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文档简介
1212345623456
Monday,October14,
CS0-
CS0-CSI0-CSI0-
TP_TWI2-8,9TP_TWI2-VCC-
CSI0-
1876543287654399
CSI0-
Monday,October14,
对比MBOX103G对比MBOX103GUSB改为双层封 7.删除功放取消 8.删除增加GPSB接 9.HDM改为CVGA接口改为2.0MM排 9.增加按增加 增加MC和SPK更改电源 4.LVDS背光控制与板兼PCB过 5.DDR3时钟线并电LVDS电源增加3.3V选
Monday,October14,2
1
1、系统电不开机的做法(防止市电停电后来电机器自动开机的问题)当插入火MC将NOE直拉低直到MC第次接收到红 的power键值时,才将NOECTL置高,PM开始供电,系统开始启,android正常启动时间约212、关机操作当A10处于正常工作状态时,MC接收到的power键值,MCA10POWERDET#,再判断A10WORKDET,如果满足A10POWERDET#为高,A10WORKDET为低,则MC在PWRON#发出个200ms的低电平则屏幕图形提示让用户进行关机或者待机选择3、standby唤醒操作当A10处于待机状态时,MC接收到的power键值,MC先判断A10POWERDET#,再判断A10WORKDET,如果满足A10POWERDET#为高,A10WORKDET为高,则MC在PWRON#发出个200ms的低电平,PM4、开机操作当A10处于关机状态时,MC接收 的power键值,MC先判断A10POWERDET#,判断A10WORKDET,如果满足A10POWERDET#为低,A10WORKDET为低,则MC在PWRON#发出个1.5秒的低电平,PM接收到之后,开始给A10供电,系统开始电开机按键,此键用于开关机的办法 对PWRON的控制相同机械按键以定义长按操作MC检测到长按时,编程使得MC发出个大于6秒的低电平,PM
SmartDeviceTechnology
PMU-
靠近DO3IN
Vout=0.923x(1+RD4<
靠近VIN1
Option部分:一般情况下,使用5V
电路直接删掉。如果考虑到12V
电3.0V
SmartDeviceTechnologyVout=
Vout=
2V5
Power
BESIDE
靠近DLLVDDpin
LAYOT按照PINPIN摆放越的电容,越靠近SOCpin
PIN摆放越小的电容,越靠近SOCpin脚放置
PIN摆放越小的电容,越靠近SOCpin脚放置
SmartDeviceTechnology
BESDE
DDR38bitxDDRDDR封装为
Z0=100ohm
SmartDeviceTechnologyCo
NANDFlashTSDFlash 、Toshiba、Samsung2xnmTSOPNand时,NSR2连接,NSR3断开;其它的NSR2断开,NSR3连
TSDFlash
EMMC
SmartDeviceTechnologyNAND-VCCNAND-VCCCVCC-1V8DC=0RD=NC:Usenandflashor3.3vIOeMMC.C=NCD=0R:Use1.8vIOeMMC.Notelayout:PuttheeMMCin
VGAog
CVBS
HEADSETINSERT
检测耳机插入:HP-DET状态1、0V,无耳机 2>2.5V耳机插入
SmartDeviceTechnology
EEPROM用
Ethernetphy.功耗work:115mAWIFIPWRRT8188:500mW/3.3V@
Z0=90ohm+/-5WIFI-3V3LDO
WIFI
RF
SmartDevice
要求:VgsPower
CostDown
Power
在有SATA时,此电路删掉后再layout
BESIDEHDDHDDG-
Vout=0.923x(1+RD3/RD4)RD4<100K
SmartFor
IR
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