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文档简介
全桥LLC计算,,,,,,
,,,,备注,引用公式,
输入电压,Vin,780,VDC,,,
最低输出电压,Vomin,336,VDC,,,
最高输出电压,Vomax,450,VDC,,,
输出额定电压,Vout,400,VDC,,,
最低工作频率,fmin,100000,Hz,,,
输出满载电流,Io,37.5,A,,,
输出二极管压降,Vd,2,VDC,,,
给定K值,K,4.000,,,,
输出额定功率,Pout,15000,W,,Pout=Vout*Io,
理论变比,n,1.931,,,n=Vin/(Vout+Vd),
最低输入电压增益,Gmin,0.842,,,Gmin=n*(Vomin+Vd)/Vin,
最高输入电压增益,Gmax,1.124,,,Gmax=n*(Vomax+Vd)/Vin,
谐振频率点,fr,135371,Hz,,fr=fmin*SQRT(1+K*(Gmax^2-1)/Gmax^2),
最高工作频率,fmax,272350,Hz,,fmax=fr/(SQRT(1+K*(Gmin-1)/Gmin)),
输出电阻最小值,RL,10.667,Ω,,RL=Vout/Io,
原边等效电阻,Rac,32.230,Ω,,Rac=8*n2*RL/π2,
可安全工作的最大品质因数,Qmax,0.660,,,Qmax=(SQRT(K+G2max/(G2max-1))/(K*Gmax),
,Q,0.627,,,一般取0.9-0.95的Qmax,
谐振电感,Lr,23.762,uH,,Lr=((Q*Rac)/(2*3.14159*fr))*1000000,
谐振电容,Cr,58.170,nF,,Cr=1/(2*3.14159*fr*Rac*Q)*1000000000,
变压器初级感量为,Lm,95.050,uH,,Lm=K*Lr,
核算Im>Ip(如不满足,需减小Q或者增大Lr+Lm),,,,,,
辅谐振和MOS管结电容Coss和,Cp,4000,pF,,,
最小死区时间预估,Td,518,ns,,Td≥4*Cp*fmax*(Lr+Lm),
实际死区时间,Tdr,600,ns,,,
,Im,6.026,A,,Im=Vin/(4*fmax*(Lr+Lm)/1000000),
,Ip,5.200,A,,Ip=Cp*Vin/Tdr(40pF是辅谐振电容值,600ns是预计死区时间,
MOS管和整流二极管参数计算,,,,,,
直流母线最高电压值,Vmax,800,Vdc,,,
谐振电流有效值,Irms,24.042,A,,Irms=Vout/(4*SQRT(2)*n*RL)*SQRT(4*3.14159^2+(n^4*RL^2)/(Lm^2*fr^2)),
流过MOS管的有效值,IQrms,17.002,A,,IQrms=Irms/SQRT(2),
整流二极管电压应力,Vd2,495,V,,为输出电压+管压降,
整流二极管平均电流值,Id,18.75,A,,Id=Io/2,
通过每个桥臂二极管的电流有效值,Idrms,41.658,A,,Idrms=π*Io/(2*SQRT(2)),
输出滤波电路选用CLC滤波电路,也就是π型滤波,纹波电流基本是由L前的电容承担,,,,,,
输出电容纹波电流值,IC1,18.143,A,,IC1=SQRT(Idrms^2-Io^2),
输出滤波电感电流,IL,37.5,A,,IL=Io,
谐振电容设计,,,,,,
谐振电容上的最大压降,Vcr,1374.17,V,,Vcr=SQRT(2)*Irms/(3.14159*fr*Cr),公司现有的1600V683电容两并两串为68nF
主变压器设计,,,,,,
变压器的AP值,AP,77.310,cm4,,AP=(Pout/(K*ΔB*fr))^(4/3)【这里K取0.017,ΔB取0.25T】,选EE70的磁芯,两对,使用双EE70B的磁芯
变压器所选磁芯Ae,Ae,1366,mm2,,,
变压器变比校正,nr,2.159,,,nr=SQRT((K+1)/K)*n,
实际气隙,σr,1,mm,,,
重新计算初级匝数,Nagain,7.441,,,Nagain=SQRT((Lm*σr/(Ae*μ0)),
实际初级匝数,Nreal,8,,,,
实际次级匝数,N2,4,,,,
,,,,,,,
谐振电感设计,,,,,,
谐振电感所选磁芯Ae,ALe,420,,一对EE55B,,
保证不饱和的最少匝数,nL,15.39,,,nL=Lr*1.414*Irms*2/0.25/Ale【1.414*Irms*2取得为谐振电流峰值的2倍,防止短路时饱和】,
计算气隙,σL,5.26,mm,,σL=nL^2*ALe*4*3.14/Lr,
实际气隙,σLr,4,mm,,,
重新计算匝数,naL,13.420,,,naL=SQ
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