P衬底形成电场N型薄层（电子反型层）沟道形成ID。②只有当VGS＞VT（开启电压），才形成沟道。因为在电场下有沟道，无电场无沟道，沟道形成与VGS有关，故称为增强型。（4）转移特性曲线当VGS＜VT时，ID0；当VGS＞VT时，ID0。（5）输出特性曲线当VGS＞VT且一定时：趋势区域1VDS较小，ID可调电阻区2VDS较大，ID基本不变饱和区3VDS再大，ID突然增大击穿区2．N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管（1）结构：与增强型NMOS管比较，不同之处在于SiO2层有大量正离子。（2）符号：（3）工作原理：当VDS＞0时，有ID（自身有导电沟道）。当VGS＞0并上升，N沟道变宽，ID↑。当VGS＜0并增大负电压，N沟道变窄，ID↓。当ID0时，VGS＜VP——夹断电压。（4）转移特性：①VGS0，IDIDSS。②VGS＞0并↑，ID↑。③VGS＜0，|VGS|增加，ID减小。④VGSVP，ID0。（5）输出特性曲线三个区域：可调电阻区、饱和区、击穿区。（6）跨导：EMBEDEquation.3反映ΔVGS对ΔID的控制能力。小结绝缘栅场效晶体管的图形符号增强NMOS耗尽NMOS增强PMOS耗尽PMOS2.2.3场效晶体管的主要参数和特点1．直流参数：=1\*GB3①开启电压VT。=2\*GB3②夹断电压VP。=3\*GB3③饱和漏极电流IDSS=4\*GB3④直流输入电阻RGS2．交流参数：=1\*GB3①跨导gm；=2\*GB3②极间电容3．场效晶体管特点：项目器件名称普通三极管场效晶体管极型特点是双极型器件，又称双极型三极管是单极型器件，又称单极型三极管控制方式电流控制电压控制类型PNP型、NPN型两类N沟道、P沟道两类放大类型β=50~200gm=1000~5000μA/V输入电阻102~104Ω107~1015Ω噪声较大较小热稳定性差好抗辐射能力差强制造工艺较复杂简单、成本低（学生自读）板书设计：一、绝缘栅场效晶体管的结构和工作原理、特性1．N沟道增强型绝缘栅场效晶体管（1）结构（2）符号（3）工作原理（4）转移特性：（5）输出特性曲线三个区域：可调电阻区、饱和区、击穿区。（6）跨导：2.2.31．直流参数：2．交流参数：小结=1\*GB3①类型=2\*GB3②符号=3\*GB3③转移特性=4\*GB3④输出特性布置作业补充：1．画各种场效晶体管的图形符号，并说明名称；2．场效晶体管输出特性曲线的三个区域，说明其名称和特征。教学反思：经过一个多月的学习，很多没有认真学习的同学，开始出现了听课困难的现象，应该在班级上面做出老师帮学生，学生帮学生的活动，让一部分不怎么好学的学生开始学习！慢慢的找到学习方法！对学习感兴趣，然后有所改变！

课题期中复习教案课型复习课教学目标1．熟识二极管的外形和符号2．掌握二极管的单向导电性3．理解二极管的伏安特性、理解二极管的主要参数4．会检测二极管教学重点对所学知识点进行系统的复习，通过模拟电路的学习，从理论上把高压电变成低压电；把交流电变成直流电；把脉动的直流电变为平滑的直流电，将直流电稳压。教学难点利用半导体制成的晶体二极管和晶体三极管等对电路的影响，使信号发生改变！教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时4教学过程：1、电子线路由电子器件和元件组成。2、晶体管从材料构造上可以分为硅管和锗管。3、晶体二极管具单向导电特性,其中电路图符号为。4、半导体可以分为本征半导体、P型半导体和N型半导体三种类。5半导体中导电的物质称为载流子,他们分别是空穴和自由电子。PN结具有单向导电性，即：加正偏电压时PN结导通；加反偏电压时PN结截止。当晶体二极管导通后，硅二极管的正向压降为0.7V，锗二极管的正向压降为0.3V。8、晶体二极管整流是把交流转换成直流的过程。9、常见的滤波器有电容滤波器、电感滤波器、复式滤波器。10、半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物体。11用万用表能够测量二极管的好坏和正负极性,使用R×100Ω或R×1Ω两档。12二极管一般按材料、PN结面积大小和用途分类。13测量二极管时.两次测得的阻值都很小,表明二极管内部短路,如两次测得阻值较大则表明内部断路。14二极管处于正偏的状态时,锗管的工作电压范围为0.2V~0.3V,硅管的工作电压范围是0.5V~`0.7V.15单相半波整流电路由电源变压器、整流二极管和负载电阻组成二、选择题：1、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（C）A少数载流子B多数载流子C既有少数载流子又有多数载流子晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该晶体二极管处于（B）A零偏B反偏C正偏当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（B）。A减小B增大C不变用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（A）AR×100Ω或R×1Ω挡BR×1Ω挡CR×10KΩ挡半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（B）。AP型半导体B本征半导体CN型半导体6、当晶体二极管的正向特性区，晶体二极管相当于（B）A大电阻B接通的开关C内部短路7、如果二极管的正反向电阻都非常小或为零，则该二极管（B）A正常B已被击穿C内部已断路8、用万用表欧姆挡测量二极管好坏时，测量的正反向阻值相差（A）越好。A、大B、小C、零9、（A）半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。A、N型B、P型C、纯净10、下列二极管分类中不是按用途分类的是（C）。A、发光二极管B、整流二极管C、硅二极管11、二极管正向导通时的电压称之为（A）。A、门坎电压B、正向压降C、复合电压12、下列不属于选用半波整流二极管的条件的是（C）。A、二极管的额定电压应该大于承受的反向峰值电压B、二极管的额定整流电流应大于流过二极管的实际工作电流C、二极管的电阻要足够大13、变压器中心轴头式全波整流电路，每个二极管承受的反向峰值电压比半波整流时高出（A）。A、一倍B、四倍C、八倍14、下列不属于半波整流电路器件的组成部分的是(C)。A、电源变压器B、发光二极管C、电灯泡15、电容器是一种（Ｂ）的器件。A、阻碍电流通过B、储存能量C、电磁转化16、二极管整流电路输出的脉动直流电压波动性大，不能用于（C）。A、电镀B、电解C、自动控制三、是非题1、在半导体内部，只有电子是载流子。（×）2、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（×）3、一般来说，硅晶体二极管的死区电压（门坎电压）小于锗晶体二极管的死区电压。（×）4、晶体二极管击穿后立即烧毁。（×）5、在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（×）6、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。（√）7、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（√）8、简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起能形成PN结。（×）9、万用表上标注“+”号的地方表示与表内电源正极相接。（×）四、问答题1、简述电子技术在我们生活中的应用？答：电子技术在通信领域、电气控制、计算机和文化方面都有重大影响，类如洗衣机，电视剧，收音机，移动电话，台式电脑等。2、简述半导体的三种分类及其原因?答半导体分为纯净半导、Ｐ型半导体、Ｎ型半导体：纯净半导体又称本征半导体，其内部带正电的空穴和带负电的自由电子数目相等；Ｐ型半导体又称为空穴型半导体，其内部空穴的数量多于自由电子的数目，即空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。Ｎ型半导体，又称电子型半导体，其内部自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子。五、画图题1、画出二极管的结构示意图和图形符号2、画出中心轴头式半波整流电路图五、计算题：1、有一直流负载，电源变压器次级电压V2=50V，若采用半波整流电路，求所需要的直流电压VL是多少？2、有一直流负载，电源变压器次级电压VL=60V，直流电流IL=4A。若采用桥式整流电路，求电源变压器次级电压V2并选择整流二极管。复习总结：基础知识和基本技能掌握，对绝大多数同学来说，还是比较好，但极少数同学还是比较差。对于灵活性较强的问题，解题能力较差，知识的综合运用能力欠缺。原理分析：1学生原有基础较差，个体之间的差异较大。

课题3.1放大器的基本概念课型新课教学目标1．了解扩音机的方框图，知道放大器的放大倍数，会计算增益2．了解单级低频小信号放大器的基本组成，明确电路中电压电流符号法则等3．理解设置静态工作点的作用教学重点静态工作点的作用教学难点增益和静态工作点教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时2教学过程：A．引入在电子线路中，能将微弱的电信号放大，转换或较强的电信号的电路，称为放大器。B．新授课3.1.1放大器概述一、晶体三极管的基本结构1．方框图2．特点放大器：=1\*GB3①输出功率比输入功率大。=2\*GB3②有功率放大作用。变压器的输入功率与输出功率相同，因此不能称为放大器。3.1.2放大器的放大倍数一、放大倍数的分类1．电压放大倍数Av2．电流放大倍数Ai3．功率放大倍数Ap二、放大器增益放大倍数较大，可取对数，称为增益Ｇ。单位为分贝（用dB表示）。1．功率增益Gp10lgAp（dB）2．电压增益Gv20lgAv（dB）3．电流增益Gi20lgAi（dB）例题：1．放大电路第一级40dB，第二级20dB，求总的增益，解：总的增益为(4020)dB20dB2．电压放大倍数为1000，电流放大倍数为100，功率放大倍数为多少？解：Gp=10lg(1000100)50dBGv=20lg100060dBGi=20lg10040dB3．第一级电压放大倍数为0.01，第二级为1000，求总放大倍数和增益。解一：Av0.01100010Gv20lgAv20dB解二：Gv1=20lg0.01dB=40dBGv220lg1000dB60dBGvGv1Gv220dB3.2单级低频小信号放大器低频信号：20Hz～20kHz3.2.1电路的说明一、电路的组成和电路图画法1．电路中各元件名称GＣ是集电极电源，通过集电极电阻供给集电结的反向偏压。GB－基极电源，通过Rb供给发射结的正向偏压。2．单电源供电电路中，GC通过Rb供给晶体管发射结所需的正向偏置电压。3．以电位表示电源的放大器画法。C1、C2是耦合电容，隔直通交。二、电路中电压和电流符号写法的规定1．直流分量物理量和下标均大写。2．交流分量物理量和下标均小写。3．总量直流分量和交流分量总和，其物理量为小写，下标为大写。3.2.2放大器的静态工作点一、静态：将放大器的输入端短路，即放大器处于无信号输入的状态。二、Q点：三极管直流电压VBE、VCE和对应的IB、ICIBQ=ICQβIBQVCEQVGICQRC三、静态工作点的作用（1）当输入正弦信号Vi时，在其正半周，发射结导通，负半周，发射结截止，即负半周信号不能输入三极管，无信号输出。（2）合适的静态工作点可避免信号的负半周出现截止失真。（3）流经GC-Rb-VBE结-地回路的电流，称为偏置电流。提供偏置电流的目的是为了减小截止失真。板书设计：3.1.1放大器概述一、晶体三极管的基本结构1．方框图2．特点3.1.2放大器的放大倍数一、放大倍数的分类二、放大器增益3.2单级低频小信号放大器低频信号：20Hz～20kHz3.2.1电路的说明一、电路的组成和电路图画法二、电路中电压和电流符号写法的规定3.2.2一、静态：二、Q点：三、静态工作点的作用练习习题三3-3，3-5小结1．放大器概述2．方框图3．增益4．电路组成及形成5．静态工作点的作用布置作业习题三32，33，34，35补充：=1\*GB3①以下放大电路框图，求各级电压Vo1、Vo2、Vo3。=2\*GB3②求上题总的电压放大倍数及总的增益。=3\*GB3③已知某放大器的输出电压为100mV，电压增益为20dB，求输入电压。应点明：=1\*GB3①多路放大，倍数相乘，但增益相加。=2\*GB3②增益为“负号”，也带进另算。教学反思：1、三极管组成的放大电路是应用了三极管对电流的放大作用，学习新知识，是在老的知识基础上面建立起来的，同时新的问题又会随之而来，就需要我们沿着一定的思路继续探索。2教学思路应该更加明确，同时注意引导学生思考一些电路方面的分析方法

课题3.2.3共发射极电路的放大和反相作用课型新课教学目标1．知道共发射极电路的构成2．理解放大电路的工作原理，会画各物理量的波形3．会画放大电路的直流通路，交流通路教学重点各物理量的波形及表达式教学难点物理量交、直流表示教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时2教学过程：A．复习1．电路中电压和电流符号写法（1）直流分量：IB，IC（双大）（2）交流分量：ib（双小）（3）总量：（物理量变化）iB（小，大）2．静态：把放大器的输入端短路IBQICQβIBQVCEQVG-ICQRCB．新授课3.2.3共发射极电路的放大和反相作用一、放大器的工作原理1．输入信号为vi经C1耦合加到b、e极。2．基极电流iBib+IBQ集电极电流iCiC+ICQ3．输出电压VCEVGiCRCVGICQ+ic)RcVGICQRcicRcVCEQicRc经电容耦合后VCE-icRcVo-icRc负号表示，ic增加，Vce减小，Vce与ic反相关系。4．特点（1）为了使放大器不失真地放大信号，必须建立合适的静态工作点。（2）单级共发射极放大电路兼有放大和反相作用。（3）在交流放大器中同时存在直流分量和交流分量。二、波形分析三、直流通路与交流通路1．直流通路把电容视为开路，可计算静态工作点。2．交流通路容抗小的电容器及内阻小的电源，交流压降小，可视为短路。板书设计：共发射极电路的放大和反相作用一、放大器的工作原理1．输入信号为vi2．基极电流iBib+IBQ3．输出电压4．特点二、波形分析三、直流通路与交流通路1．直流通路2．交流通路练习1．已知Vi画出Vo2．已知ic画出Vo3．练习画直流通路和交流通路小结1．共射极放大器有放大作用2．输入电压与输出电压有倒相作用布置作业设输入vi在基极的电流iD幅值为30A，画出各量的波形。vCE/VC2300KvCE/VC2300KΩ300KΩ解：IBQA40μAICQ（）μA2mAVCEQ（12-2´2）V8Vic幅值=β(动幅值)（50´30）μA1.5mAic最大=ICQ+ic幅值（2+1.5）mA3.5mAic最小=ICQ-ic幅值（21.5）mA0.5mA教学反思：1：共发射极放大电路是放大电路里面最常用的一种放大电路，因此要熟练的计算出每一个静态工作点的数值。2能够在应算中减去一些繁杂的计算，更能够直观的理解电路，使一部分怕计算的同学能够掌握

课题3.3放大电路的分析方法课型新课教学目标1．理解图解法的基本含义2．会画共射极放大电路的直流负载线3．会确定静态工作点4．会分析参数变化对静态工作点的影响教学重点直流负载结和图解静态工作点教学难点参数变化对静态工作点的影响教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时1教学过程：A.复习1．放大器静态工作点有哪些主要参数2．静态工作点计算公式（IBQ，ICQβIBQ，VCEQVGICRC）3．作业点评B.引入当Rb↑时，静态工作点如何变化？其变化对电路的放大作用有何影响，这个问题若采用计算的方法是很难作出判断的，有了图解法就可以较为直观地作出正确判断。C.新授课3.3.3图解法一、用图解法分析静态工作点1．直流负载线（1）在输出回路中，可列出以下电压方程VCEVGIcRc称为直流负载方程。（2）将直流负载方程以直线表示：在VCEIC的坐标系中，找两个特殊点。开路电压点IC0，VCEVG短路电流点VCE0，IC画出直流负载线，如上图所示。2．静态工作点的图解分析（1）放大电路中的IC与VCEQ必须同时处于直流负载线和输出特性曲线上，即静态工作点必须位于它们的交点上。（2）若IBIBQ，则交点只有一个，即为静态工作点Q。（3）Q的横坐标为VCEQ，纵坐标为ICQ。（确定回路，利用基尔霍夫电压定律列出回路电压方程）板书设计：用图解法分析静态工作点1．直流负载线2．静态工作点的图解分析练习1．单管放大电路与三极管特性曲线如图所示（引导学生完成）作直流负载线，并确定静态工作点。解：=1\*GB3①作直流负载线。=2\*GB3②确定输出特性曲线，由IBQ确定。=3\*GB3③找交点，写出横坐标，纵坐标，得到静态工作点。小结1．图解法的定义和步骤2．利用图解法求解电路工作点对静态工作点的影响3．分析参数布置作业习题三3-16，3-17，3-18教学反思：分析静态工作点的算法，掌握用图解的办法来分析静态工作点的意思，通过生动形象的比喻来让学生更加容易的接受和掌握课题3.3.4估算法课型复习教学目标1．知道估算法分析放大器的方法2．会用估计法进行输入电阻、输出电阻、电压放大倍数的计算教学重点估算法求静态工作点、电压放大倍数教学难点估算静态工作点、动态指标教学方案学生自主学习、教师提问辅助讲解、学生模拟练习相结合、讲授法、练习法、训练法计划课时2教学过程：A．复习图解分析较直观，但步骤繁，不太准确。B.新授课一、估算静态工作点IBQICQβIBQVCEQVGICRC二、估算输入电阻、输出电阻和放大倍数1．动态分析的三个指标ri、ro、Av（1）三极管输入电阻rbe近似计算式为rberb+(1+β)小功率管取300Ω（大功率管取50Ω）则rbe300Ω+(1+β)=300Ω+（2）放大电路输入电阻=1\*GB3①定义：放大器输入端看进去的交流等效电阻ri。因为ri所以riRb∥rbe因为Rb＞＞rbe，所以rirbe（3）输出电阻：从放大器输出端（不包括RL）看进去交流等效电阻ro。因为c、e间动态电阻大所以roRc。结论：（1）ri大，向前级电路吸取电流小，减小前级电路的负担。（2）ro小，向外输出信号时自身消耗少，提交带负载能力。4．估算放大倍数的公式=1\*GB3①不带负载时。=2\*GB3②带负载时注意：=1\*GB3①空载时，电压放大倍数大。=2\*GB3②负号表示输出电压与输入电压反相。例：如图β60，VBEQ0.7V，Vi10mV，求=1\*GB3①静态工作点Q；=2\*GB3②交流参数Av，ri，ro；=3\*GB3③Vo。解：（1）IBQ37.8μAICQβIBQ60×37.8μA2.3mAVCEQ202.3×2)V15.4V（2）ri300Ω+984Ωro3kΩ（3）=－184Vo－184×10mV－1.84V板书设计：一、估算静态工作点二、估算输入电阻、输出电阻和放大倍数1．动态分析的三个指标ri、ro、Av（2）放大电路输入电阻（3）输出电阻：4．估算放大倍数的公式练习习题三3-83-9小结静态工作点IBQ——>直流通路。动态指标ri，ro，Av——>交流通路。布置作业习题三3-10，3-11，3-12教学反思：同学在掌握和学习静态工作点的时候对于概念理解比较清晰，但是一遇到计算问题就无从下手，应应该加强练习，从计算方面来克服怕学习的问题课题3.4分压偏置放大电路