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(19)中华人民共和国国家知识产权局cl(12)发明专利申请""fr(10)申请公布号盈CN110620041A(43)申请公布日2019.12.27(21)申请号CN201910914289.0(22)申请日2019.09.25(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号(72)发明人潘嘉;杨继业;邢军军;黄璇涨须坤;陈冲(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人罗雅文(51)Int.CI权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称在IGBT芯片上集成温度传感器的方法(57)摘要本申请公开了一种在IGBT芯片上集成温度传感器的方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括在硅衬底上生成栅氧化层；在栅氧化层上生成多晶硅栅层；在多晶硅栅层上生成氧化层；在氧化层上生成温度传感器poly层；在温度传感器poly层中形成P型区；刻蚀预设区域的温度传感器poly层，直到露出氧化层；在P型区中形成N型区；刻蚀去除N型区和P型区表面的温度传感器poly层、未被温度传感器poly层覆盖

的氧化层、预定区域的多晶硅栅层；同时制作温度传感器接触孔和IGBT接触孔；解决了目前IGBT芯片的结温监测方案复杂、精确度不高的问题；达到了实时精确监测IGBT芯片的结温，快速法律状态公开法律状态公开公开实质审查的生效法律状态法律状态公告日2019-12-2712-2701-21法律状态信息公开公开实质审查的生效权利要求说明书在IGBT芯片上集成温度传感器的方法的权利要求说明书内容是…请下载

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