磁控溅射硅靶材及邦定后硅靶材编制说明

《磁控溅射硅靶材及邦定后硅靶材》（征求意见稿）编制说明一、工作简况（一）任务来源硅靶材行业的产品日趋规范化，这主要取决于行业用户设备的规范化以及用户对产品的需求稳定化、常规化和多样化，内部质量由“无要求”变成“多晶硅靶材的内部质量不应有气孔、硬质点和隐裂纹等缺陷”；靶材的化学成分要求由原来的“由供需双方商定”变成稳定的4N级硅靶材、5N级硅靶材、6N级硅靶材等，并列明了每一项常测杂质的检测上限；靶材的尺寸及其允许偏差由“由供需双方协商”变成几种常规尺寸产品和“特殊的商定产品”；靶材的表面状况由原来的“由供需双方协商”变成常规的靶材表面粗糙度及平面度要求和“特殊的商定产品”等。目前有色金属行业标准YS/T719-2009《平面磁控溅射靶材光学薄膜用硅靶材》已经不能满足硅靶材市场的需求。2017年5月，中国标准化协会通过了团体标准《磁控溅射硅靶材》的立项。该项目由大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司提出，由中国标准化协会归口。（二）标准制定的目的和意义目前硅靶材在国际市场的销售规模12亿美元，同时硅靶材的形式也日趋多样化，不单单局限于平面靶材、旋转靶材，还有圆环形、半圆形、异形硅粒、硅块、硅粉等市场需求，日前的需求量也是日趋增多（我国平板显示用溅射靶材2013年度、2014年度市场规模分别为9.4亿元和12.4亿元，2015年和2016年两年的增长速度都超过30%）o有色金属行业标准YS/T719-2009《平面磁控溅射靶材光学薄膜用硅靶材》在当前的硅靶材技术领域，只能作为参考，不能作为最先进的指导标准。现申请的团体标准《磁控溅射硅靶材及邦定后硅靶材》能够将先行市场上的硅靶材及邦定后硅靶材的材质要求、化学成分要求、尺寸及其允许偏差要求、表面状况要求等更加规范化和标准化，使市场上形形色色的不合格产品及不满足硅靶材用户使用要求的产品逐渐淘汰，促进中国市场上的硅靶材的产品质量日趋稳定化和标准化。(三)主要工作过程按照国家标准制修订程序的要求，《磁控溅射硅靶材及邦定后硅靶材》团体标准的编制完成了以下工作：1.资料的收集在标准编制过程中，起草工作组收集了以下资料：——GB/T1.1-2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》——2002/95/EC欧盟关于在电气电子设备中限制使用某些有害物质指令(RoHS指令)——GB/T5231-2012《加工铜及铜合金牌号和化学成分》—ASTMA959-16《锻制不锈钢用说明协调标准等级构成的标准指南(StandardGuideforSpecifyingHarmonizedStandardGradeCompositionsforWroughtStainlessSteels)》——GB/T3621-2007《钛及钛合金板材》——YS/T257-1998《钢》——GB/T24582-2009《酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定硅表面金属杂质》——GB/T6093-2001《几何量技术规范(GPS)长度标准量块》——JB/T7557-1994《同轴度误差检测》——GB/T29505-2013《硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法》——GB/T1550-1997《非本征半导体材料导电类型测试方法》——GB/T1551-2009《硅单晶电阻率测定方法》——IEC62321-5-2013《电工电子产品6种管制物质(铅、汞、镉、六价格、多浪联紫、多湿二苯酸)水平的测定(Electrotechnicalproducts-Determinationoflevelsofsixregulatedsubstances(lead,mercury,cadmium,hexavalentchromium,polybrominatedbiphenyls,polybrominateddiphenylethers)》——IEC62321-4-2013《电工电子产品中某些物质的测定第4部分：用CV-AAS、CV-AFS、ICP-OES和ICP-MS测定聚合物、金属和电子设备中的汞(DETERMINATIONOFCERTAINSUBSTANCESINELECTROTECHICALPRODUCTS-Part4:Mercuryinpolymers,metalsandelectronicsbyCV-AAS,CV-AFS,ICP-OESandICP-MS）》IEC62321-2013《电工电子产品中某些物质的测定第5部分:用AAS、AFS、ICP-OES和1CP-MS测定聚合物和电子设备中的镉、铅和铭以及金属中的镉和铅（Determinationofcertainsubstancesinelectrotechnicalproducts-Part5:Cadmium,leadandchromiuminpolymersandelectronicsandcadmiumandleadinmetalsbyAAS,ICP-OESandICP-MS）》——GB/T4698（所有部分）《海绵钛钛及钛合金化学分析方法》——YS/T276（所有部分）《钢化学分析方法》2.标准的起草2017年11月27日，标准启动会在山东省标准化研究院召开，会上成立标准起草工作组，确定标准的编制计划和分工，讨论了标准的主要技术内容。2017年12月，标准起草工作组对标准的主要技术内容进行了调研和试验分析，并对标准进行补充完善，形成标准征求意见稿。（四）主要起草单位大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司河北东同光电科技有限公司青岛蓝光晶科新材料有限公司大连理工大学（五）协作单位山东省标准化研究院大连通展启鹏科技服务有限公司二、标准的主要技术内容和论据（一）主要内容.磁控溅射硅靶材及邦定后硅靶材原料的要求该标准规定了磁控溅射硅靶材采用的原料的形式、种类以及纯度要求。该标准规定了邦定后硅靶材背板原料的要求，主要包括平面靶材的背板原料要求以及旋转靶材的衬管原料要求。同时规定了邦定材料的要求。.磁控溅射硅靶材及邦定后硅靶材的分类及牌号该标准规定了磁控溅射硅靶材及邦定后硅靶材按照分类形式的不同，可以有多种分类。同时规定了供货状态以及牌号的表示方法。.磁控溅射硅靶材及邦定后硅靶材的技术要求该标准规定了磁控溅射硅靶材及邦定后硅靶材的化学成分要求、几何尺寸及允许偏差要求、表面粗糙度要求、外观质量要求、内部质量要求、导电类型要求、电阻率范围要求、有害物质种类和含量要求等.试验方法该标准规定了磁控溅射硅靶材及邦定后硅靶材的化学成分分析方法、几何尺寸及允许偏差的检验方法、表面粗糙度的检验方法、外观质量的检验方法、内部质量的检验方法、导电类型的检测方法、电阻率的检测方法、有害物质的检测方法、背板材质化学成分的分析方法、邦定材料化学成分的分析方法、搭接率的检测方法。.检验规则该标准规定了供方对产品检验的部门及要求、需方对产品的复验准则以及双方仲裁方法。规定了组批和检验项目及对应的取样位置和数量，同时规定了对检验结果的判定方法。.标志、包装、运输、贮存该标准规定了在已检验合格的产品上应当标记的标志内容、包装的形式和方法、运输的要求、贮存的方式以及质量证明书内容。.订货单内容该标准规定了产品订货单的相关内容。(二)依据来源.标准格式主要参考了GB"1.1-2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》.化学成分的要求参考GB/T12963-2009《硅多晶》、GB/T25074-2010《太阳能级多晶硅》、GB/T5231-2012《加工铜及铜合金牌号和化学成分》、ASTMA959-16《锻制不锈钢用说明协调标准等级构成的标准指南(StandardGuideforSpecifyingHarmonizedStandardGradeCompositionsforWroughtStainlessSteels)KGB/T3621-2007《钛及钛合金板材》、YS/T257-1998《钢》以及历年来硅靶材的需方对硅靶材以及背板材料和邦定材料的要求。.几何尺寸及允许偏差、表面粗糙度、外观质量和内部质量参考历年来硅靶材的需方对硅靶材产品使用过程中的要求。.有害物质参考2002/95/EC欧盟关于在电气电子设备中限制使用某些有害物质指令（RoHS指令）。.搭接率参考YS/T719-2009《平面磁控溅射靶材光学薄膜用硅靶材》。三、主要试验（验证）的分析.硅靶材的化学成分分析磁控溅射硅靶材的化学成分分析按GB/T24582-2009的规定进行。.几何尺寸及允许偏差的检验磁控溅射硅靶材的几何尺寸及允许偏差的检验按GB/T6093-2001的规定进行。.表面粗糙度的检验磁控溅射硅靶材的表面粗糙度的检验按GB/T29505-2013的规定进行。.外观质量的检验磁控溅射硅靶材的外观质量用目视检查。.内部质量的检验磁控溅射硅靶材的内部质量可通过红外探伤仪进行测量。.导电类型的检测磁控溅射硅靶材导电类型的检测按GB/T1550-1997的规定进行。.电阻率的检测磁控溅射硅靶材电阻率的检测按GB/T1551-2009的规定进行。.有害物质的检测磁控溅射硅靶材中有害物质的检测应按照下列方法进行：——Pb、Cd的检测应按照IEC62321-5-2013的规定进行；——Hg的检测应按照IEC62321-4-2013的规定进行；——Cr6+、PBBSs、PBDEs的检测应按照IEC62321-2008附录A和附录C的规定进行。.背板材质化学成分的分析背板材质化学成分的分析应按照下列方法进行：——铜材质的化学成分分析应按照GB/T5121的规定进行；——不锈钢材质的化学成分应按照GB/T11170-2008的规定进行；―钛材质的化学成分分析应按照GB"4698的规定进行。.邦定材料化学成分的分析邦定材料锢化学成分分析应按照YSAT276的规定进行。.搭接率的检测硅靶材与背板或衬管的搭接率检测，应采用（水浸式）超声波探伤方法进行。四、采用