2022-2025年MOSFET(MOS管)市场分析及未来发展趋势报告

2022-2025年MOSFET(MOS管)市场分析及未来发展趋势报告日期：2022-10-22目录1234行业概述行业现状分析行业痛点及发展建议行业格局及前景趋势CONTENTS1行业概述行业定义行业发展历程行业政策、经济、社会环境MOSFET，又称MOS、MOS管，全称为MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管，即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。根据工作载流子的极性不同，功率MOSFET可进一步分为N沟道型（NMOS）与P沟道型（PMOS），两者极性不同但工作原理类似，在实际电路中采用导通电阻小、制造较容易的N沟道型MOSFET。MOSFET具有三个电极，分为源极（Source）、漏极（Drain）以及栅极（Gate），通过控制栅极所加电压可控制源极与漏极之间的导通与关闭。以N沟道MOSFET为例，当G、S极之间的电压为零时，D、S之间不导通，相当于开路，而当G、S极之间的电压为正且超过一定界限时，D、S极之间则可通过电流，因此功率MOSFET在电路中起到的作用近似于开关。MOSFET(MOS管)行业定义行业定义01020304萌芽期（1959-1969年）1959年，全球首款功能性MOSFET问世，这款产品使用了硅低衬、二氧化硅栅极电介质和AI栅极电极。此后，通过引入杂质吸附的方法以及提高对环境清洁度的控制，MOSFET栅极不稳定的问题得到了解决。这一时期，功率器件领域内成功建立起MOSFET的漏极电流Id和漏极电压Vd以及栅极电压之间的关系模型，但由于MOSFET驱动电流低于双极结晶体管，且阈值电压不稳定，尚未成为主流双极技术的竞争者。高速发展期（2014年至今）关于栅极氧化物的厚度，当时业界普遍认为3nm是极限，低于该数值时则出现隧穿现象。2016年，IBM利用强度更大的背光注入技术成功地制造出了厚度4nm、栅长6nm的MOSFET，是目前世界上能够实际运行的“最小”的MOSFET。为实现器件进一步的缩小与集成，MOSFET在纳米级别还在现基础上进一步向更小尺寸发展。为突破物理极限，当前国际各科研团队在新材料特殊属性基础上研发，试图制造出更高性能更低功率更小尺寸的MOSFET。成长期（1970-1980年）20世纪60年代后期，MOSFET开始采用多晶硅栅极电极。70年代初，多晶硅栅极在高温掺杂扩散时形成源-漏极区域的标志，从而让源极/漏极和栅极电极自行对齐，使MOSFET尺寸不断缩小成为了可能。在此背景下，MOSFET开始被用于LSI电路的制造，如内存和微处理器，但高性能大型计算机主要还是使用双极结晶体管。快速发展期（1981-2013年）随着技术的进步，MOSFET的特征尺寸不断减小。为解决短通道效应，业界提出了轻掺杂漏极结构。自6μm代MOSFET以来，电源电压二十多年保持在5V，最终在0.5μm代技术产生时，电源电压下降至发展历程行业PEST-政策分析《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》把核心基础零部件（元器件）、先进基础工艺、关键基础材料和产业技术基础（统称“四基”）作为着力破解的发展瓶颈；并把集成电路及专用装备作为重点发展对象，要求着力提升集成电路设计水平，不断丰富知识产权（IP）核和设计工具，突破关系国家信息与网络安全及电子整机产业发展的核心通用芯片，提升国产芯片的应用适配能力。设立国家产业投资基金，重点支持集成电路制造领域，兼顾设计、封装测试、装备、材料环节，推动企业提升产能水平和实行兼并重组、规范企业治理，形成良性自我发展能力。明确指出做强信息技术核心产业，提升核心基础硬件供给能力。推动电子器件变革性升级换代，加强低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光电子、混合光电子、微波光电子等领域前沿技术和器件研发，功率半导体分立器件产业将迎来新的一轮高速发展期。《“十三五”国家信息化规划》制定国家信息领域核心技术设备发展战略纲要，以体系化思维弥补单点弱势，打造国际先进、安全可控的核心技术体系，带动集成电路、基础软件、核心元器件等薄弱环节实现根本性突破。《国家集成电路产业发展推进纲要》《中国制造2025》行业PEST-》行业政策中央办公厅、国务院办公厅国务院《国家信息化发展战略纲要》强调制定国家信息领域核心技术设备发展战略纲要的重要性，以体系化思维弥补单点弱势，打造国际先进、安全可控的核心技术体系，带动集成电路、基础软件、核心元器件等薄弱环节实现根本性突破。《“十三五”国家战略性新型发展产业发展规划》《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》指出加快制定宽禁带半导体标准，推动电子器件变革性升级换代。在科研领域加强低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光电子、混合光电子、微波光电子等领域前沿技术和器件研发，形成一批专用关键制造设备，提升光网络通信元器件支撑能力。支持电力电子功率器件核心产业，其中包括金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管芯片（IGBT）及模块、快恢复二极管（FRD）、垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管（VDMOS）、可控硅（SCR）、5英寸以上大功率晶闸管（GTO）、集成门极换流晶闸管（IGCT）、中小功率智能模块。发改委行业社会环境台系企业和台湾媒体均表示8寸晶圆产能紧张，在高达2成的缺口下价格有望调涨，进一步验证我们前篇报告中对8寸产能趋势的判断。根据台湾电子时报DIGITIMES报道和分析，2020年传统旺季效应在Q3明显发酵，由于客户新品发布延迟到2020年下半年，8寸产能订单火爆需求紧张，2020年下半年8寸晶圆交期延长至3~4个月，价格将较上半年调涨5~10%，20Q4急单价格调涨10%，2021年8寸晶圆代工价格将会年增10%左右。虽然诸多供应商皆有产能扩充计划，但产能无法短期内大幅增加，2021年供给缺口约达2成左右。联电表示，2021年市场需求热络，晶圆代工价格将从过去客户主导，转变为卖方拿回发言权，整体ASP价格可能略微调涨。世界先进提出，已有客户陆续预订2021年产能，预期产能吃紧情况会延续到一整年。行业社会环境作为最基础的电子器件，MOSFET具有高频、电压驱动、抗击穿性好等特点，应用范围覆盖电源、变频器、CPU及显卡、通讯、消费电子、汽车电子、工业等多领域。在一般电子电路中，MOSFET通常被用于放大电路或开关电路，其可作为逻辑电路和易失性电路内存电路的开关，也可作为放大信号元器件使用。20世纪70年代，CMOS技术在NMOS与PMOS工艺基础上逐渐发展起来，CMOS的C表示互补，即将NMOS器件与PMOS器件同时制作在同一硅衬底下，制作CMOS集成电路。CMOS集成电路具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等众多优点，是当前集成电路的主流工艺技术，MOSFET也因此成为当前集成电路的重要元器件之一。2014-2015年积累的大批产能在2016年电子产品市场结构调整中爆发，叠加下游端的需求压缩，行业内产能过剩的情况大量存在。但受物联网、云计算、大数据、智能制造、智能交通、医疗电子等新兴应用领域市场拓展的影响，自2016年起，中国MOSFET行业市场规模再次恢复了逐年增长的发展趋势。行业经济环境2MOSFET(MOS管)行业现状分析MOSFET(MOS管)产业链MOSFET(MOS管)行业驱动因素MOSFET(MOS管)行业现状分析MOSFET(MOS管)行业市场规模产业链上游MOSFET(MOS管)产业链上游概述中国MOSFET产业链上游市场参与者有晶圆、封装材料等原材料供应商及生产设备供应商。晶圆采购成本约占MOSFET成本的30%-40%，当前全球晶圆供给紧张局面促使晶圆价格持续上涨。12英寸晶圆在2017年起逐季上涨，全年价格涨幅约为20%-30%，受晶圆产能不足的影响，8英寸晶圆价格随之跟涨。当前中国MOSFET芯片良率已达95%以上，已基本追平98%-99%的国际水平，在中低端领域凭借性价比已基本实现进口替代，但制程多集中6英寸，落后于国际市场中功率器件商普遍使用的8英寸晶圆制造技术。在12英寸晶圆片领域，当前国际功率器件厂商仅有英飞凌具备相关制造技术。自2000年以来，全球领先晶圆厂产能逐渐从6英寸晶圆产线迁移到更高阶的12英寸晶圆产线，8英寸晶圆生产线数量停滞不前，甚至在2015年生产线数量处于逐渐下滑的状态，2016-2017年市场随之出现供应紧张状态。相对于刚刚起步的12英寸产线，8英寸制程可推动中国半导体产业推动设备及材料的联动。目前中国有中芯国际、华虹宏力、上海先进、华润微电子等多家集成电路制造厂商已建成多条8英寸生产线。在功率器件12英寸的技术节点上，政府高度重视晶圆厂的技术发展，近两年来投入巨额资金支持12英寸及8英寸先进晶圆产线发展，随着新晶圆产线逐渐建成投产，将为中国半导体产业提供坚实的发展基础。产业链中游MOSFET(MOS管)产业链中游概述按生产模式来分，MOSFET厂商可分为IDM（IntegratedDesignandManufacture，垂直整合制造）模式、Fabless（无工厂芯片供应商）模式及Foundry（代工厂）模式。IDM模式:集MOSFET设计、制造、封测，甚至是下游电子终端产品生产于一体的模式。中国MOSFETIDM厂商主要有新洁能、扬杰、深爱半导体等，企业可在设计、制造等环节协同优化，充分发掘技术潜力，可率先实现领先技术的实验并推行新的半导体技术。但IDM模式资金壁垒较高，通常IDM厂商规模庞大，管理成本高，资本回报率较低。Fabless模式:指仅负责MOSFET芯片设计，将生产、测试、封装等环节外包的模式。Fabless模式下，厂商直接面对用户，根据用户需求进行个性化定制，企业资产轻，初始投资规模小，创业难度低，运营费用低，转型灵活。中国华南地区以及江浙沪地区有众多中小型MOSFET厂商，其地理位置多贴近下游消费电子整机厂厂址。这些中小型MOSFET厂商多使用Fabless模式，从晶圆厂购买芯片直接售卖，或者将封装、测试环节外包，出售MOSFET成品。部分小厂商的主要客户为中低端消费电子整机厂，产品利润水平低，客户对产品质量要求低，厂商为压缩成本甚至不进行测试环节。Foundry模式:只负责代工制造、封装或测试的其中一环，不负责MOSFET产品设计的模式，如苏州固锝，其不仅生产自身产品，还为其他设计公司提供芯片代工服务。一般代工厂模式下，厂商可同时为多家设计公司提供服务。代工厂不存在因市场调研不准与产品设计缺陷等问题带来的决策风险，但是批量化的生产需要较大投资规模，高昂的生产线运维费用导致该行业资金壁垒远高于Fabless模式厂商。由于半导体生产工艺水平直接影响产品质量与产品良率，高工艺水平的芯片代工厂在产业链中具有较高话语权。在行业内出现周期性产能紧张的时候，知名芯片代工厂，如华虹电子订单交付周期将从淡季的1-2个月延长至6个月以上。大部分设计公司为了囤货应对市场需求，会采用竞价的方式高价购买代工厂提前交付的产品。产业链下游MOSFET(MOS管)产业链下游概述产业链直接下游企业涵盖消费电子、工业、通讯、汽车电子、CPU/GPU及电子照明等多领域，并通过直接客户与汽车、计算机、家用电器等众多最终消费品配套。据在MOSFET行业从业超过十年的专家表示，中国MOSFET应用分布中，汽车电子及充电桩占比达20-30%，消费电子占比在20%以上，工业领域应用约占20%，通讯设备占比自2019年3月份起呈持续上升态势。近三年来，受益于国家经济刺激政策的实施以及新能源、新技术的应用，下游最终产品的市场需求保持着良好的增长态势，从而为MOSFET行业的发展提供了广阔的市场空间。汽车电气化为MOSFET带来巨大的增量空间。2017年2月，国务院发布的《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》中提出，到2020年中国新能源汽车年产销200万辆以上，累计产销超过500万辆，整体技术水平保持与国际同步，形成一批具有国际竞争力的新能源汽车整车和关键零部件企业。2015年11月，国家发改委印发的《电动汽车充电基础设施发展指南（2015-2020）》提出，到2020年中国充换电站数量达到2万个，分散式充电桩超过480万个。传统汽车中，MOSFET主要用于辅助驱动各种电动马达，包括通风系统、雨刮器、电动车窗等。电动汽车中大量电气控制装置将促使MOSFET的用量大幅上升。根据英飞凌测算，电动汽车中半导体价值量接近传统汽车的两倍，MOSFET与IGBT等功率器件是电动车电机控制器实现功率变换的核心部件，高端电动汽车中，MOSFET器件用量可达250只。同时新能源汽车的普及也将进一步带动充电桩的需求，MOSFET作为充电桩的核心功率器件，其销量将随着充电桩分布密度的提高不断上升。在低压MOSFET市场中，PC占据了40%以上的市场份额，每一代CPU（又称“主板”）、GPU（又称“显卡”）的更迭都会带动一波MOSFET的市场需求。随着CPU、GPU运算能力的上升，所需供电电流愈高，当电流超过电子元件的承受能力后，多相供电就成为了必要。多相供电电路中每一项供电都至少需要上下桥两个MOSFET。电竞的蓬勃发展促使PC硬件最高配置逐年升级，当前英伟达领先产品NVIDIATITANRTX中搭载的iMOSDrMOS电源高达13相，远高于五年前主流的4-6相供电，CPU与GPU的算力提高使MOSFET用量大幅增加。行业现状中国MOSFET行业整体不断发展，市场规模（以销量计）从2014年的8亿只增长至2018的年939.8亿只，年复合增长率高达326.5%。2016年，中国MOSFET行业结束了自2012年起市场份额逐年增长的态势，其主要原因如下:（1）宏观上，由于全球经济整体复苏乏力，且PC市场衰退，移动通信终端市场增速减缓及平板等主要电子产品市场发展放缓；（2）2014-2015年积累的大批产能在2016年电子产品市场结构调整中爆发，叠加下游端的需求压缩，行业内产能过剩的情况大量存在。但受物联网、云计算、大数据、智能制造、智能交通、医疗电子等新兴应用领域市场拓展的影响，自2016年起，中国MOSFET行业市场规模再次恢复了逐年增长的发展趋势。行业市场规模2019年3月起，MOSFET的价格从高点下跌，消费电子整机出口量的下降直接压缩了中小厂商的生存空间。虽然上游晶圆供应情况逐渐缓解，价格出现了10%左右的降幅，但中国中小MOSFET下游市场需求主要集中于消费电子领域，随着下游需求的锐减，竞争加剧，利率空间直接被压缩。而华南等地小厂将面临供应链不全的压力，中小型MOSFET厂商难以低价获得晶圆，低端客户又难以承受MOSFET整体价格上涨带来的成本压力，部分中小厂商开始接低于10%利润率的订单。在中国长三角及华南地区有大量中小MOSFET厂商，这些厂商多为Fabless模式，芯片制造与封装环节外包，甚至不进行测试直接售卖。在产能调整时期，MOSFET市场集中度将逐渐提升，落后产能将被市场逐渐淘汰，整体产品质量逐渐提高。2017年2月，国务院发布的《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》中提出，到2020年中国新能源汽车年产销200万辆以上，累计产销超过500万辆，整体技术水平保持与国际同步，形成一批具有国际竞争力的新能源汽车整车和关键零部件企业。2015年11月，国家发改委印发的《电动汽车充电基础设施发展指南（2015-2020）》提出，到2020年中国充换电站数量达到汽车电气化为MOSFET带来巨大的增量空间PC占据了40%以上的市场份额，每一代CPU（又称“主板”）、GPU（又称“显卡”）的更迭都会带动一波MOSFET的市场需求。随着CPU、GPU运算能力的上升，所需供电电流愈高，当电流超过电子元件的承受能力后，多相供电就成为了必要。多相供电电路中每一项供电都至少需要上下桥两个MOSFET。电竞的蓬勃发展促使PC硬件最高配置逐年升级，当前英伟达领先产品NVIDIATITANRTX中搭载的iMOSDrMOS电源高达13相，远高于五年前主流的4-6相供电，CPU与GPU的算力提高使MOSFET用量大幅增加。在低压MOSFET市场中行业现状MOSFET(MOS管)行业驱动因素行业驱动因素1近五年来，国家对半导体产业支持力度持续加码，在产业政策支持和国民经济发展的推动作用下，中国功率MOSFET行业整体的技术水平、生产工艺、自主创新能力和技术成果转化率有了较大的提升。政策支持随着电子整机、消费类电子产品等产业链下游行业市场份额的扩张，MOSFET市场规模仍有可观的发展空间。汽车电气化刺激MOSFET带来巨大的增量，下游电子整机对节能环保的需求在拉动分立器件产品需求量增长的同时，同时带动产品结构的快速升级。随着5G商用化进程的开始以及TypeC在移动端的进一步覆盖，宽禁带MOSFET的需求量将成倍增长。同时有关SiC基、GsN基及封装等新技术新工艺的发展使新型MOSFET产品展现出良好的性能，工作温度、电阻、功率、电压、频率等属性的优化促使MOSFET可适用于更多应用场景。宽禁带MOSFET芯片的售价与利润率远高于硅基MOSFET芯片，随着新材料分立器件的应用普及，未来MOSFET的整体市场规模将在现有基础上进一步扩大。宏观环境助推国产品牌崛起MOSFET(MOS管)行业驱动因素行业驱动因素2早在2010年，国家发改委《关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》中，确立了功率器件产业化专项重点，支持MOSFET、IGCT、IGBT、FRO等量大面广的新型电力电子芯片和器件的研发与产业化。近五年来，国家出台了一系列政策扶持民族半导体制造行业，培养了一批专业人才，行业内整体科研水平迅速提升，大批分立器件制造企业在短时间内迅速壮大。地缘政治因素也为内资产品提供了更大的市场空间。中国是世界上最大的MOSFET市场，对MOSFET有巨大的市场需求，受制于国产产品性能，大部分高端应用领域在原材料采购进程中不会将国产MOSFET纳入选择范围。2018年的“中兴事件”加速了国内各行业对于半导体器件的国产化进程，部分下游企业开始尝试使用国产分立器件产品替代进口产品，为中国功率器件厂商提供了难得的市场机遇。宏观环境助推国产品牌崛起MOSFET升级之路包括制程缩小、技术变化、工艺进步。MOSFET在工艺线宽、器件结构、生产工艺know-how三个层面的技术发化放缓，随着国内企业在产线建设、产品开发方面速度加快，国内外差距将明显缩窄。另一方面国外厂商逐步退出中低端市场，国内企业有机会承接市场份额。下游市场需求不断扩张3行业痛点及发展建议行业痛点行业发展建议行业痛点MOSFET(MOS管)行业缺乏完备的质量控制和质量保证体系，生产商缺乏统一的生产标准，行业内产品质量良莠不齐，导致产品的可靠性难以保证，丧失产品市场竞争力质量参差不齐政府秉承创新开放的态度，支持和鼓励科学研究创新，对科学研究试验不设置严格限制，因此，MOSFET(MOS管)行业不存在统一的监督管理规范，产品质量主要依靠生产企业自主检测，MOSFET(MOS管)行业产品质量的监管难度加大行业监管难度大政府秉承创新开放的态度，支持和鼓励科学研究创新，对科学研究试验不设置严格限制，因此，MOSFET(MOS管)行业不存在统一的监督管理规范，产品质量主要依靠生产企业自主检测，MOSFET(MOS管)行业产品质量的监管难度加大高端产品发展落后复合型人才稀缺MOSFET(MOS管)行业深陷人才困境。行业发展缺乏人才支撑，团队模式的培育机制弊端明显导致MOSFET(MOS管)行业企业专业人才留存难度加大，制约MOSFET(MOS管)行业企业扩张。MOSFET(MOS管)行业对从业人员的业务素质要求高，主要表现在以下三方面从业人员需要具备行业基础知识和法律知识，为企业客户提供全面、可靠、专业、多样的解决方案。从业人员需要懂行业的专业知识，包括：MOSFET(MOS管)行业产品得用途与优缺点，行业特征、市场环境和产业战略规划等。从业人员需要具有优秀的营销谈判能力、风控反控能力及报告沟通能力。目前该行业在人才招聘时能够匹配上述要求的人才寥寥无几，限制行业发展。由于复合型人才稀缺，MOSFET(MOS管)行业企业通常采用团队培育的方式进行专业能力建设，而该模式亦存在一定的弊端，企业的中高端人才若大量流失，初级员工的业务技能培训将面临能力传承的断层，导致企业人才培养难度加大，制约MOSFET(MOS管)行业企业发展。质量提升在资本的加持下，MOSFET(MOS管)的跑马圈地仍在持续，预计2021年将会更加残酷和激烈。同时，在线教育也面临着更严格的监管，合规成本提升。MOSFET(MOS管)行业产品品种多、批量小、附加值高，产品质量要求也较为严格。MOSFET(MOS管)行业市场产品质量参差不齐，假冒伪劣等乱象仍普遍存在，严重阻碍MOSFET(MOS管)行业发展进步。未来，提升MOSFET(MOS管)行业产品质量是发展MOSFET(MOS管)行业的核心任务，具体措施可分为以下两大部分：（1）政府方面：政府应当制定行业生产标准，规范MOSFET(MOS管)行业生产流程，并成立相关部门，对科研用MOSFET(MOS管)行业的研发、生产、销售等各个环节进行监督，形成统一的监督管理体系，完善试剂流通环节的基础设施建设，重点加强冷链运输环节的基础设施升级，保证MOSFET(MOS管)行业产品的质量，促进行业长期稳定的发展；（2）生产企业方面：MOSFET(MOS管)行业生产企业应严格遵守行业生产规范，保证产品质量的稳定性。目前市场上已有多个本土MOSFET(MOS管)行业企业加强生产质量的把控，对标优质、高端的进口产品，并凭借价格优势逐步替代进口。此外，MOSFET(MOS管)行业企业紧跟行业研发潮流，加大创新研发力度，不断推出新产品，进一步扩大市场占有率，也是未来行业发展的重要趋势提升产品质量生产企业方面政府方面新鲜有趣的玩法与促销节日的紧密融合将有效增加用户黏性，随着网民的社交、娱乐需求在电商场景不断得到释放，电商平台应推出更多贴合用户口味的创意玩法，从而推动促销节日的高效传播与转化。促销节日的实惠程度关系用户消费意愿，未来促销节日应回归促销的本质，避免过多噱头和复杂规则影响消费体验，努力实现让用户获益、厂家增收的共赢效果。2019年中国电商促销节日用户消费意愿影响因素占比全面增值服务1199增值服务提高产品定制服务需求日益多样化行业同质化竞争严重MOSFET(MOS管)行业企业服务模式单一。面对各级消费群体日益多样的服务需求，MOSFET(MOS管)行业企业提供全面增值服务，构建综合服务体系，形成核心竞争力，是当前MOSFET(MOS管)行业发展的必然趋势。MOSFET(MOS管)行业企业的转型压力主要源于以下三大方面：单一的资金提供方角色仅能为MOSFET(MOS管)行业企业提供“净利差”的盈利模式，MOSFET(MOS管)行业同质化竞争日趋严重，利润空间不断被压缩，企业业务收入因此受影响，商业模式亟待转型除传统的MOSFET(MOS管)行业需求外，设备管理、服务解决方案、贷款解决方案、结构化融资方案、专业咨询服务等方面多方位综合性的增值服务需求也逐步增强中国本土MOSFET(MOS管)行业龙头企业开始在定制型服务领域发力，巩固行业地位多元化融资渠道丰富企业的债券种类关键词一深化与核心银行的合作关系关键词二拓展银行关系渠道关键词三MOSFET(MOS管)行业企业在保证间接融资渠道通畅的同时，能够综合运用发债和资产证券化等方式促进自身融资渠道的多元化，降低对单一产品和市场的依赖程度，实现融资地域的分散化，从而降低资金成本，提升企业负债端的市场竞争力。以远东宏信为例，公司依据自身战略发展需求，坚持“资源全球化”战略，结合实时国内外金融环境，有效调整公司直接融资和间接融资的分布结构，在融资成本方面与同业相比优势突出企业获取各业态银行如国有银行、政策性银行、外资银行以及其他中资行的授信额度，确保了银行贷款资金来源的稳定性可持续公司债等创新产品，扩大非公开定向债务融资工具（PPN）、公司债等额度获取，形成了公司债、PPN、中期票据、短融、超短融资等多产品、多市场交替发行的新局面；MOSFET(MOS管)行业需要通过杠杆推动业务运转，从负债端看，MOSFET(MOS管)行业企业的融资能力对资金成本和资金流动性具有决定性作用，因此，MOSFET(MOS管)行业企业打通多元化融资渠道，提高资金周转率，将是促进MOSFET(MOS管)行业业务发展的重要举措。融资渠道拓展的主要方式主要包括以下三点：

拓展技术服务领域MOSFET(MOS管)行业属于领域中发展最快的细分领域之一，随着MOSFET(MOS管)的市场环境日趋成熟，行业竞争日趋激烈，多家MOSFET(MOS管)企业开始扩张产品相关服务领域，提升企业的行业竞争力，主要举措包括：提高产品定制服务能力提升技术服务能力供科研咨询服务MOSFET(MOS管)行业企业开始在定制型服务领域发力，巩固行业地位MOSFET(MOS管)行业企业面向多元化的科研实验需求，建立多种技术服务平台，向客户提供除了所需的原材料以外的提取、分析等技术服务，形成企业特有竞争力通过进行细化分工，为客户制定科研问题解决方案，使客户能更加专注于其擅长的领域，提高科研效率，且帮助行业大幅节省医学科研投入聚焦投资业务行业资源优势金融资源优势服务优势MOSFET(MOS管)行业厂商长期参与采购与评估，积累了较为丰富的上游厂商资源储备，且与多家厂商建立长期合作关系MOSFET(MOS管)行业商依托本身提供的资金服务，具备融资渠道畅通的资金优势，可为行业建设提供初期资金支持，且可通过杠杆提升资金效率MOSFET(MOS管)行业企业凭借多年的客户服务经验，服务体系日趋完备，信息化服务于一身的综合服务体系，能够进行有效迁移，为投资业务的长期健康发展提供有力支持MOSFET(MOS管)行业头部企业已形成完善的的服务体系，在中国政府逐步放宽企业的准入条件，鼓励并支持的政策背景下，MOSFET(MOS管)行业企业开拓投资业务，通过产融结合向实业运营纵深发展，MOSFET(MOS管)行业未来的重要发展趋势。&&&

页岩气革命后，乙烷价格持续走低。美国是世界上最大的乙烷生产国，也是唯一的乙烷出口国。美国乙烷主要来自湿天然气经过天然气厂分离后得到的天然气液（NGL,Naturalgasliquids）和原油开采副产的凝析油经过炼厂处理后得到的液化炼厂气（LRG,Liquefiedrefinerygases），其中前者贡献了绝大部分。自2010年以来，美国NGL产量几乎翻了一番，超过了天然气产量增长率，并创下了2017年370万桶/天的年度记录。由于页岩气产量不断增加，同时受管道运输中乙烷比例不能超过12%的限制，美国乙烷产量也持续提升。并且乙烷相对较低的热值及沸点使其作为液化燃料无法与丙烷和丁烷竞争，分离费用也降低了其作为管道气的吸引力，乙烷自身产量又高于其它NGL组分，其供给过剩的情况日益凸显。这导致美国乙烷价格在2011年底开始下降，并且在2013年至2015年由于乙烷产量超过消费量，乙烷价格一度低于天然气价格，直到随后乙烷需求增加价格才逐渐回升至2016年平均150美元/吨和2017年平均184美元/吨。2018年6月份开始乙烷价格受供需影响迎来一波大涨，目前处于高位回落阶段。

竞争趋势随着科技不断发展，MOSFET(MOS管)企业对MOSFET(MOS管)行业产品的研发投入不断加大，企业形成自己的技术堡垒是在未来市场中取得市场份额的重要收到，因此技术竞争也是未来行业竞争的重要方向之一。MOSFET(MOS管)行业的竞争促进了产品质量与服务的持续优化与创新，在满足客户需求的同时也给行业服务带来不断的新体验。优质的服务是MOSFET(MOS管)行业竞争的重要焦点与未来趋势。客户是上帝，满足客户的需求是MOSFET(MOS管)行业企业的价值实现，MOSFET(MOS管)行业竞争趋势首先在需求的分析与客户痛点的把握。小众运动场景日益崛起，带动了新的MOSFET(MOS管)行业产品需求。随着行业的竞争不断加剧，企业竞争的本质是人才的竞争，MOSFET(MOS管)行业企业都在不断提升专业员工的技术水平。通过专项培训、高薪招聘吸引高端优质人才加入。人才竞争是未来MOSFET(MOS管)行业竞争的核心点之一。

服务技术需求人才投资机会专家服务模式更侧重借助专家的实际从业经验与洞察，针对企业遇到的实际问题给出一针见血的建议。全方位赋能，尤其是在服务能力的提升上，以更加完善的服务体系建设，为消费者带来更好的产品体验。010203投资机会投资机会投资机会MOSFET(MOS管)行业资源整合MOSFET(MOS管)行业咨询管理MOSFET(MOS管)行业产品服务根据企业的发展战略和市场需求对有关的资源进行重新配置，以突显企业的核心竞争力，并寻求资源配置与客户需求的最佳结合点。目的是要通过组织制度安排和管理运作协调来增强企业的竞争优势，提高客户服务水平。行业发展建议ABC发展建议1发展建议2发展建议3提升产品质量（1）政府方面：政府应当制定行业生产标准，规范MOSFET(MOS管)行业生产流程，并成立相关部门，对科研用MOSFET(MOS管)行业的研发、生产、销售等各个环节进行监督，形成统一的监督管理体系，完善试剂流通环节的基础设施建设，重点加强冷链运输环节的基础设施升级，保证MOSFET(MOS管)行业产品的质量，促进行业长期稳定的发展；（2）生产企业方面：MOSFET(MOS管)行业生产企业应严格遵守行业生产规范，保证产品质量的稳定性。目前市场上已有多个本土MOSFET(MOS管)行业企业加强生产质量的把控，对标优质、高端的进口产品，并凭借价格优势逐步替代进口。此外，MOSFET(MOS管)行业企业紧跟行业研发潮流，加大创新研发力度，不断推出新产品，进一步扩大市场占有率，也是未来行业发展的重要趋势。全面增值服务单一的资金提供方角色仅能为MOSFET(MOS管)行业企业提供“净利差”的盈利模式，MOSFET(MOS管)行业同质化竞争日趋严重，利润空间不断被压缩，企业业务收入因此受影响，商业模式亟待转型除传统的MOSFET(MOS管)行业需求外，设备管理、服务解决方案、贷款解决方案、结构化融资方案、专业咨询服务等方面多方位综合性的增值服务需求也逐步增强。中国本土MOSFET(MOS管)行业龙头企业开始在定制型服务领域发力，巩固行业地位多元化融资渠道可持续公司债等创新产品，扩大非公开定向债务融资工具（PPN）、公司债等额度获取，形成了公司债、PPN、中期票据、短融、超短融资等多产品、多市场交替发行的新局面；企业获取各业态银行如国有银行、政策性银行、外资银行以及其他中资行的授信额度，确保了银行贷款资金来源的稳定性。MOSFET(MOS管)行业企业在保证间接融资渠道通畅的同时，能够综合运用发债和资产证券化等方式促进自身融资渠道的多元化，降低对单一产品和市场的依赖程度，实现融资地域的分散化，从而降低资金成本，提升企业负债端的市场竞争力。以远东宏信为例，公司依据自身战略发展需求，坚持“资源全球化”战略，结合实时国内外金融环境，有效调整公司直接融资和间接融资的分布结构，在融资成本方面与同业相比优势突出。4行业格局及前景趋势行业格局行业发展趋势行业代表企业行业趋势需求占比调整中低压市场国外大厂退出，国内厂商有望承接市场份额行业洗牌，集中度不断提高在上游晶圆厂产能持续紧张的情况下，以英飞凌为代表的国际功率器件大厂转向新能源领域高级产品市场，中低端功率器件的市场空白是长期存在的，这为当前在中低端领域实现进口替代的中国MOSFET厂商带来了机会，另一方面也加速了行业洗牌。半导体材料成本占MOSFET的30%-40%，宽禁带材料MOSFET甚至在60%以上，是至关重要的一环。在国际市场中，MOSFET多使用8英寸基片制造半导体二极管，加工技术成熟，产品性能稳定。在12英寸晶圆片领域，当前国际功率器件厂商只有英飞凌有相关技术，日本东芝、三菱以及台湾地区的功率半导体厂商主要产品集中于8英寸领域。近三年来，中国大陆不断有8寸、12寸先进制程的晶圆厂建成并投产，未来8英寸、12英寸大尺寸晶圆片将成为MOSFET的主要原材料。大尺寸晶圆片将成为主要原材料瑞萨电子是全球最大的中低压MOSFET厂商，公司在该领域市场占比为40%，2013年瑞萨率先退出中低压MOSFET领域，其他厂商也纷纷开始向毛利率较高的高压MOSFET领域转型。中国是全球最大的消费电子生产国，对中低压MOSFET需求巨大，目前士兰微的产品已经覆盖了白色家电领域，国内厂商有望承接中低压MOSFET领域的市场份额，实现国产化。随着汽车电子化以及工业系统智能化程度的不断加深，到2022年MOSFET下游应用中，汽车占比为22%，计算机及存储占比为19%，工业占比为14%。同质化竞争激烈价格战