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精品文档-下载后可编辑MOS管功率损耗竟然还可以这么测-设计应用MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFCMOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢？

1.1功率损耗的原理图和实测图

一般来说，开关管工作的功率损耗原理图如图1所示，主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”，小部分能量体现在“导通状态”，而关闭状态的损耗很小几乎为0，可以忽略不计。

图1开关管工作的功率损耗原理图

实际的测量波形图一般如图2所示。

图2开关管实际功率损耗测试

1.2MOSFET和PFCMOSFET的测试区别

对于普通MOS管来说，不同周期的电压和电流波形几乎完全相同，因此整体功率损耗只需要任意测量一个周期即可。但对于PFCMOS管来说，不同周期的电压和电流波形都不相同，因此功率损耗的准确评估依赖较长时间（一般大于10ms），较高采样率（推荐1G采样率）的波形捕获，此时需要的存储深度推荐在10M以上，并且要求所有原始数据（不能抽样）都要参与功率损耗计算，实测截图如图3所示。

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