兰州半导体硅片项目可行性研究报告

兰州半导体硅片项目可行性研究报告xxx有限公司

目录第一章项目背景及必要性 8一、半导体硅片市场规模与发展态势 8二、行业发展态势 10三、SOI硅片市场现状及前景 13第二章项目概况 17一、项目名称及投资人 17二、编制原则 17三、编制依据 18四、编制范围及内容 18五、项目建设背景 19六、结论分析 19主要经济指标一览表 21第三章行业、市场分析 24一、半导体硅片介绍及主要种类 24二、半导体硅片介绍及主要种类 29第四章产品方案分析 35一、建设规模及主要建设内容 35二、产品规划方案及生产纲领 35产品规划方案一览表 35第五章建筑工程说明 37一、项目工程设计总体要求 37二、建设方案 37三、建筑工程建设指标 38建筑工程投资一览表 38第六章项目选址方案 40一、项目选址原则 40二、建设区基本情况 40三、创新驱动发展 44四、社会经济发展目标 46五、产业发展方向 48六、项目选址综合评价 51第七章运营管理 52一、公司经营宗旨 52二、公司的目标、主要职责 52三、各部门职责及权限 53四、财务会计制度 56第八章组织架构分析 64一、人力资源配置 64劳动定员一览表 64二、员工技能培训 64第九章环境影响分析 67一、环境保护综述 67二、建设期大气环境影响分析 68三、建设期水环境影响分析 69四、建设期固体废弃物环境影响分析 70五、建设期声环境影响分析 70六、营运期环境影响 71七、环境影响综合评价 71第十章原辅材料成品管理 73一、项目建设期原辅材料供应情况 73二、项目运营期原辅材料供应及质量管理 73第十一章项目实施进度计划 74一、项目进度安排 74项目实施进度计划一览表 74二、项目实施保障措施 75第十二章节能分析 76一、项目节能概述 76二、能源消费种类和数量分析 77能耗分析一览表 77三、项目节能措施 78四、节能综合评价 78第十三章投资方案 80一、投资估算的依据和说明 80二、建设投资估算 81建设投资估算表 85三、建设期利息 85建设期利息估算表 85固定资产投资估算表 87四、流动资金 87流动资金估算表 88五、项目总投资 89总投资及构成一览表 89六、资金筹措与投资计划 90项目投资计划与资金筹措一览表 90第十四章经济收益分析 92一、经济评价财务测算 92营业收入、税金及附加和增值税估算表 92综合总成本费用估算表 93固定资产折旧费估算表 94无形资产和其他资产摊销估算表 95利润及利润分配表 97二、项目盈利能力分析 97项目投资现金流量表 99三、偿债能力分析 100借款还本付息计划表 101第十五章风险分析 103一、项目风险分析 103二、项目风险对策 105报告说明根据ICInsights统计，受益于中国近年来IC设计公司数量的增长、规模的扩张，中国晶圆代工企业业务规模随之扩大。2017年，中国晶圆代工企业销售收入增长30%，实现收入75.72亿美元；2018年，中国晶圆代工企业销售收入增速进一步提高，高达41%，是2018年全球晶圆代工市场规模增速5%的8倍，实现收入106.90亿美元。根据谨慎财务估算，项目总投资26469.65万元，其中：建设投资21832.39万元，占项目总投资的82.48%；建设期利息226.70万元，占项目总投资的0.86%；流动资金4410.56万元，占项目总投资的16.66%。项目正常运营每年营业收入46800.00万元，综合总成本费用38602.94万元，净利润5992.06万元，财务内部收益率17.01%，财务净现值6986.23万元，全部投资回收期6.01年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。项目产品应用领域广泛，市场发展空间大。本项目的建立投资合理，回收快，市场销售好，无环境污染，经济效益和社会效益良好，这也奠定了公司可持续发展的基础。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。项目背景及必要性半导体硅片市场规模与发展态势1、全球半导体硅片市场规模与发展态势由于半导体行业与全球宏观经济形势紧密相关，全球半导体硅片行业在2009年受经济危机影响较为低迷出货量与销售额均出现下滑；2010年由于智能手机放量增长，硅片行业大幅反弹。2011年至2016年，全球经济逐渐复苏但依旧较为低迷，硅片行业亦随之低速发展。2017年以来，受益于半导体终端市场需求强劲，下游传统应用领域计算机、移动通信、固态硬盘、工业电子市场持续增长，新兴应用领域如人工智能、区块链、物联网、汽车电子的快速发展，半导体硅片市场规模不断增长，并于2018年突破百亿美元大关。2、全球各尺寸半导体硅片市场情况2018年，300mm硅片和200mm硅片市场份额分别为63.83%和26.14%，两种尺寸硅片合计占比接近90.00%。2011年开始，200mm半导体硅片市场占有率稳定在25-27%之间。2016年至2017年，由于汽车电子、智能手机用指纹芯片、液晶显示器市场需求快速增长，200mm硅片出货面积从2,690.00百万平方英寸上升至3,085.00百万平方英寸，同比增长14.68%。2018年，受益于汽车电子、工业电子、物联网等应用领域的强劲需求，以及功率器件、传感器等生产商将部分产能从150mm转移至200mm，带动200mm硅片继续保持增长，200mm硅片出货面积达到3,278.00百万平方英寸，同比增长6.25%。自2000年全球第一条300mm芯片制造生产线建成以来，300mm半导体硅片市场需求增加，出货面积不断上升。2008年，300mm半导体硅片出货量首次超过200mm半导体硅片；2009年，300mm半导体硅片出货面积超过其他尺寸半导体硅片出货面积之和。2000年至2018年，由于移动通信、计算机等终端市场持续快速发展，300mm半导体硅片出货面积从94.00百万平方英寸扩大至8,005.00百万平方英寸，市场份额从1.69%大幅提升至2018年的63.83%，成为半导体硅片市场最主流的产品。2016至2018年，由于人工智能、区块链、云计算等新兴终端市场的蓬勃发展，300mm半导体硅片出货面积分别为6,817.00、7,261.00、8,005.00百万平方英寸，年均复合增长率为8.36%。3、中国大陆半导体硅片市场现状及前景2008年至2013年，中国大陆半导体硅片市场发展趋势与全球半导体硅片市场一致。2014年起，随着中国各半导体制造生产线投产、中国半导体制造技术的不断进步与中国半导体终端产品市场的飞速发展，中国大陆半导体硅片市场步入了飞跃式发展阶段。2016年至2018年，中国大陆半导体硅片销售额从5.00亿美元上升至9.92亿美元，年均复合增长率高达40.88%，远高于同期全球半导体硅片的年均复合增长率25.65%。中国作为全球最大的半导体产品终端市场，预计未来随着中国芯片制造产能的持续扩张，中国半导体硅片市场的规模将继续以高于全球市场的速度增长。半导体硅片作为芯片制造的关键材料，市场集中度很高，目前全球半导体硅片市场主要被日本、德国、韩国、中国台湾等国家和地区的知名企业占据。中国大陆的半导体硅片企业主要生产150mm及以下的半导体硅片，仅有少数几家企业具有200mm半导体硅片的生产能力。2017年以前，300mm半导体硅片几乎全部依赖进口。2018年，硅产业集团子公司上海新昇作为中国大陆率先实现300mm硅片规模化销售的企业，打破了300mm半导体硅片国产化率几乎为0%的局面。行业发展态势1、半导体硅片向大尺寸方向发展在摩尔定律的影响下，半导体硅片正在不断向大尺寸的方向发展。在未来一段时间内，300mm半导体硅片仍将作为主流尺寸，同时100-150mm半导体硅片产能将逐步向200mm硅片转移，而200mm硅片产能将逐步向300mm硅片转移。向大尺寸方向发展是半导体硅片行业最基本的发展趋势。2、行业集中度较高过去30年间，半导体硅片行业集中度持续提升。20世纪90年代，全球主要的半导体硅片企业超过20家。2016-2018年，全球前五大硅片企业的市场份额已从85%提升至93%。半导体硅片行业兼具技术密集型、资本密集型与人才密集型的特征。行业龙头企业通过多年的技术积累和规模效应，已经建立了较高的行业壁垒。半导体行业的周期性较强，规模较小的企业难以在行业低谷时期生存，而行业龙头企业由于产品种类较为丰富、与行业上下游的谈判能力更强、单位固定成本更低，更容易承受行业的周期性波动。通过并购的方式实现外延式扩张是一些半导体硅片龙头企业发展壮大的路径。如信越化学在1999年并购了日立的硅片业务；SUMCO为住友金属工业的硅制造部门、联合硅制造公司以及三菱硅材料公司合并而成；环球晶圆在2012年收购了东芝陶瓷旗下的CovalentMaterials的半导体晶圆业务之后成为全球第六大半导体硅片厂，并于2016年收购了正在亏损的SunEdisonSemiconductorLimited、丹麦TopsilSemiconductorMaterialsA/S半导体事业部，进一步提升其市场占有率，也提高了整个行业的集中度。3、终端新兴应用涌现半导体硅片行业除了受宏观经济影响，亦受到具体终端市场的影响。例如2010年，全球宏观经济增速仅4%，但由于iPhone4和iPad的推出，大幅拉动了半导体行业的需求，2010年全球半导体行业收入增长达32%。2017年开始，大数据、云计算、人工智能、新能源汽车、区块链等新兴终端应用的出现，半导体行业进入了多种新型需求同时爆发的新一轮上行周期。4、全球半导体行业区域转移半导体行业具有生产技术工序多、产品种类多、技术更新换代快、投资高风险大、下游应用广泛等特点，叠加下游新兴应用市场的不断涌现，半导体产业链从集成化到垂直化分工的趋势越来越明确，并经历了两次空间上的产业转移。第一次为20世纪70年代从美国向日本转移，第二次是20世纪80年代向韩国与中国台湾地区转移。目前，全球半导体行业正在开始第三次产业转移，即向中国大陆转移。历史上两次成功的产业转移都带动了目标国产业的发展、垂直化分工进程的推进和资源优化配置。对于产业转移的目标国，其半导体产业往往从封装测试向芯片制造与设计延伸，扩展至半导体材料与设备，最终实现全产业链的整体发展。与发达国家和地区相比，目前中国大陆在半导体产业链的分工仍处于前期，半导体材料和设备行业将成为未来增长的重点。受益于半导体产业加速向中国大陆转移，中国大陆作为全球最大半导体终端产品消费市场，中国半导体产业的规模不断扩大，随着国际产能不断向中国转移，中资、外资半导体企业纷纷在中国投资建厂，中国大陆半导体硅片需求将不断增长。5、政策推动中国半导体行业快速发展半导体行业是中国电子信息产业的重要增长点、驱动力。近年来，中国政府颁布了一系列政策支持半导体行业发展。2016年，全国人大发布《中华人民共和国国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要》，明确将培育集成电路产业体系、大力推进先进半导体等新兴前沿领域创新和产业化作为中国近期发展重点。2017年，科技部将300mm硅片大生产线的应用并实现规模化销售列为《“十三五”先进制造技术领域科技创新专项规划》。2018年，国务院将推动集成电路、新材料等产业发展列入《2018年政府工作报告》。2014年，随着国家集成电路产业基金的设立，各地方亦纷纷设立了集成电路产业基金。半导体硅片作为集成电路基础性、关键性材料，属于国家行业政策与资金重点支持发展的领域。SOI硅片市场现状及前景1、SOI硅片市场规模2016年至2018年全球SOI硅片市场销售额从4.41亿美元增长至7.17亿美元，年均复合增长率27.51%；同期，中国SOI硅片市场销售额从0.02亿美元上升至0.11亿美元，年均复合增长率132.46%。作为特殊硅基材料，SOI硅片生产工艺更复杂、成本更高、应用领域更专业，全球范围内仅有Soitec、信越化学、环球晶圆、SUMCO和硅产业集团等少数企业有能力生产。而在需求方面，中国大陆芯片制造领域具备SOI芯片生产能力的企业并不多，因此中国SOI硅片产销规模较小。2、SOI硅片在射频前端芯片中的应用射频前端芯片是超小型内置芯片模块，集成了无线前端电路中使用的各种功能芯片，包括功率放大器、天线调谐器、低噪声放大器、滤波器和射频开关等。射频前端芯片主要功能为处理模拟信号，是以移动智能终端为代表的无线通信设备的核心器件之一。近年来，移动通信技术迅速发展，移动数据传输量和传输速度不断提升，对于配套的射频前端芯片的工作频率、集成度与复杂性的要求随之提高。RF-SOI硅片，包括HR-SOI（高阻）和TR-SOI（含有电荷陷阱层的高阻SOI），是用于射频前端芯片的SOI硅片，其具有寄生电容小、短沟道效应小、集成密度高、速度快、功耗低、工艺简单等优点，符合射频前端芯片对于高速、高线性与低插损等要求。为了应对射频前端芯片对于集成度与复杂性的更高要求，RF-SOI工艺可以在不影响半导体器件工作频率的情况下提高集成度并保持良好的性能；另一方面，SOI以其特殊的结构与良好的电学性能，为系统设计提供了巨大的灵活性。由于SOI是硅基材料，很容易与其它器件集成，同时可以使用标准的集成电路生产线以降低芯片制造企业的生产成本。例如，SOI与CMOS工艺的兼容使其能将数字电路与模拟电路混合，在射频电路应用领域优势明显。RF-SOI工艺在射频集成方面具有多种优势：SOI硅片中绝缘埋层（BOX）的存在，实现了器件有源区和衬底之间的完全隔离，有效降低了寄生电容，从而降低了功耗；RF-SOI可以提供高阻衬底，降低高频RF和数字、混和信号器件之间的串扰并大幅度降低射频前端的噪声量，同时降低了高频插入损耗；作为一种全介质隔离，RF-SOI实现了RF电路与数字电路的单片集成。目前海外RF-SOI产业链较为成熟，格罗方德、意法半导体、TowerJazz、台电和台湾联华电子等芯片制造企业均具有基于RF-SOI工艺的芯片生产线。国内RF-SOI产业链发展不均衡，下游终端智能手机市场发展迅速，中游射频前端模块和器件大部分依赖进口。目前，虽然我国企业具备RF-SOI硅片大规模生产能力，但是国内仅有少数芯片制造企业具有基于RF-SOI工艺制造射频前端芯片的能力，因此国产RF-SOI硅片以出口为主。SOI硅片主要应用于智能手机、WiFi等无线通信设备的射频前端芯片，亦应用于汽车电子、功率器件、传感器等产品。未来，随着5G通信技术的不断成熟，新一轮智能手机的更新换代即将到来，以及自动驾驶、车联网技术的发展，SOI硅片需求将持续上升。项目概况项目名称及投资人（一）项目名称兰州半导体硅片项目（二）项目投资人xxx有限公司（三）建设地点本期项目选址位于xx（以选址意见书为准）。编制原则1、所选择的工艺技术应先进、适用、可靠，保证项目投产后，能安全、稳定、长周期、连续运行。2、所选择的设备和材料必须可靠，并注意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分依托现有社会公共设施，以降低投资，加快项目建设进度。4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求，符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案，以最大程度减少投资，提高项目经济效益和抗风险能力。科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性，实事求是地作出研究结论。编制依据1、《中华人民共和国国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要》；2、《中国制造2025》；3、《建设项目经济评价方法与参数及使用手册》（第三版）；4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。编制范围及内容1、对项目提出的背景、建设必要性、市场前景分析；2、对产品方案、工艺流程、技术水平进行论述，确定建设规模；3、对项目建设条件、场地、原料供应及交通运输条件的评价；4、对项目的总图运输、公用工程等技术方案进行研究；5、对项目消防、环境保护、劳动安全卫生和节能措施的评价；6、对项目实施进度和劳动定员的确定；7、投资估算和资金筹措和经济效益评价；8、提出本项目的研究工作结论。项目建设背景根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与以SOI硅片为代表的高端硅基材料。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到抛光片。抛光片经过外延生长形成外延片，抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成SOI硅片。坚持供给侧和需求侧并重，以供给侧结构性改革为突破口，加快解决现阶段我市发展面临的区域结构、产业结构、要素投入结构、排放结构、经济增长动力结构和收入分配结构上存在的结构性缺陷，从供给端入手，提高创新、劳动力、土地、资本的全要素生产率，扩大有效供给，推进发展方式的转变，促进经济社会健康可持续发展。结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约73.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx吨半导体硅片的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资26469.65万元，其中：建设投资21832.39万元，占项目总投资的82.48%；建设期利息226.70万元，占项目总投资的0.86%；流动资金4410.56万元，占项目总投资的16.66%。（五）资金筹措项目总投资26469.65万元，根据资金筹措方案，xxx有限公司计划自筹资金（资本金）17216.54万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额9253.11万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：46800.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：38602.94万元。3、项目达产年净利润（NP）：5992.06万元。4、财务内部收益率（FIRR）：17.01%。5、全部投资回收期（Pt）：6.01年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：18495.23万元（产值）。（七）社会效益本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积㎡48667.00约73.00亩1.1总建筑面积㎡79732.391.2基底面积㎡31633.551.3投资强度万元/亩275.822总投资万元26469.652.1建设投资万元21832.392.1.1工程费用万元18137.562.1.2其他费用万元3014.902.1.3预备费万元679.932.2建设期利息万元226.702.3流动资金万元4410.563资金筹措万元26469.653.1自筹资金万元17216.543.2银行贷款万元9253.114营业收入万元46800.00正常运营年份5总成本费用万元38602.94""6利润总额万元7989.41""7净利润万元5992.06""8所得税万元1997.35""9增值税万元1730.37""10税金及附加万元207.65""11纳税总额万元3935.37""12工业增加值万元13660.95""13盈亏平衡点万元18495.23产值14回收期年6.0115内部收益率17.01%所得税后16财务净现值万元6986.23所得税后行业、市场分析半导体硅片介绍及主要种类1、半导体硅片简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等化合物半导体。相较于锗，硅的熔点为1,415℃，高于锗的熔点937℃，较高的熔点使硅可以广泛应用于高温加工工艺中；硅的禁带宽度大于锗，更适合制作高压器件。相较于砷化镓，硅安全无毒、对环境无害，而砷元素为有毒物质；并且锗、砷化镓均没有天然的氧化物，在晶圆制造时还需要在表面沉积多层绝缘体，这会导致下游晶圆制造的生产步骤增加从而使生产成本提高。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。硅在地壳中占比约27%，是除了氧元素之外第二丰富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸盐的形式大量存在于沙子、岩石、矿物中，储量丰富并且易于取得。通常将95-99%纯度的硅称为工业硅。沙子、矿石中的二氧化硅经过纯化，可制成纯度98%以上的硅；高纯度硅经过进一步提纯变为纯度达99.9999999%至99.999999999%（9-11个9）的超纯多晶硅；超纯多晶硅在石英坩埚中熔化，并掺入硼（P）、磷（B）等元素改变其导电能力，放入籽晶确定晶向，经过单晶生长，制成具有特定电性功能的单晶硅锭。熔体的温度、提拉速度和籽晶/石英坩埚的旋转速度决定了单晶硅锭的尺寸和晶体质量，而熔体中的硼（P）、磷（B）等杂质元素的浓度决定了单晶硅锭的电特性。单晶硅锭经过切片、研磨、蚀刻、抛光、外延（如有）、键合（如有）、清洗等工艺步骤，制造成为半导体硅片。在半导体硅片上可布设晶体管及多层互联线，使之成为具有特定功能的集成电路或半导体器件产品。在生产环节中，半导体硅片需要尽可能地减少晶体缺陷，保持极高的平整度与表面洁净度，以保证集成电路或半导体器件的可靠性。2、半导体硅片的主要种类1965年，戈登•摩尔提出摩尔定律：集成电路上所集成的晶体管数量，每隔18个月就提升一倍，相应的集成电路性能增强一倍，成本随之下降一半。对于芯片制造企业而言，这意味着需要不断提升单片硅片可生产的芯片数量、降低单片硅片的制造成本以便与摩尔定律同步。半导体硅片的直径越大，在单片硅片上可制造的芯片数量就越多，单位芯片的成本随之降低。半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）与300mm（12英寸）等规格。在摩尔定律的影响下，半导体硅片正在不断向大尺寸的方向发展。为提高生产效率并降低成本，向大尺寸演进是半导体硅片制造技术的发展方向。硅片尺寸越大，在单片硅片上制造的芯片数量就越多，单位芯片的成本随之降低。同时，在圆形的硅片上制造矩形的芯片会使硅片边缘处的一些区域无法被利用，必然会浪费部分硅片。硅片的尺寸越大，相对而言硅片边缘的损失会越小，有利于进一步降低芯片的成本。例如，在同样的工艺条件下，300mm半导体硅片的可使用面积超过200mm硅片的两倍以上，可使用率（衡量单位晶圆可生产的芯片数量的指标）是200mm硅片的2.5倍左右。半导体硅片尺寸越大，对半导体硅片的生产技术、设备、材料、工艺的要求越高。目前，全球市场主流的产品是200mm、300mm直径的半导体硅片，下游芯片制造行业的设备投资也与200mm和300mm规格相匹配。考虑到大部分200mm及以下芯片制造生产线投产时间较早，绝大部分设备已折旧完毕，因此200mm及以下半导体硅片对应的芯片制造成本往往较低，在部分领域使用200mm及以下半导体硅片的综合成本可能并不高于300mm半导体硅片。此外，在高精度模拟电路、射频前端芯片、嵌入式存储器、CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器、高压MOS等特殊产品方面，200mm及以下芯片制造的工艺更为成熟。综上，200mm及以下半导体硅片的需求依然存在。随着汽车电子、工业电子等应用的驱动，200mm半导体硅片的需求呈上涨趋势。目前，除上述特殊产品外，200mm及以下半导体硅片的需求主要来源于功率器件、电源管理器、非易失性存储器、MEMS、显示驱动芯片与指纹识别芯片等，终端应用领域主要为移动通信、汽车电子、物联网、工业电子等。目前，300mm半导体硅片的需求主要来源于存储芯片、图像处理芯片、通用处理器芯片、高性能FPGA（现场可编程门阵列）与ASIC（专用集成电路），终端应用主要为智能手机、计算机、云计算、人工智能、SSD（固态存储硬盘）等较为高端领域。根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与以SOI硅片为代表的高端硅基材料。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到抛光片。抛光片经过外延生长形成外延片，抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成SOI硅片。随着集成电路特征线宽的不断缩小，光刻机的景深也越来越小，硅片上极其微小的高度差都会使集成电路布线图发生变形、错位，这对硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面颗粒度和洁净度对半导体产品的良品率也有直接影响。抛光工艺可去除加工表面残留的损伤层，实现半导体硅片表面平坦化，并进一步减小硅片的表面粗糙度以满足芯片制造工艺对硅片平整度和表面颗粒度的要求。抛光片可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件等，也可作为外延片、SOI硅片的衬底材料。外延是通过化学气相沉积的方式在抛光面上生长一层或多层，掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS电路中使用，如通用处理器芯片、图形处理器芯片等，由于外延片相较于抛光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了栅氧化层的完整性，改善了沟道中的漏电现象，从而提升了集成电路的可靠性。除此之外，通常在低电阻率的硅衬底上外延生长一层高电阻率的外延层，应用于二极管、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高电压的环境中，硅衬底的低电阻率可降低导通电阻，高电阻率的外延层可以提高器件的击穿电压。外延片提升了器件的可靠性，并减少了器件的能耗，因此在工业电子、汽车电子等领域广泛使用。SOI硅片即绝缘体上硅，是常见的硅基材料之一，其核心特征是在顶层硅和支撑衬底之间引入了一层氧化物绝缘埋层。SOI硅片的优势在于可以通过绝缘埋层实现全介质隔离，这将大幅减少硅片的寄生电容以及漏电现象，并消除了闩锁效应。SOI硅片具有寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强等优点。因此，SOI硅片适合应用在要求耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片上，如射频前端芯片、功率器件、汽车电子、传感器以及星载芯片等。半导体硅片介绍及主要种类1、半导体硅片简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等化合物半导体。相较于锗，硅的熔点为1,415℃，高于锗的熔点937℃，较高的熔点使硅可以广泛应用于高温加工工艺中；硅的禁带宽度大于锗，更适合制作高压器件。相较于砷化镓，硅安全无毒、对环境无害，而砷元素为有毒物质；并且锗、砷化镓均没有天然的氧化物，在晶圆制造时还需要在表面沉积多层绝缘体，这会导致下游晶圆制造的生产步骤增加从而使生产成本提高。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。硅在地壳中占比约27%，是除了氧元素之外第二丰富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸盐的形式大量存在于沙子、岩石、矿物中，储量丰富并且易于取得。通常将95-99%纯度的硅称为工业硅。沙子、矿石中的二氧化硅经过纯化，可制成纯度98%以上的硅；高纯度硅经过进一步提纯变为纯度达99.9999999%至99.999999999%（9-11个9）的超纯多晶硅；超纯多晶硅在石英坩埚中熔化，并掺入硼（P）、磷（B）等元素改变其导电能力，放入籽晶确定晶向，经过单晶生长，制成具有特定电性功能的单晶硅锭。熔体的温度、提拉速度和籽晶/石英坩埚的旋转速度决定了单晶硅锭的尺寸和晶体质量，而熔体中的硼（P）、磷（B）等杂质元素的浓度决定了单晶硅锭的电特性。单晶硅锭经过切片、研磨、蚀刻、抛光、外延（如有）、键合（如有）、清洗等工艺步骤，制造成为半导体硅片。在半导体硅片上可布设晶体管及多层互联线，使之成为具有特定功能的集成电路或半导体器件产品。在生产环节中，半导体硅片需要尽可能地减少晶体缺陷，保持极高的平整度与表面洁净度，以保证集成电路或半导体器件的可靠性。2、半导体硅片的主要种类1965年，戈登•摩尔提出摩尔定律：集成电路上所集成的晶体管数量，每隔18个月就提升一倍，相应的集成电路性能增强一倍，成本随之下降一半。对于芯片制造企业而言，这意味着需要不断提升单片硅片可生产的芯片数量、降低单片硅片的制造成本以便与摩尔定律同步。半导体硅片的直径越大，在单片硅片上可制造的芯片数量就越多，单位芯片的成本随之降低。半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）与300mm（12英寸）等规格。在摩尔定律的影响下，半导体硅片正在不断向大尺寸的方向发展。为提高生产效率并降低成本，向大尺寸演进是半导体硅片制造技术的发展方向。硅片尺寸越大，在单片硅片上制造的芯片数量就越多，单位芯片的成本随之降低。同时，在圆形的硅片上制造矩形的芯片会使硅片边缘处的一些区域无法被利用，必然会浪费部分硅片。硅片的尺寸越大，相对而言硅片边缘的损失会越小，有利于进一步降低芯片的成本。例如，在同样的工艺条件下，300mm半导体硅片的可使用面积超过200mm硅片的两倍以上，可使用率（衡量单位晶圆可生产的芯片数量的指标）是200mm硅片的2.5倍左右。半导体硅片尺寸越大，对半导体硅片的生产技术、设备、材料、工艺的要求越高。目前，全球市场主流的产品是200mm、300mm直径的半导体硅片，下游芯片制造行业的设备投资也与200mm和300mm规格相匹配。考虑到大部分200mm及以下芯片制造生产线投产时间较早，绝大部分设备已折旧完毕，因此200mm及以下半导体硅片对应的芯片制造成本往往较低，在部分领域使用200mm及以下半导体硅片的综合成本可能并不高于300mm半导体硅片。此外，在高精度模拟电路、射频前端芯片、嵌入式存储器、CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器、高压MOS等特殊产品方面，200mm及以下芯片制造的工艺更为成熟。综上，200mm及以下半导体硅片的需求依然存在。随着汽车电子、工业电子等应用的驱动，200mm半导体硅片的需求呈上涨趋势。目前，除上述特殊产品外，200mm及以下半导体硅片的需求主要来源于功率器件、电源管理器、非易失性存储器、MEMS、显示驱动芯片与指纹识别芯片等，终端应用领域主要为移动通信、汽车电子、物联网、工业电子等。目前，300mm半导体硅片的需求主要来源于存储芯片、图像处理芯片、通用处理器芯片、高性能FPGA（现场可编程门阵列）与ASIC（专用集成电路），终端应用主要为智能手机、计算机、云计算、人工智能、SSD（固态存储硬盘）等较为高端领域。根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与以SOI硅片为代表的高端硅基材料。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到抛光片。抛光片经过外延生长形成外延片，抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成SOI硅片。随着集成电路特征线宽的不断缩小，光刻机的景深也越来越小，硅片上极其微小的高度差都会使集成电路布线图发生变形、错位，这对硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面颗粒度和洁净度对半导体产品的良品率也有直接影响。抛光工艺可去除加工表面残留的损伤层，实现半导体硅片表面平坦化，并进一步减小硅片的表面粗糙度以满足芯片制造工艺对硅片平整度和表面颗粒度的要求。抛光片可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件等，也可作为外延片、SOI硅片的衬底材料。外延是通过化学气相沉积的方式在抛光面上生长一层或多层，掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS电路中使用，如通用处理器芯片、图形处理器芯片等，由于外延片相较于抛光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了栅氧化层的完整性，改善了沟道中的漏电现象，从而提升了集成电路的可靠性。除此之外，通常在低电阻率的硅衬底上外延生长一层高电阻率的外延层，应用于二极管、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高电压的环境中，硅衬底的低电阻率可降低导通电阻，高电阻率的外延层可以提高器件的击穿电压。外延片提升了器件的可靠性，并减少了器件的能耗，因此在工业电子、汽车电子等领域广泛使用。SOI硅片即绝缘体上硅，是常见的硅基材料之一，其核心特征是在顶层硅和支撑衬底之间引入了一层氧化物绝缘埋层。SOI硅片的优势在于可以通过绝缘埋层实现全介质隔离，这将大幅减少硅片的寄生电容以及漏电现象，并消除了闩锁效应。SOI硅片具有寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强等优点。因此，SOI硅片适合应用在要求耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片上，如射频前端芯片、功率器件、汽车电子、传感器以及星载芯片等。产品方案分析建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积48667.00㎡（折合约73.00亩），预计场区规划总建筑面积79732.39㎡。（二）产能规模根据国内外市场需求和xxx有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xxx吨半导体硅片，预计年营业收入46800.00万元。产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1半导体硅片吨xxx2半导体硅片吨xxx3半导体硅片吨xxx4...吨5...吨6...吨合计xxx46800.00虽然中国半导体行业销售规模持续扩张，但中国半导体产业依然严重依赖进口。根据海关总署统计，2018年，中国集成电路进口金额达3,120.58亿美元，连续第四年超过原油进口金额，位列中国进口商品第一位，并且贸易逆差还在不断扩大。中国半导体产业国产化进程严重滞后于国内快速增长的市场需求，中国半导体企业进口替代空间巨大。当前，中国半导体产业正处于产业升级的关键阶段，实现核心技术的“自主可控”是中国半导体产业现阶段最重要的目标。建筑工程说明项目工程设计总体要求1、建筑结构设计力求贯彻“经济、实用和兼顾美观”的原则，根据工艺需要，结合当地地质条件及地需条件综合考虑。2、为满足工艺生产的需要，方便操作、检修和管理，尽量采取厂房一体化，充分考虑竖向组合，立求缩短管线，降低能耗，节约用地，减少投资。3、为加快建设速度并为今后的技术改造留下发展空间，主厂房设计成轻钢结构，各层主要设备的悬挂、支撑均采用钢结构，实现轻型化，并满足防腐防爆规范及有关规定。建设方案（一）结构方案1、设计采用的规范（1）由有关主导专业所提供的资料及要求；（2）国家及地方现行的有关建筑结构设计规范、规程及规定；（3）当地地形、地貌等自然条件。2、主要建筑物结构设计（1）车间与仓库：采用现浇钢筋混凝土结构，砖砌外墙作围护结构，基础采用浅基础及地梁拉接，并在适当位置设置伸缩缝。（2）综合楼、办公楼:采用现浇钢筋砼框架结构，（二）建筑立面设计为使建筑物整体风格具有时代特征，更加具有强烈的视觉效果，更加耐人寻味、引人入胜。建筑外形设计时尽可能简洁明了，重点把握个体与部分之间的比例美与逻辑美，并注意各线、面、形之间的相互关系，充分利用方向、形体、质感、虚实等多方位的建筑处理手法。建筑工程建设指标本期项目建筑面积79732.39㎡，其中：生产工程56421.61㎡，仓储工程8945.96㎡，行政办公及生活服务设施8297.50㎡，公共工程6067.32㎡。建筑工程投资一览表单位：㎡、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程16449.4556421.617246.511.11#生产车间4934.8416926.482173.951.22#生产车间4112.3614105.401811.631.33#生产车间3947.8713541.191739.161.44#生产车间3454.3811848.541521.772仓储工程8857.398945.961019.102.11#仓库2657.222683.79305.732.22#仓库2214.352236.49254.782.33#仓库2125.772147.03244.582.44#仓库1860.051878.65214.013办公生活配套1929.658297.501202.253.1行政办公楼1254.275393.38781.463.2宿舍及食堂675.382904.13420.794公共工程4428.706067.32667.53辅助用房等5绿化工程7543.39130.74绿化率15.50%6其他工程9490.0637.077合计48667.0079732.3910303.20项目选址方案项目选址原则1、符合国家地区城市规划要求；2、满足项目对：原材料、能源、水和人力的供应；3、节约和效力原则；安全的原则；4、实事求是的原则；5、节约用地；6、注意环保（以人为本，减少对生态环境影响）。建设区基本情况兰州，简称兰或皋，古称金城，是甘肃省省会，国务院批复确定的中国西部地区重要的中心城市之一、西北地区重要的工业基地和综合交通枢纽、丝绸之路经济带的重要节点城市。兰州地处中国西北地区、甘肃省中部，位于中国大陆陆域版图的几何中心，是中国大西北铁路、公路、航空的综合交通枢纽，中国人民解放军西部战区陆军机关驻地，也是新亚欧大陆桥中国段五大中心城市之一，西部重要的区域商贸中心和现代物流基地，享有丝路重镇、黄河明珠、西部夏宫、水车之都、瓜果名城等美誉。兰州是古丝绸之路上的重镇，早在5000年前人类就在这里繁衍生息；西汉设立县治，取金城汤池之意而称金城；隋初改置兰州总管府，始称兰州；自汉至唐、宋时期，随着丝绸之路的开通，出现了丝绸西去、天马东来的盛况，兰州逐渐成为丝绸之路重要的交通要道和商埠重镇，联系西域少数民族的重要都会和纽带，是黄河文化、丝路文化、中原文化与西域文化的重要交汇地。2012年8月28日，国务院批复设立西北地区第一个、中国第五个国家级新区——兰州新区。文件中明确提出，要把建设兰州新区作为深入实施西部大开发战略的重要举措，并于2020年将兰州发展为西北地区现代化大都市。经济运行总体平稳。面对复杂多变的内外部环境，克服经济下行压力带来的不利影响，全力以赴稳增长。实现生产总值2837.36亿元，增长6%，其中一产、二产、三产增加值分别增长5.5%、1.9%和8.4%。社会消费品零售总额增长7.6%。就业、物价、收入三项指标表现较好，新增城镇就业9.36万人，居民消费价格指数控制在2.2%，城乡居民人均可支配收入分别增长8.8%和10%，连续跑赢经济增速，有效保持了经济运行基本面稳定。从机遇来看，黄河流域生态保护和高质量发展上升为国家战略，“一带一路”建设纵深推进，新时代推进西部大开发形成新格局深入实施，现代化中心城市建设步伐持续加快，“一心两翼”城市框架不断拉开，基础设施领域补短板等政策利好充分释放，兰州高质量发展未来可期、大有可为。只要我们趋利避害、扬长避短，乘势而上、顺势而为，就一定能够迎来美好的前景，取得更大的成绩。今年经济社会发展主要预期目标是：生产总值增长6%；第一产业增加值增长5%；第二产业增加值增长4.8%，其中工业增加值增长4%，规模以上工业增加值增长4%，建筑业增加值增长7%；第三产业增加值增长6.8%；固定资产投资增长6%；社会消费品零售总额增长7%；一般公共预算收入增长3%；城镇居民人均可支配收入增长7%；农村居民人均可支配收入增长8.5%；居民消费价格指数涨幅控制在3.5%左右；单位生产总值能耗和主要污染物排放完成国家和省上下达的控制目标。“十三五”时期，发展环境和形势将发生深刻的变化。全球经济处于后危机时代，世界经济和贸易进入恢复性增长期，新一轮科技革命带来新一轮产业革命，世界多极化、经济全球化、文化多样化、社会信息化深入发展。我国经济发展处于增速换档、结构升级和动力转换的新常态，发展速度由高速转向中高速，发展方式从规模型转向质量效益型，发展动力由要素投入转向创新驱动。同时，国家宏观调控由传统强化需求端作用转向供需两端同时发力，在继续扩大投资、消费、出口有效需求的同时，加快推进供给侧结构性改革，通过提高土地、资源、资本、创新等全要素的优化配置，以高质量的供给满足市场需求或引导有效需求，建立供需匹配、可持续发展的新经济结构，推动经济提质增效。总体判断，“十三五”时期我市发展面临难得的机遇：一是兰州新区建设的机遇。未来五年，兰州新区伴随基础设施的完善和入驻企业的投产，产业集聚效益逐步发挥，新增产能不断释放，将逐步形成全市经济发展的重要增长极。二是政策平台的机遇。“十二五”时期兰州争取到的国家级新区和众多产业转型、科技创新、基础设施建设、节能减排、生态环境、社会事业等方面的政策支持和资金支持将在“十三五”时期发挥效益，成为经济社会发展的强大支撑。三是创新驱动的机遇。创新驱动将成为推动经济社会持续健康发展的动力源泉，随着兰白科技创新改革试验区建设的扎实推进，我市丰富的科技资源和人才优势必将高效转化为发展的新动能，战略性新兴产业、现代服务业、非公有制经济、中小企业必将迎来一个大的发展机遇，大众创业、万众创新必将带来新的发展动力和活力。四是对外开放的机遇。随着国家“一带一路”战略深入实施，围绕国家中欧国际货运班列集结站和国际港务区建设加快推进，兰州对外开放必将迎来一个全新的阶段，对外开放的层次和水平将大幅提升，国际美誉度和影响力将持续提高，丝绸之路经济带核心节点城市的作用将日益显现，兰州市将会成为国家实施向西开放的前沿阵地和重要战略平台。同时，我们也清醒地看到，兰州的发展也面临诸多困难和挑战：一是产业布局不均衡。工业总量的85%集中在黄河河谷的主城区，第三产业的50%以上集中在城关区，部分产业园区活力不足、优势不明显、产业集聚水平低。二是一产、二产、三产内部结构不尽合理。工业中石油化工、有色冶金等传统产业比重较大，能源消耗较高、污染排放较大，战略性新兴产业和高新技术产业比重低、规模小；服务业以传统业态为主，现代服务业特别是生产性服务业发展滞后；现代农业规模小，加工转化水平低，增值链条短。三是自主创新能力不强。创新体系不完善，创新内生动力不足，科技成果转化率不高。四是城市建管水平较低。城市建设和管理相对滞后，支撑发展的综合承载力不强，尤其是城市重大基础设施欠账大，畅交通、治污染任务艰巨，实现城市科学高效管理任重道远。五是民生保障能力有待于提高。教育、卫生、文化旅游等公共服务设施相对薄弱，基本公共服务保障水平较低，城乡二元结构矛盾依然存在，城乡居民收入差距较大。这些问题和矛盾必须在“十三五”期间下大力气加以解决。创新驱动发展按照省委提出的建设“大兰州新兰州”的新要求，充分发挥省会中心城市的区位和资源优势，着力推动大都市、大产业、大枢纽、大物流、大市场、大平台建设，支撑经济社会持续健康发展。着力建设大都市。打造城市景观特色，提升城市环境质量，提高城市治理能力，增强城市发展活力，着力建设山水城市、宜居城市和活力城市。打造以兰州为中心、100公里道路交通距离为半径的“一小时经济圈”，提升兰州辐射带动功能，与周边城市、重点城镇形成优势互补、错位发展格局，努力把兰州建成现代化中心城市，经济总量占全省30%以上，人口规模达到500万以上，在全省乃至西北地区发挥更大的中心带动作用。着力建设大产业。加大传统产业改造提升、提质增效力度，争取国家支持启动兰石化搬迁。壮大培育战略性新兴产业。加快发展生产性服务业和生活性服务业。着力发展电子信息（大数据）、文化旅游、健康养生、新材料以及城市投资开发等千亿百亿级大产业，形成新的增长极。着力建设大枢纽。加快建设“1221”铁路枢纽运输辐射网，兰州西客站综合交通枢纽基本建成。围绕全省“6873”交通突破行动，率先实施道路畅通工程，努力构建“139”城区道路网和“321”环城公路网，实现乡乡通省道，村村通四级以上公路。建成中川机场三期航站楼，增加30条以上国际航线，持续提升航空客运能力，打造国际货运航空港，航空货运实现重点突破。推进综合保税区与航空港一体化发展，打造临空经济园区。全国性综合交通枢纽优势地位持续强化。着力建设大物流。依托交通枢纽、重要通道功能优势，分类分层次设置物流集散中心，形成“342”物流集散中心网。大力发展国际中转物流，建设兰西拉、兰银包、兰西乌等物流通道，完善辐射全省及全国各地的综合物流网，全面提升现代物流业发展的层次和水平，更好地发挥全国性物流节点城市和西部地区重要的商品集散中心的作用。着力建设大市场。充分利用兰州商品集散和辐射周边省区的基础条件，根据城乡居民收入不断提高和消费迅速升级的现状，以创新供给带动需求扩展，以扩大有效需求倒逼供给升级，加快建设区域商贸中心，推动综合性市场与专业批发市场共同发展，建成统一、开放、竞争有序的市场体系，形成消费引领、服务驱动的发展格局，建成辐射周边的大市场。着力建设大平台。依托国家向西开放战略机遇，以兰州新区为基础，以国际港务区建设为重点，构建与中西亚及欧洲进行商业贸易、产业合作、信息服务、人文交流、机构互设的大平台，促进丝绸之路经济带国家地区间的全方位交流合作。社会经济发展目标“十三五”时期，按照全面建成小康社会的要求，综合考虑我市发展趋势、发展基础、主要任务和增长潜力，今后五年，要在已经确定的全面建成小康社会目标任务的基础上，努力实现以下新的发展目标。——经济保持健康稳定增长。在加快转变经济发展方式、促进经济结构转型升级、产业发展迈向中高端水平的基础上，实现经济增长和城乡居民收入增速高于全国全省平均水平，到2017年生产总值比2010年翻一番，2020年达到3050亿元，在全省的经济首位度提高到30%以上；经济结构更加合理，第三产业、战略性新兴产业、非公有制经济占全市生产总值的比重分别达65%、16%、60%以上；文化旅游产业成为支柱性产业，文化和旅游产业增加值分别占全市GDP的8%以上和5%以上；兰白科技创新改革试验区加快发展，研究与开发支出占生产总值比重达到2.6%以上，科技进步贡献率达到60%以上，城市核心竞争力明显增强。——人民生活水平和质量大幅提升。新型城镇化发展步伐加快，常住人口城镇化率、户籍人口城镇化率分别达到85%、80%。现代农业取得明显进展，城乡居民收入差距逐步缩小，城镇居民人均可支配收入达到43625元，年均增长10%；农村居民人均可支配收入达到15750元，年均增长10.2%。现行标准下农村贫困人口实现脱贫，贫困县全部摘帽，实现全市整体脱贫。就业、教育、文化、社保、医疗、住房等公共服务体系更加健全，城镇新增就业达到25万人，城乡基本养老保险和基本医疗保险基本实现全覆盖，全民参保登记率100%，人均预期寿命提高到74.5岁，基本公共服务均等化水平稳步提高，各项社会事业协调推进，主要劳动年龄人口平均受教育年限达到11年以上，新增劳动力平均受教育年限达到13年以上。——城市规划建设管理水平显著提高。四版城市规划、经济社会发展规划、土地利用总体规划执行更加协调配套。交通突破行动深入实施，铁路、公路、航空等综合交通运输体系建设取得重大突破。城市路、桥、管、网和轨道交通加快建设，建成“139”路网体系；轨道1、2号线一期工程竣工，轨道3号、4号线一期工程全线开工；建成地下综合管廊100公里以上；建成5万个公共停车泊位，4.5万个公共立体停车位；建成50座以上景观天桥地道，城区交通拥堵得到有效缓解。加强公共服务设施和公共基础设施建设，不断提升城市综合承载力，城市供水普及率达到100%以上，污水处理率达到100%。——城市文明程度明显提升。弘扬优秀传统文化，大力推进立德树人。中国梦和社会主义核心价值观更加深入人心，人民思想道德素质、科学文化素质、健康素质明显提高，公共文化服务体系基本建成，全社会法治意识不断增强。“五城联创”取得重大突破，努力争取全国文明城市和园林城市创建成功。产业发展方向优化空间布局，着力构建主城区—兰州新区—县城—小城镇一体化城乡体系，推进兰州新区和主城区互动发展，高新区和经济区错位发展，县域经济与特色城镇梯次发展，加快培育壮大经济发展增长极，把兰州建设成为全国有影响力的现代化中心城市。到2020年，全市生产总值突破3000亿元，人口规模达到500万人以上。加快基础设施建设，完善城市服务功能，建设九大产业园区，打造六大产业集群，促进产城融合发展。到2020年，新区生产总值达到400亿元以上，年均增长20%以上，实现生产总值基本翻两番，城镇常住人口达到30万人以上。加强基础设施建设。全面建成“三纵三横一联”快速路系统和“四纵四横”城市骨架路网系统，加快公路、铁路、航空建设，构建集运输组织、中转换乘、装卸存储、多式联运、辅助管理服务等综合功能为一体的立体化交通运输网络体系。加快供电、供水、供气、供热、通信、消防设施、地下管廊、垃圾处理厂和污水处理厂建设，不断健全完善公共基础设施。构建六大产业集群。加快建设石化、装备制造、南部综合、机场北、飞地经济、综合保税区、临空经济、行政文化、科教研发九大园区，谋划与韩国、马来西亚等国合作建设具有国际化运营模式与管理水平的中外合作产业园。通过园区平台着力构建六大产业集群。石油化工：延伸乙烯、丙烯、芳烃、C4/C5、清洁油品及下游延伸产业五大产业链，发展丁基橡胶、乙丙橡胶、聚酯、聚碳酸酯、碳纤维等化工新材料，力争启动兰州石化公司搬迁改造，建设国际一流标准的化工产业园。到2020年，石油化工业产值达到120亿元。装备制造：紧盯智能化、精密化、绿色化、离散化制造方向，着重发展新能源装备、交通装备、工程装备、智能化农业机械、电机与电梯装备、节能环保装备六大领域，提高智能化制造水平和产业核心竞争力，推进产业配套，提高成套能力和外向出口能力。到2020年，装备制造业产值达到260亿元。新材料：重点发展电子信息和光电材料、功能性材料、高分子材料，力争在新材料关键技术和领域实现突破。加快打造以科天化工为龙头的水性材料产业集群，以正威、北大众志、四联、润晶为龙头的电子信息材料与光电材料产业集群。到2020年，新材料产业产值达到220亿元。生物医药：紧密结合健康中国发展战略，依托我省丰富的中药材资源、兰州生物制药的研发优势以及中成药的品牌优势，强化科技创新，建设西部药谷，重点发展现代中药、生物制药、化学制药和生物医学工程四大领域，打造西部生物医药高端产品制造中心和创新研发中心。到2020年，生物医药产业产值达到150亿元。农产品加工：打造种植、加工、物流、展示、体验一体化的农产品加工产业集群。发展具有高原特色的花卉、林果、蔬菜加工业和牛羊肉制品、乳制品加工业。发展清真食品、啤酒及方便面等产品。加快建设清真产业园。到2020年，农产品加工业产值达到60亿元。信息产业：加快信息网络基础设施建设，发展大数据产业，打造全省大数据产业基地，建设西部一流的大数据存储灾备中心和大数据应用服务平台。建立面向中西亚与欧洲国家的金融结算数据中心、商品贸易流通电子商务平台。促进互联网、物联网、云计算的研发和示范应用，推动信息化与工业化深度融合，着力发展数控机床、工业机器人、3D打印技术。到2020年，信息产业主营业务收入达到100亿元，其中电子信息制造产值达到60亿元。项目选址综合评价项目选址应统筹区域经济社会可持续发展，符合城乡规划和相关标准规范，保证城乡公共安全和项目建设安全，满足项目科研、生产要求，社会经济效益、社会效益、环境效益相互协调发展。运营管理公司经营宗旨以市场需求为导向；以科研创新求发展；以质量服务树品牌；致力于产业技术进步和行业发展，创建国际知名企业。公司的目标、主要职责（一）目标近期目标：深化企业改革，加快结构调整，优化资源配置，加强企业管理，建立现代企业制度；精干主业，分离辅业，增强企业市场竞争力，加快发展；提高企业经济效益，完善管理制度及运营网络。远期目标：探索模式创新、制度创新、管理创新的产业发展新思路。坚持发展自主品牌，提升企业核心竞争力。此外，面向国际、国内两个市场，优化资源配置，实施多元化战略，向产业集团化发展，力争利用3-5年的时间把公司建设成具有先进管理水平和较强市场竞争实力的大型企业集团。（二）主要职责1、执行国家法律、法规和产业政策，在国家宏观调控和行业监管下，以市场需求为导向，依法自主经营。2、根据国家和地方产业政策、半导体硅片行业发展规划和市场需求，制定并组织实施公司的发展战略、中长期发展规划、年度计划和重大经营决策。3、根据国家法律、法规和半导体硅片行业有关政策，优化配置经营要素，组织实施重大投资活动，对投入产出效果负责，增强市场竞争力，促进区域内半导体硅片行业持续、快速、健康发展。4、深化企业改革，加快结构调整，转换企业经营机制，建立现代企业制度，强化内部管理，促进企业可持续发展。5、指导和加强