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文档简介

As后，试比较其电子电导率、空穴电导率和本征Si的电导率的大小（设杂质全部电离。答：(1)np1.51010cm3 其电导率的大小i

nqpq4.45106Ω 510 n

nND510cm,pi4.510cmn

nnqn10.8ppqp3.601013Asn n10.8可见，掺杂后电导率主要由多子决定，在本题中 p103Ω·cmPSi样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子答：对于P型样品，有： n，空穴起主导作用，从而 pq1103

500cm2Vsp

n ni1.80*10p 21m*v23kT，得： v 2.61107cm cms106cm答：(1)电离杂质散射是由电离的杂质对载流子的库仑相互作用引起的，其特点 IT2 IT(2)声学波散射是晶格振动对载流子散射中作用大的一种，属于晶格自身的特增加，因此，声学波散射在高温时起主要作用，其、 T2

TNq答：根据ar及迁移率与qqar

x0的范围里，单位时间复合掉的载流子数量等于x0处扩散流的大小。

p0expxLp pj

dpxqDpp0expxLpp ppxx的增大而减小。在小注入情形下，载流子的复合率为px0处，单位时间复合掉 而x0处的扩散流大小为（注意到扩散长度Lp

Dp0Lp pppp

pn

0 R p

2.2510cm每立方厘米产生2.251011个电子空穴对，相对多子浓度而言是可以忽略的。照时的准能级由于光的照射在半导体中产生了非平衡载流子np1012cm-3施主掺杂浓度为ND1016cm-3的N型硅和本征硅在这种情况下的准能,nnexpEfnEi E , kTln(n pnexpEiEfp,

E kTln(n 00

pni2

nn0nn0pp0p

EkTlnii

n EkTlnpEn

inpn1.51010cm-

nn0nnpp0p

EkTlnii

n EkTlnpEn

i答： 关系DkT jqDpkTp5.52A p p

eVnexpEtEii thnn ieVne

Et thpp 速度，σn、σp为电子和空穴的俘获截面，EtEt→EC，Et→EV，Et→Ei的复合特征。电子发射几率为：R2enNtft，R3VthpppNtft，

nnexpEFEi pnexpEiEF ft

EE F eVnexpEtEii thnn ieVne

Et thpp EtEC时：n、p，电子的俘获和发射占主导，空穴的俘获和发射EtEV时：n、p，空穴的俘获和发射占主导，电子的俘获和发射EtEi时：np答：(1)在复合过程中满足动量和能量守恒；直接禁带半导体导带底和价带顶的kk(2)在直接禁带半导体中引入复合中心能级Et，则复合时会辐射能量分别为Et→ECECEVEtEVECEV能量的光子辐射。答：由Nd1015cm-

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