半导体行业市场分析报告

半导体行业市场分析报告1）市场规模：2021年全球市场规模达到5531亿美金，同比+26%，WSTS预计2022年将继续增长，市场规模有望达6284亿美金，同比+14%，2023年市场规模达到6632亿美金，同比+6%2）周期性：从1980年开始，全球半导体产业历经8轮周期，从2019年开始处于第9轮周期，目前处于上行阶段，近几轮周期一般持续3-4年，本次周期疫情打乱节奏，周期时间有拉长的趋势图：全球半导体市场规模强周期属性（亿美金）全球半导体市场规模(亿美金）yoy70006000500040003000200010000140%120%100%80%60%40%20%0%1996|20002008|20101989|1995-20%-40%-60%规模占比：存储是半导体第二大细分市场。2021/2020/2019年全球存储市场规模为1534/1175/1064亿美金，占半导体规模的比例为28%/27%/26%，是全球第二大细分品类周期波动：存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致，但波动性远大于其他细分品类图：半导体各细分市场占比图：半导体各细分市场yoy分立、光电器件、传感器分立、光电器件、传感器微型元件模拟芯片逻辑芯片存储器40%35%30%25%20%15%10%5%0%-20%-40%成长性：2002-2021年、2011-2021年、2016-2021年存储CAGR分别为9.5%、9.7%、14.9%，均为半导体成长性最优细分产品，且近5年增速显著高于近十年和近二十年增速，成长性显著提升图：全球半导体细分市场CAGR存储器逻辑芯片微型元件模拟芯片2016-21年CAGR2011-21年CAGR2002-21年CAGR0%2%4%6%8%

10%

12%

14%

16%图：全球存储细分市场占比DRAM

NAND

Nor等2009

2010

2011

2012

2013

2014

2015

2016

2017

2018

2019

2020

2021

2022e2023e周期波动：DRAM>NAND>Nor及其他，DRAM周期波动性大于存储平均水平，是存储细分市场中周期性波动最大细分市场成长性：从2009-21年、2011-21年、2016-21年存储器各细分品类CAGR看，DRAM>NAND>Nor及其他，DRAM成长性大于存储平均水平，且近5年增速显著高于近十年增速，成长性显著提升图：全球存储细分市场CAGRDRAMNANDNOR及其他存储器80%60%40%20%0%2011-21年CAGR2009-21年CAGR-10.0%

-5.0%0.0%5.0%10.0%

15.0%

20.0%光学存储半导体存储磁性存储显存平台：GDDR1-4DRAM：动态随机存储器同步存储：SDRAM笔记本平台：等LPDDR～930亿美元伪静态随机存储器：PC平台：SDR,DDR1-4PSRAM串行

NOR～

31美元存储器NOR

FLASH并行

NOReMMCFLASH～591亿美元嵌入式存储UFS～

560亿美元SATA接口固态硬盘（SSD）NVMe接口移动存储FRAM:铁电磁带、软盘、机械硬盘等2021智能手机端，出货量增速有限，单机容量提升是主要推动力。服务器端，受益人工智能、物联网和云计算等应用兴起，服务器出货量及单机容量提升推动增长图：NAND下游应用构成（按需求量）HandsetsPC

SSDGame

ConsoleEnterpriseSSD100%UFD+Memory

Card

Others80%60%40%20%0%17%28%18%28%20%29%40%37%35%34%201920202021e2022eNor：主要被台系厂商垄断，旺宏、华邦的合计市占率达48%，占半壁江山，2020年兆易创新市占率16%，全球第三，预计2021年市占率达19%图：DRAM、NAND、Nor竞争格局对比（DRAM、NAND为2021年数据，Nor为2020年数据）NANDFlash三星美光力晶其他海力士南亚科技华邦三星美光其他铠侠海力士华邦旺宏Solidigm

西部数据3%14%19%25%34%23%6%43%11%23%13%28%19%16%三足鼎立：DRAM竞争格局历经洗牌，现阶段韩国三星、韩国海力士、美国美光三大寡头垄断市场，呈现“三足鼎立”之势格局稳定：2021年三星、海力士、美光市占率依次为43%、28%、23%，合计占比超90%，自2013年美光收购尔必达后，三大厂商市场率合计始终位于90%以上图：DRAM竞争格局历经洗牌DRAM厂商数量截至2018年，三星、海力士、美光三足鼎立，合计市占率94%250图：三星、海力士、美光全球DRAM市占率变化情况海力士

美光60%40%20%0%2005

2006

2007

2008

2009

2010

2011

2012

2013

2014

2015

2016

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2018

2019

2020

2021图：DRAM行业集中度持续提升Top3厂商合集市占率其他厂商合计市占率150%100%50%0%2005

2006

2007

2008

2009

2010

2011

2012

2013

2014

2015

2016

2017

2018

2019

2020

2021NAND市场集中度不断提高。1996年全球NAND大厂现已多半退出市场，新进厂商通过技术突破占领市场份额。如今全球NAND市场被6家海外厂商垄断，六家厂商合计市占率长期稳定在95%+，格局稳定，2021年三星、铠侠、西部数据、海力士、美光、Solidigm的市场份额分别是34%、19%、14%、13%、11%、6%，CR6达到93%图：1996年全球NAND厂商多半已退出市场图：全球NAND目前由6家厂商垄断铠侠

海力士

美光

Solidigm三星西部数据其他6%8%100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%IntelADM36%AtmelOther10%FujitsuSharpSST12%SGD-Thomson21%长鑫引领大陆DRAM发展：长鑫是大陆首家DRAM

IDM厂商，2016年在合肥成立，规划三期，产能共36万片/月。2019年19nm8GbDDR4投产，2022年预计将试产17nm

DDR5；2021年中国大陆DRAM市场份额4%，长鑫DRAM市场份额3%，引领大陆发展图：中国是全球第二大DRAM市场（2019年）图：长鑫制程紧跟海外大厂步伐2015201620172018201920202021

2022e18%18nm1Ynm1Znm1Anm4%39%1Xnm1Ynm1Znm1Anm5%1Ynm1Znm1αnm南亚华邦1Xnm25nm20nm34%长鑫存储17nm长存引领大陆NAND发展：大陆首家3D

NAND

IDM厂商，2016年成立，计划建立三个工厂，每个工厂规划产能为10万片/月，计划于2025年实现满产；2019年Q3基于Xtacking架构的64层3D

NAND量产，2021年128层TLC和业界首款128层QLC

NAND量产，今年向客户交付了192层的3D

NAND，预计年底前将会大规模交付；2021年中国大陆NAND市场份额6%，长存NAND市场份额6%，引领大陆发展图：中国是NAND第一大市场图：长存NAND层数紧跟海外大厂步伐24%37%4%4%31%加上客户商标（三星或金士顿）送返给客户进行销售出售模组（合约价）模组厂渠道商服务器厂经销商（华为，浪潮，阿里）出售模组（合约价）手机厂（苹果、三星、华为）利基产品：利基存储产品包括SLC

NAND、容量小于等于4GB的MLC/TLC

NAND、利基DRAM、Nor、SRAM等产品，在这些细分市场中主要是中国台湾的南亚、华邦、旺宏等厂商角逐，大陆长鑫、兆易等也是利基产品主流产品：主流产品包括容量大于4GB的MLC/TLC

NAND产品、PC

DRAM、Mobile

DRAM、Server

DRAM,这些是主要市场，国际一流大厂三星、美光、海力士、东芝是代表厂商图：利基型产品VS主流产品总收入主流产品MLC/TLC

NAND>4GBPC/Mobile/Server（Faster

than利基产品SLC

NAND,DDR3/LPDDR3）MLC/TLC

NAND

<=4GB,Specialty

DRAM,Nor

Flash，SPAM总投入大陆厂商聚焦利基产品，如利基DRAM、SLC

NAND、Nor

Flash、EEPROM等产品，我们重点跟踪利基DRAM和SLC

NAND的价格利基DRAM：大陆供应商如兆易创新（2021年推出4Gb

DDR4）、北京君正、东芯股份，IDM唯一本土供应商长鑫存储SLC

NAND：大陆供应商如兆易创新、北京君正、东芯股份（注：长江存储做3D

NAND，容量256Gb、512Gb、1.33Tb,产品不属于利基型）图：大陆存储公司产品分布商业模式Specialty

DRAM兆易创新北京君正（ISSI）东芯股份Fabless中芯国际上海华力武汉新芯Foundry/IDM利基型DRAM：需求稳定，很多都是客制化晶片，不属于大众规格产品，利基型DRAM的价格主要受供给影响，主要应用于液晶电视、数字机顶盒、播放机等消费型电子与网络通讯等领域大陆发力利基DRAM：中国台湾厂商占据利基DRAM半壁江山，华邦、南亚合计市占率近60%，大陆厂商发力利基DRAM，兆易创新2021年量产19nm

4Gb

DDR4,目前17nm4Gb

DDR3在研，北京君正(ISSI)的DRAM中出货量最大的是DDR3，东芯股份目前DRAM产品是DDR3图：2019年利基型DRAM内存市场竞争格局（预测）南亚科技华邦电子10%美光39%三星13%海力士14%18%厂商目

录按照RAM和CPU的时钟频率是否同步，DRAM可分为同步DRAM（Synchronous

DRAM，简称SDRAM）和异步DRAM。SDRAM目前已迭代了六代，分别是SDR（Single

Data

Rate

SDRAM）、DDR1(Double

Data

Rate

1

SDRAM)、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5。每次迭代，芯片性能显著提升。目前DRAM主流是DDR4，2021年占90%，DDR-DDR3合计占比10%图：DRAM细分产品市场规模占比DDR1/OtherDDR2DDR3DDR4/DDR4+100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%200620082010201220142016201820202022e大陆目前发力利基，重点关注兆易创新2021年量产19nm4Gb

DDR4,目前17nm

4Gb

DDR3在研，北京君正(ISSI)的DRAM中出货量最大的是DDR3，东芯股份目前DRAM产品是DDR3图：目前Dramexchange中的利基DRAM与主流DRAM市场原本预期第二季整体DRAM平均合约价跌幅约0-5%，但4月合约价基本已提前止跌回稳1）主流DRAM：虽然受疫情、俄乌战争及消费电子需求疲等不利因素影响，但受益服务器对主流DRAM的旺盛需求，今年4月主流DRAM合约价提前止跌回稳，环比未变化，供需趋于平衡，下半年是传统旺季，下游需求复苏，价格有望上涨2）利基DRAM：利基DDR4的合约价仍小幅下跌，跌幅0-3%不等；利基DDR3的需求受Wifi路由器、5G等拉动，供给端方面，韩系厂商三星、海力士减产DDR3，供需错配下，利基DDR3合约价继续走高，涨幅1-4%图：DRAM合约价（美金）3.47.1-10.3%·29.358.69.6主流DRAM注：U-DIMM定位桌面电脑市场，SO-DIMM定位笔电市场，两种模组的价格相同，此处选取U-DIMM价格；价格数据2022年5月16日更新截至2022年5月16日，现货价依然全线下跌图：DRAM现货价（美金）类型2022/5/16

近一月跌幅

近一周跌幅DDR416Gb2Gx82666Mbps主流DRAMDDR48Gb1Gx82666MbpsDDR48Gb512Mx162666MbpsDDR44Gb256Mx162400/2666MbpsDDR34Gb256Mx161600/1866Mbps利基DRAM1）合约价：今年4月，DDR4

8Gb（1Gx8）的价格为$3.41，同比-10%，环比无变化，价格自从去年9月的$4.01开始下跌，今年1月跌至$3.41，相较9月的价格跌幅达到17%，后连续三个月价格稳定，止跌回稳；DDR4

16Gb（2Gx8）的价格为$7.08，环比无变化，连续三个月价格稳定，止跌回稳2）现货价：截止5月16日，DDR4

8Gb（1Gx8）2666

Mbps的价格为$3.43，近一个月降低6%，近一周降低0.7%；DDR416Gb(2Gx8)2666

Mbps的价格为$6.71，近一个月降低4%，近一周降低1%图：典型主流DDR4芯片的合约价（美金/颗）图：典型主流DDR4芯片的现货价（美金/颗）DDR48Gb1Gx82666Mbps11109876543210DDR4模组：服务器需求强劲，4月合约价持平、止跌回稳合约价：今年4月，DDR48Gb

U-DIMM的合约价格为$29.30，同比-10%，环比无变化，价格自从去年9月的$34.80开始下跌，今年1月跌至$29.30，相较9月价格跌幅达到16%，后连续三个月价格稳定，止跌回稳；DDR4

16Gb

U-DIMM的合约价格为$58.60，环比无变化，连续三个月价格稳定，止跌回稳图：典型主流DDR4模组的合约价（美金/个）注：U-DIMM定位桌面电脑市场，SO-DIMM定位笔电市场，两种模组的价格相同，此处选取U-DIMM价格；DDR5芯片&模组：DDR5主要用于服务器，服务器需求旺盛，合约价近两个月保持稳定1）芯片合约价：今年4月，DDR5

16Gb（2Gx8）的合约价为$9.56，环比无变化，今年1月价格为$10.24，2月价格下降7%至$9.56，近2个月价格稳定2）模组合约价：今年4月，DDR516GbSO-DIMM的合约价为$84.00，环比无变化，今年1月价格为$89.39，2月价格下降6%至$84.00，近2个月价格稳定；DDR5

8Gb

U-DIMM的合约价位$43.50，环比无变化，今年1月价格为$44.70，2月价格下降3%至$43.50，近2个月价格稳定图：典型主流DDR5芯片的合约价（美金/颗）图：典型主流DDR5模组的合约价（美金/个）DDR516Gb

2Gx8DDR58Gb

U-DIMMDDR516Gb

U-DIMM0注：U-DIMM定位桌面电脑市场，SO-DIMM定位笔电市场，两种模组的价格相同，此处选取U-DIMM价格；1）合约价：今年4月，DDR4

8Gb（512Mx16）的合约价为$3.59，同比-17%，环比-3%，连续两个月价格下跌；DDR4

4Gb（256Mx16）的合约价位$2.38，同比+6%，环比-1%，连续2个月价格下跌2）现货价：截止5月16日，DDR4

8Gb（512Mx16）2666

Mbps的合约价为$3.53，近一月下跌8%，近一周下跌1%；DDR4

4Gb（256Mx16）

2400/2666

Mbps的合约价为$1.88，近一月下跌6%，近一周下跌1%图：典型利基DDR4芯片的合约价（美金/颗）图：典型利基DDR4芯片的现货价（美金/颗）DDR48Gb512Mx162666MbpsDDR44Gb256Mx162400/2666

Mbps9876543210765432101）合约价：需求端受Wifi路由器、5G基台等拉动，供给端韩系厂商三星、海力士减产DDR3，供需错配下，利基DDR3合约价持续走高，4月

DDR34Gb（256Mx16）的合约价为$2.77，同比+24%，环比+2%，自去年11月以来，价格已提升11%；；DDR32Gb（128Mx16）的合约价为$2.48，同比+42%，环比+3%，自去年11月以来，价格已提升10%，创5年来的最高价格；DDR31Gb（64Mx16）的合约价为$1.81，同比+20%,环比+1%，自今年2月开始上涨，上涨3%2）现货价：截止5月16日，DDR3

4Gb（256x16）1600/1866Mbps的现货价为$2.28，近一个月下跌9%，近一周下跌0.3%；DDR3

2Gb（

128Mx16）

1600/1866Mbps的

现

货

价

为

$2.10，

近

一

个

月

下

跌

5%，

近

一

周

下

跌

1%；

DDR3

1Gb（

64Mx16）1600/1866Mbps的现货价为$1.63，近一个月下跌2%，近一周下跌0.3%图：典型利基DDR3芯片的现货价（美金/颗）图：典型利基DDR3芯片的合约价（美金/颗）DDR32Gb

128Mx16DDR34Gb

256Mx161600/1866MbpsDDR32Gb128Mx161600/1866Mbps3.53.02.52.01.51.00.50.04.03.53.02.52.01.51.00.50.0DDR2芯片：4月合约价格止跌反弹2%合约价：今年4月

DDR2

1Gb（64Mx16）的合约价为$1.78，同比+16%。环比+2%，自去年9年价格开始下降，4月价格出现反弹；DDR2512Mb（32Mx16）的合约价为$1.42，同比+15%，环比+2%，自9月开始下跌后首次出现反弹图：典型利基DDR2芯片的合约价（美金/颗）DDR21Gb64Mx16DDR2512Mb32Mx162.01.51.00.50.0目

录1）NAND分类：根据结构，NAND分为2D

NAND、3D

NAND，根据颗粒类型，NAND分为SLC/MLC/TLC/QLC，SLC每单元存储1

bit数据、MLC的存储2个bit、TLC的存储3个bit、QLC的存储4个bit2）2D到3D大势所趋：2D在平面上对晶体管尺寸进行微缩，从而获得更高的存储密度，但晶体管尺寸微缩遇到物理极限，现已面临瓶颈，达到发展极限。为了在维持性能的情况下实现容量提升，3D

NAND成为发展主流。2019年，3D

NAND的渗透率为72.6%，已远超2DNAND，且未来仍将持续提高，预计2025年3D

NAND将占闪存总市场的97.5%3）TLC、QLC为市场主流：目前TLC、QLC是NAND的主流产品，合计占95%的份额，根据Gartner数据，2019年SLC

NAND市场16.7亿+美金，占NAND市场的3%-4%左右图：NAND细分产品市场规模占比SLC

MLC

TLC

QLC100%80%60%40%20%0%2）SLC

NAND是大陆设计公司发力点：根据Gartner数据统计，2019

年SLC

NAND

全球市场16.7亿美元，在原有刚性需求的支撑和下游不断出现的新兴应用领域，2021年市场预计达到

21.4亿美元，占NAND市场的3%-4%；台系厂商华邦、旺宏占据SLC

NAND的主要份额，目前大陆如兆易创新、东芯股份、北京君正均发力SLC

NAND，长江存储做主流NAND（3D

NAND256Gb\512Gb\1.33Tb）图：目前Dramexchange中的利基NAND与主流NAND目前NAND库存维持在高水平，叠加疫情影响、近期俄乌战争的影响以及智能手机等消费电子需求减弱，原本预期NAND合约价将疲弱至2022H1，但由于2月初铠侠和西部数据的合资工厂的原材料污染事件，NAND供应下滑，支撑4月NAND价格1）主流NAND：主要是MLCNAND，4月合约价环比无变化，价格坚挺2）利基NAND：SLC

32、16、8Gb合约价环比无变化，4Gb、2Gb、1Gb价格涨幅在1-3%图：NAND合约价（美金）2022年4月月同比月环比0.0%0.0%0.0%0.0%0.0%0.0%2.1%1.5%2.9%7.9%1）主流NAND：MLC

NAND现货价格延续涨势，近一个月涨幅0-2%，3D

TLCNAND现货价格全线走跌，近一个月跌幅1-5%2）利基NAND：现货价整体基本稳定，近一个月SLC8Gb、2Gb、1Gb价格上涨，涨幅3-8%；SLC16Gb、4Gb价格小幅下跌，跌幅0.2%图：NAND现货价（美金）3DTLC512GbMLC

NAND：4月合约价格坚挺、近10个月无变化，现货价继续上涨，部分容量价格创历史新高1）合约价：今年4月，MLC

128Gb(6Gx8)的合约价为$4.81，同比+5%，环比无变化；MLC

64Gb（8Gx8）的合约价为$3.44，同比+7%，环比无变化；MLC

32Gb（4Gx8）的合约价为$3.00，同比+8%，环比无变化。这三款NAND从2021年7月起价格坚挺、价格无变化2）现货价：截止5月16日，MLC

256Gb(32GBx8)的现货价为$16.55，近一个月增长1.3%，近一周增长0.5%，价格创历史新高；MLC128Gb(16GBx8)的现货价为$8.26，近一个月增长1.9%，近一周增长0.4%，价格创历史新高；MLC

64Gb(8GBx8)的现货价为$3.99，近一个月增长0.6%，近一周小幅下降0.1%；MLC32Gb(4GBx8)的现货价为$2.16，近一个月增长0.9%，近一周降低0.2%图：MLC

NAND芯片的合约价（美金/颗）图：MLC

NAND芯片的现货价（美金/颗）MLC128Gb（16Gx8）4Gx8（）MLC32Gb3D

TLC

NAND：终端需求疲弱，近一个月现货价全线走跌现货价：截止5月16日，3D

TLC

1Tb的现货价为$19.42，近一个月减少1.8%，近一周减少0.2%

；3D

TLC

512Gb的现货价为$5.67，近一个月减少3.1%，近一周减少0.2%;3DTLC

256Gb的现货价为$2.80，近一个月减少4.9%，近一周减少0.4%。我们认为虽然3DTLCNAND供应收到铠侠工厂原材料污染事件的影响，但终端需求疲弱，现货价格出现下跌图：3DTLC

NAND芯片的现货价（美金/颗）3DTLC1Tb3DTLC

512Gb3DTLC256Gb2520151050合约价：今年4月，SLC32Gb(4Gx8)的合约价为$13.15，同比+10%，环比无变化，自去年10月起价格坚挺；SLC

16Gb(2Gx8)的合约价为$6.83，同比+11%，环比无变化，自去年10月起价格坚挺；SLC8Gb(1024Mx8)的合约价为$3.55，同比+8%，环比无变化，自去年10月起价格坚挺；SLC

4Gb(512Mx8)的合约价为$1.92，同比+10%，环比+2%，自2020年7月价格开始上涨；SLC

2Gb(256Mx8)的合约价为$1.39，同比+9%，环比+1%，自去年10月起价格维持在$1.37，4月出现反弹提升；SLC1Gb(128Mx8)的合约价为$1.07，同比+13%，环比+3%，价格出现反弹现货价：截止5月16日，SLC

16Gb(2Gx8)的现货价为$12.05，近一个月下跌0.2%，近一周价格未变化；SLC

8Gb(1Gx8)的现货价为$3.90，近一个月上升7.9%，近一周上升0.6%；SLC4Gb(512Mx8)的现货价为$1.89，近一个月下降0.2%，近一周上升0.3%；SLC

2Gb(256Mx8)的现货价为$1.35，近一个月上升3.8%，近一周上升3.1%；SLC

1Gb(128Mx8)的现货价为$1.18，近一个月上升3.2%，近一周上升0.2%图：SLC

NAND芯片的合约价（美金/颗）图：SLC

NAND芯片的现货价（美金/颗）目

录长江存储：交付192层NAND5月17日新闻：据外媒报道，长江存储已经向客户交付了自主研发的192层的3DNAND闪存，在今年年底前将会大规模交付。此外，由于长江存储128层3D

NAND闪存工艺良率已改善至较好水平，长江存储也将月产量扩大至10万片晶圆。预计到2023年底，长江存储月产量可能超过20万片，全球市场份额有望达到7-8%/mp/a132442.htmlSK海力士：新的存储晶圆厂在大连正式开工5月17日新闻：SK海力士非易失性存储器制造项目16日在辽宁大连开工，该项目将建设一座新的晶圆工厂，生产3D

NAND/s/aBVmTT8DJru6-WWvrgVSgQ铠侠：NANDFlash铠侠年营收成长3成数据，数据中心需求旺盛5月16日新闻：铠侠2021年度(至2022年3月)的年营收增加30%，净利达1059亿日圆。云端服务的需求增加使得数据中心等用途的NAND快闪存储器营收大增/wap/views.asp?menuid=34&id=76587&msv=1广达、英业达：服务器产业晴空万里，长短料与封城不影响前景5月16日新闻：尽管国内受华东封城和长短料影响，北美云服务客户的动能强劲，广达、英业达都评估下半年将优于上半年，英业达预估下半年出货将再成长22%/ttarticle/p/show?id=2309404769792895877306美光：推出业界首个232层堆叠3D

NAND

Flash

快闪记忆体5月14日新闻：近日，存储芯片大厂美光（Micron）推出业界首个232

层堆叠3D

NAND

Flash

快闪记忆体，计划用于各种产品包括固态硬盘，2022

年底左右开始量产，预计

2023年上市/s/c8rfw8mP5PJq5Ma_OxM2Fg美商Maxlinear宣布收购主控IC厂慧荣科技5月5日新闻：美商Maxlinear宣布收购主控IC厂慧荣科技，MaxLinear将以现金和股票交易方式收购，合并后公司价值将达到80亿美元。MaxLinear

的射频、模拟/混合信号和处理能力与慧荣市场领先的NAND闪存控制器技术相结合，合并后预计每年的总收入将超过

20亿美元。根据2022年5月4日MaxLinear股票的收盘价，慧荣科技的总交易对价的隐含价值为38亿美元/mp/a129457.htmlSK海力士：在韩国扩充存储芯片产能，将再建一个工厂SK海力士：服务器存储器需求旺盛，Q1营业利润翻倍，营收历史首超

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万亿韩元4月27日新闻：SK海力士公布Q1财报，Q1营收12.2万亿韩元，首超12万亿韩元，同比+43%，营业利润2.86万亿韩元，同比+116%，2018年以来同期最高，主要是因为数据中心存储器弥补了消费电子需求的疲软，叠加存储器价格跌幅小于市场预期/0/615/432.htm4月26日新闻：韩国全国经济人联合会（The

Federation

of

Korean

Industrie）在25日的报告中表示，韩国半导体企业在中国大陆的占有率从2019年美国开始限制对其半导体供应后开始下降。存储IC占韩国企业产品的最大份额，随着供应受限，中国开始增加非存储IC的进口，减少存储IC的进口。韩国在中国大陆市场的占有率从2018年的

24.7%下降到2021年的19.2%/