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文档简介
一种超薄铜箔材料技术领域[0001]本发明涉及PCB材料及制造领域,具体涉及到线路板厂采用自身的材料、设备制造出小于9um厚度的铜箔及方法。背景技术[0002]超薄铜箔是线路板制作极细线路(小于等于2mil/2mil线宽和间距)、激光钻孔所用的基本材料,采用超薄铜箔才容易使用加成法制作极细线路,采用超薄铜箔才容易实现激光直接烧蚀铜层。[0003]直接采用供应商提供的超薄铜箔,由于铜箔很薄,就会很容易在层压时产生折皱和划伤;而如果采用有承载铜箔的复合铜箔,一般是单面承载铜箔,超薄铜箔和承载箔之间需要增加粘合剂,会受制于铜箔供应商的高成本和高价格。[0004]采用普通铜箔进行减薄处理,一般使用18um的铜箔进行减薄至9um以下,会造成厚度不容易控制,铜箔粗糙度很大,铜的损耗大等问题。[0005]不用超薄铜箔,直接在绝缘基材上面沉积化学铜的方法,会有绝缘基材的表面处理比较困难的问题,容易出现化学铜与基材的附着力不足而发生分层起泡。[0007]线路板厂如果能够采用现有的物料和设备制作出超薄铜箔,不仅能够与HDI板的制造结合起来,不用对孔位开窗,可以做到极细的线路,而且还可以降低物料成本、随意控制铜箔的厚度、减小物料准备周期。发明内容[0008]本发明的目的是提供一种能在线路板厂用自有的材料:半固化片(PP)、铜箔、铝片、铜球,和自有的设备:化学沉铜线、电镀生产线、层压机来制作出超薄铜箔的方法。I;riHL:I;riHL:[0009]本发明采用化学铜层作为基底,化学铜层很薄只有0.2um-0.4um的厚度,在其上电镀一层0-9um的铜层。[0010]本发明把相应厚度的半固化片(PP)作为中间层,两面各放一张18um的铜箔进行低温层压,层压温度小于130°C。[0011]低温层压的目的是让半固化片在电镀前始终保持在B阶状态,以利于沉铜后进行高温层压,增强化学铜层与绝缘层的结合力。[0012]低温层压后采用化学蚀刻的方法在需要作出图形的地方蚀刻掉全部铜箔,然后进行化学沉铜,此时的化学铜层覆盖在PP树脂层上。[0013]化学沉铜后直接进行高温层压,以让化学铜层嵌入到PP树脂中,PP树脂由B阶转化为C阶树脂层,形成绝缘层。[0014]把以上敷有化学铜层的覆铜板,或者电镀厚度为1-9um的铜层,形成超薄铜覆铜板,直接用来作为商品出售给PCB加工厂。羽霑层 七学铜二这种超薄铜箔材料也可以由PCB加工厂在生产HDI板和极细线路的生产流程中使用。[0016]如果做成单面超薄铜箔,只做低温层压,保持树脂在B阶状态,那么就做成了附树脂铜箔(RCC)。附图说明附图1是超薄铜箔的截面图。附图2是超薄铜箔材料的平面图。具体实施方式具体实施方式1:超薄铜箔覆铜板步骤A、首先按照正常普通双面覆铜板的生产方式一样进行组合,尺寸610mm*510mm,中间用使用一张2116,树脂含量53%,厚度0.123mm,两面各放一张18um的铜箔。步骤B、把以上组合在一起的材料进行真空层压,层压温度110°C,层压时间60分钟,压力35kg/cm2。步骤C、层压后用胶带把板四周两面的铜箔封住,胶带宽度为15mm,把没有胶带覆盖的铜箔蚀刻掉。步骤D、撕去胶带,把此板料直接进行化学沉铜,不要除胶渣。步骤E、把板料放到真空层压机内采用普通参数进行层压,让化学铜层与树脂层紧密结合,同时树脂固化为C阶。步骤F、在此板料上电镀一层l-9um的铜层,或者不用电镀,完成超薄铜箔材料的制作。具体实施方式2:制造附树脂铜箔(RCC)步骤A、叠合,材料尺寸610mm*510mm,三张18um的铜箔与两张2116半固化片进行叠放,最外侧的铜箔毛面朝向半固化片。步骤B、把以上组合在一起的材料进行真空层压,层压温度110°C,层压时间60分钟,压力35kg/cm2。步骤C、层压后用胶带把板四周两面的铜箔封住,胶带宽度为15mm,把没有胶带覆盖的铜箔蚀刻掉。步骤D、撕去胶带,把此板料直接进行化学沉铜,不要除胶渣。步骤E、在此板料上电镀一层l-9um的铜层,或者不用电镀。步骤F、把此板料从中间撕开,去除中间一层的铜箔,即成为2张附树脂铜箔。具体实施方式3:用在积层板的制作按照具体实施方式2的方法,在步骤E中电镀上1-3um的铜,制造成附树脂铜箔。把此附树脂铜箔按照普通RCC的方式真空压合在待积层的板上。直接进行激光钻孔和盲孔沉铜电镀,由于铜很薄而且均匀,不需要对激光孔进行开窗或者半蚀铜减薄。具体实施方式4:加成法极细线路制作按照具体实施方式1的方法,在步骤F步骤中不需要进行电镀,制作出只有化学铜层的覆铜板。在以上覆铜板上用40um厚度的干膜进行图形转移,形成负像线路,线宽/间隙为50um/5um。对以上带有干膜图形的覆铜板进行电镀铜,在没有干膜覆盖的化学铜面上电镀上一层30um的铜层。使用3%的氢氧化钠退去干膜,把此板进行微蚀,去除化学铜层,最终完成极细线路的制作,线宽48um。本发明采用化学铜层作为基础导电层,实现了铜箔的超薄化。本发明采用半固化树脂与化学铜层真空低温、高温配合的方法,实现了工艺的实用性,保证了化学铜与
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