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文档简介
关于数字电路基础第1页,共13页,2023年,2月20日,星期四
教学要求1.了解二极管、晶体管ROM的基本结构和存储单元结构;会用ROM实现组合逻辑函数。2.熟悉RAM的结构和操作过程;了解RAM的扩展方式。第2页,共13页,2023年,2月20日,星期四7.1概述
半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件。按存储功能分只读存储器(ROM)随机存储器(RAM)按制造工艺分双极性MOS型第3页,共13页,2023年,2月20日,星期四7.2只读存储器(ROM)优点:电路结构简单,断电后数据不丢失,具有非易失性。缺点:只适用于存储固定数据的场合。电路结构ReadOnlyMemory第4页,共13页,2023年,2月20日,星期四只读存储器分类:掩膜ROM:出厂后内部存储的数据不能改动,只能读出。PROM:可编程,只能写一次。EPROM:用紫外线擦除,擦除和编程时间较慢,次数也不宜多。E2PROM:电信号擦除,擦除和写入时需要加高电压脉冲,擦、写时间仍较长。快闪存储器(FlashMemory):吸收了EPROM结构简单,编程可靠的优点,又保留了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性,集成度可作得很高。第5页,共13页,2023年,2月20日,星期四7.3随机存储器(RAM)优点:读、写方便,使用灵活。缺点:一旦停电所存储的数据将随之丢失(易失性)。基本结构:地址译码器、存储矩阵和读\写控制电路构成。RandomAccessMemory...P368图7.3.2第6页,共13页,2023年,2月20日,星期四7.4存储容量的扩展字线位线存储容量=字数×位数存储容量=22×4=4×4地址输入端数据输出端第7页,共13页,2023年,2月20日,星期四位扩展8片1024×1位RAM接成1024×8位的RAM。第8页,共13页,2023年,2月20日,星期四字扩展4片256×8位的RAM接成1024×8位的RAM。第9页,共13页,2023年,2月20日,星期四7.5用存储器实现组合逻辑函数例7.5.2试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数第10页,共13页,2023年,2月20日,星期四解:化为最小项之和的形式:第11页,共13页,2023年,2月20日,星期四
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